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我们对用分子束外延（ＭＢＥ）技术生长出的Ｈｇ０．６８Ｃｄ０．３２Ｔｅ薄膜进行了Ｎ离子注入并退火,分别得到了其室温喇曼散射谱及在不同温度下的远红外透射谱．喇曼散射谱可以观察到类ＨｇＴｅ的ＬＯ模的散射和ＴＯ模的散射,原生样品及离子注入样品在９３ｃｍ－１附近有较弱的散射峰,经离子注入后该峰消失;远红外透射谱中分别可以观察到７８ｃｍ－１（Ｘ）、８６ｃｍ－１（Ｉ１）、９３ｃｍ－１（ＬＡ）、１０４ｃｍ－１（Ｐｄ）以及１２１ｃｍ－１（ＴＯ２）、１４３ｃｍ－１（ＴＯ１）、１５６ｃｍ－１（ＬＯ１）等吸收峰,讨论了离子注入及注入后退火对Ｘ、Ｉ１、ＬＡ、Ｐｄ等吸收峰的影响． 相似文献
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本文研究离子辐照损伤对Hg_(0.79)Cd_(0.21)Te电性能的影响。在离子能量为150千电子伏、剂量为1×10~(15)离子/厘米~2时,在77K下出现损伤引起的较大n型电导率,薄层载流子浓度约为10~(14)厘米~2,薄层电阻达10欧/方。所观察到的n型电导率是由各种注入离子(不论它们是施主还是受主)产生的。在经受高达120℃的温度时,注入n型层仍然保持其特性。这种适度的处理对损伤起轻微的退火作用,使电导率稍有增加,薄层电子浓度降低,有效迁移率增加。结果还表明,注入层可用于n型光导体的表面钝化并与n型材料形成欧姆接触。 相似文献
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光伏型探测器的优点在于功耗低,较易与电荷耦合器件(CCD)互连,而且有可能作为大型焦平面以及宽频带应用。除此之外,光伏型探测器要比光导型探测器有较高的探测度,光导器件只有在少数载流子扫出的情况下才能达到与光伏型器件相同的探测度。因此,制备碲镉汞的P-N结受到很大重视。公开报导的结果有汞和铟的扩散结,质子轰击和离子注入。使用成功的离子种类有汞、铝和硼。在这项研究中,我们尝试研究了多种元素的掺杂特性。因为研究了10种元素,故所得 相似文献
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对利用ＭＥＢ技术生长的Ｈｇ０．６８Ｃｄ０．３２Ｔｅ薄膜进行了光致发光和喇曼光谱的研究，拟合薄膜光致发光谱得到的禁带宽度，与红外透射谱得到的薄膜带宽相近；其半宽仅为５ｍｅＶ，带尾能量小于１．３ｍｅＶ，显示了较高的薄膜质量。 相似文献
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在77K时对150keV的B~+注入p型HgCdTe进行微分霍尔测量表明:以不同剂量的B~+注入后所形成的n~+层是很明显的。n~+层的厚度取决于B~+的注入剂量,当剂量超过1×10~(13)cm~(-2)时,晶片载流子浓度趋于饱和。 相似文献
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用激光蒸发淀积在130℃于(111)A CdTe衬底上生长了n型Hg_0.7Cd_0.3Te外延层。在77K温度下迁移率和载流子浓度分别为4000～7OOOcm~2/Vs和0.7～3×10~16cm~-3。在410℃退火后薄膜可转为P型。已试制注入n~ /P光电二极管。 相似文献
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在130℃用激光诱发淀积法(LAD)在(111)A面CdTe衬底上生长了n型Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te。在77K,其电子迁移率为4000～7000cm~2/V·s,载流子浓度为(0.7～3)×10~(16)cm~(-3)。外延薄膜经过410℃退火后可以转变成p型。已用离子注入制成了n~+/p光电二极管。 相似文献
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本文用透射电子显微镜研究了经氩离子束磨削过的Cd_(0.2)Hg_(0.8)Te的缺陷结构。当磨削束流密度为600μAcm~(-2)时,会产生高密度的小位错坑。这些位错坑具有巴尔格矢量为1/2 o〈110〉的棱边取向和具有填隙性质。这些位错位于磨削表面下大约50nm的窄带内,比氩离子射程大一个数量级。于是认为以级联形式出现的填隙就从较热表面区域扩散到样品体内。由于该材料中的快速扩散,填隙浓度梯度很小,于是在较冷的深层区域的过饱和填隙要超过该表面的填隙,因而这个深度利于成核。也观察到了在室温下储藏一时期后,这些位错坑有收缩现象,表明了在这种材料中的快速扩散。 相似文献
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引言Hg_(1-x)Cd_xTe是一种半导体,它被广泛的用作1到30微米范围的红外探测器材料。它有两个主要的优点:首先它是一种本征半导体,并且能隙可调。在本征半导体中,当光子把电子从价带激发到导带的时候,就有光信号发生。能带到能带过程的吸收系数是 相似文献
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用改进型垂直布里奇曼法(VMB)生长出的Cd_(1-x)Zn_xTe (X=0.04)梨晶,切成具有单晶的薄片面积大达10～12cm~2,本文还对它代替CdTe用作液相外延生长HgCdTe的衬底,作了评价。与典型的CdTe晶体相比,CdZnTe晶体的缺陷密度较低、机械强度较好,并大大改善了在CdZnTe上生长的HgCdTe液相外延层的宏观与微观形态。CdZnTe衬底上生长的液相外延层的表面形貌表明,它与取向的关系,比在CdTe衬底(取向接近于{111}的平面)上生长的外延层与取向的关系更小。Zn加到CdTe晶格中可以使共价性增加,离子性降低,这样就抑制了范性形变和位错的产生。这些因素的组合能把晶格常数调整到两个极值范围内的任何所需要的值,这样就可以生长高性能红外探测器阵列所要求的低缺陷密度的HgCdTe外延层。通过缺陷腐蚀、红外显微镜检查、X射线摆动曲线分析和X射线形貌测量,对衬底和外延层的质量作了评定。 相似文献
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在n型Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te上已成功地制备了电极长10微米的8位CCD移位寄存器,这种器件在77至140K之间工作。在77K、1至100千赫时钟频率四相工作的条件下,得到了0.996电荷转移频率。在第一相位的势阱工作时,在隧道击穿限以外给输入栅加一个脉冲而产生输入信号,用浮置栅检测信号,然后进行相关双重取样,信号的大小符合推算值。 相似文献
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我们对Cd_(0.21)Hg_(0.79)Te晶体中的g—r噪声进行了研究,对补偿过的和未经补偿的n型样品和P型样品进行了测量。研究结果表明,窄禁带Cd_(0.21)Hg_(0.79)Te半导体中的噪声源与CMT材料的导电类型、补偿程度以及温度有关。在n型未补偿样品的本征区域以及非本征区域内,g—r噪声是由带间的跃迁决定的。在n型补偿样品的非本征区域和P型样品内,g—r噪声是由杂质能级与能带间的跃迁引起的。 相似文献
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将掺磷的Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te单晶样品放在不同汞分压中,使其在450℃到600℃温度范围内退火。待样品冷却到室温后测量霍耳效应和迁移率,发现所有样品均为p型,其空穴浓度远小于晶体中磷的总浓度。空穴浓度也随着汞分压的增加而增加,这和在不掺杂晶体中观察出的现象不大相同。同时,在低汞压下,掺杂样品中,空穴浓度比不掺杂晶体中空穴浓度小。在77K时掺杂样品中的空穴迁移率接近于非掺杂样品中的空穴迁移率。这些结果表明磷在Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te(s)中呈现两重性,在高汞压下磷占据了填隙和碲的晶格点位置而呈现为一价的受主,在中低汞压下磷占据汞的晶格点而表现为一价的施主,由于填隙和代位的磷结合形成配对,因而大多数的磷似乎是以电中性对的形式存在。在低汞压情况下大部分磷似乎是以代位磷和汞空位形成的带正的和负的电荷对出现。本文计算了各类磷结合方式的热力学常数,满意地解释了这些实验结果。 相似文献
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介绍一种新的测量半导体光生栽流子寿命的非接触光学调制技术。这种技术包括测量直流探测光束((?)ω相似文献
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在用分子束外延法(MBE)生长Hg_(1-x)Cd_xTe合金系时要特别重视这种材料的下述特性:(1) 在150℃以上,组分值x为0.2～0.3的Hg_(1-x)Cd_xTe会很快分解并变得非常不一致;(2) 汞的粘附系数很低,小于0.03;(3) 汞蒸汽压很高。由于Hg_(1-x)Cd_xTe合金系的分解速度随温度降低而快速下 相似文献
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采用分子束外延生长法在取向为的CdTeB面衬底上生长CdTe和Cd_xHg_(1-x)Te(CMT),CdTe的外延温度在25℃和250℃之间,而CMT的外延温度则为120℃。这些厚度达10μm的外延层有较好的结晶性;在77K,载流子浓度很低。分子束外延生长的CMT在生长后经过退火处理,它原来较低的霍耳迁移率会得到提高。 相似文献
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褚君浩 《红外与毫米波学报》1983,2(2)
本文描述在80K到300K温度范围,利用PE580B型红外分光光度计测量厚度为6.5μm的Hg_(0.656)Cd_(0.344)Te薄样品的本征吸收光谱。测得最高吸收系数达10~4cm~(-1)。由吸收曲线确定了该样品在不同温度下的禁带宽度以及吸收边所符合的规律,与参考文献[3]的经验公式一致。本文还利用Kane模型计算了吸收系数的理论曲线,取动量矩阵元P=8×10~(-8)eV-cm,重空穴有效质量m_(hh)=0.55m_0时,理论曲线与实验曲线符合较好。但Kane理论不能解释吸收边。根据指数吸收边可以推测,在导带底存在一个指数型带尾。 相似文献
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在HgCdTe三元系中由于Cd不稳定而减弱了Hg-Te键合,人们开始研究镉的替换物。其中,Mn是替换物的候选材料之一。即便目前还不清楚Mn是否能稳定Hg-Te键合,但由于Mn的磁学性质使得Mn是一种诱人的材料。因为Mn的未充满的3d壳层内有五个电子,其局限化磁矩将同带电子发生强相互作用而改变机制。Hg_(1-x)Mn_xTe基本上具有 相似文献