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真空灭弧室中屏蔽罩电位动态测试及分析 总被引:1,自引:0,他引:1
本文通过测量真空灭弧室中屏蔽罩电位与电弧电压和恢复电压关系的动态变化波形,探讨真空灭弧室在短路电流分断过程中,真空电弧的燃弧规律和弧后介质强度恢复规律。在试验结果的基础上,对真空灭弧室屏蔽罩电位与触头间电压的动态关系进行了数学推导,从理论上分析了屏蔽罩电位的变化规律,证实这是一种研究真空灭弧室性能的可行方法。 相似文献
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真空灭弧室主屏蔽罩电位静态测量分析 总被引:3,自引:0,他引:3
对中间封装式和瓷柱支撑式两种主屏蔽罩安装方式的真空灭弧室中主屏蔽罩电位进行了静态工频测试,找出了为什么中封式真空灭弧室装入整机后并不比瓷柱式真空灭弧室耐压特性优越的原因,指出在真空断路器设计中,尤其在高电压等级下,真空灭弧室的均压问题应与整机总体设计同时考虑。 相似文献
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给出了一种测试真空弧室主屏蔽罩电位的方法,分析了测试过程及测试线路参数的选择,并示出真空灭弧室动态测试波形图和相应的误差分析。 相似文献
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一种用于真空灭弧室的磁屏蔽罩 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了由外部接线产生的磁场对真空电弧的影响.这一横向磁场会将电弧吹向弧隙外侧,削弱了真空灭弧室的开断能力.因而提出了一种磁屏蔽罩,以避免真空电弧受到外部磁场的影响.试验结果表明,该磁屏蔽罩可有效地提高真空灭弧室的开断性能. 相似文献
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本文阐述了均压屏蔽罩在高电压真空灭弧室中的应用及其重要性,介绍了各种不同屏蔽罩在高电压真空灭弧室内所起的均压作用,触头开距与屏蔽罩之间的配合以及触头和屏蔽罩形状的分析。 相似文献
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真空灭弧室弧后介质强度恢复的不稳定性 总被引:1,自引:0,他引:1
本文通过测量真空灭弧室弧后恢复电压和屏蔽罩电位的波形,发现在弧后介质强度恢复过程中,屏蔽罩 电位波形在接近真空灭弧室极限开断电流时,会产生严重的无规律畸变,并伴随有弧后残余粒子消散时间的延长。从而证实真空灭弧室的弧后介质强度的恢复过程不仅存在着速度的快慢,而且存在着不稳定性,这种不稳定程序随极限开断电流的临近而加剧。它与真空灭弧室 的弧后击穿和开断失败有着密切的联系。 相似文献
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126kV户外真空断路器灭弧室电场仿真计算 总被引:1,自引:0,他引:1
采用有限元软件对126kV户外真空断路器的灭弧室内部电场进行了仿真计算,考虑了灭弧室内部各种屏蔽罩对电场分布的影响,得出了一些有益的结论,为户外真空断路器的设计提供了理论基础。 相似文献
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<正>介绍了在电力系统一个重要元件——真空灭弧室的主屏蔽罩结构设计。随着真空灭弧室产品向小型化和低成本发展,主屏蔽罩的结构也发生相应变化。真空灭弧室作为真空断路器的核心元件,其质量性能好坏直接决定了真空断路器的使用性能表现。市场上,真空灭弧室典型结构组成如图1所示。主屏蔽罩作为真空灭弧室的关键零件之一,主要作用是当触头之间产生电弧时有大量金属蒸气和液滴向真空灭弧室四周喷溅,这些电弧生成 相似文献
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72.5kV真空灭弧室电位和电场分布研究 总被引:1,自引:0,他引:1
为分析72.5 kV真空灭弧室的电位分布和电场分布及其影响因素,建立了其轴对称有限元分析模型,计算了其电位分布和电场分布,研究了真空击穿的面积效应,并分析了主屏蔽罩的结构尺寸及多个屏蔽罩对真空灭弧室内部电场分布的影响。结果表明:真空灭弧室动静触头之间、触头和屏蔽罩之间的电位变化比较显著,灭弧室内部电场分布不均匀;随着触头间隙距离、触头半径及倒角部分曲率半径的增大,触头表面有效面积将增大,而灭弧室内部最大场强将有所减小;增大主屏蔽罩的半径和长度,可以使屏蔽罩两端的场强有所减小,在真空灭弧室内安装多个屏蔽罩,可以改善内部电场分布。计算结果可为高电压等级真空灭弧室的优化设计提供参考。 相似文献
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高分断能力真空灭弧室的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了一种新型高分断能力的真空灭弧室,其间隙纵向磁场较强且具有良好的分布特性。试验表明,该真空灭弧室具有较强的分断能力,并有利于真空灭弧室的小型化。 相似文献
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真空灭弧室触头含气量与动态真空度 总被引:2,自引:1,他引:2
研究了灭弧室内工作表面吸气与放气的动态过程,分析了触头材料的含气量与电弧输入能量对动态真空度的影响,讨论了开发更大电流等级真空断路器对触头材料的要求。 相似文献