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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
《今日电子》2011,(12):65-66
8VN沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB采用超小的0.8mm×0.8ram芯片级封装,占板面积比仅次于它的最小芯片级器件最高可减少36%,而导通电阻则与之相当甚至更低。  相似文献   

2.
Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用业内最小0.8×0.8×0.4 mm MICRO FOOT封装的CSP规格尺寸,具有业内最低导通电阻的新款12 V和20 V的N沟道和P沟道TrenchFET誖功率MOSFET。  相似文献   

3.
Vishay Intertechnology,Inc.宣布.推出采用业内最小0.8×0.8×0.4mm MICROFOOT@封装的CSP规格尺寸,具有业内最低导通电阻的新款12V和20V的N沟道和P沟道TrenchFET功率MOSFET。  相似文献   

4.
《国外电子元器件》2010,(5):154-154
Vishay Intertechnology,Inc.推出首款采用芯片级MICROFOOT封装的P沟道第三代ThnchFET功率MOSFET—Si8499DB。在1.5mm×1mm的占位面积内,这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。  相似文献   

5.
《今日电子》2010,(8):67-68
SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C—E3和SiHBi2N50C—E3是三款500V、12A的N沟道功率MOSFET,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555Ω,栅极电荷减小为48nC,采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封装。  相似文献   

6.
Vishay Intertechnology宣布推出4款新型500V、16A的N沟道功率MOSFET——SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V栅极驱动下具有0.38Ω的超低最大导通电阻,栅极电荷降至68nC,采用TO-220AB、TO-220FULLPAK、D2PAK和TD247AC封装。  相似文献   

7.
《电子元器件应用》2008,10(8):84-84
Vishay Intertechnology。Inc.推出新型20V p通道TrenchFET功率MOS—FET—Vishay Siliconix Si8445DB.该器件采用MICRO FOOT芯片级封装,具有业界最小占位面积以及1.2V时业界最低的导通电阻。  相似文献   

8.
Vishay推出采用PowerPAK1212-8封装的-40VSIS443DN和PowerPAK1212—8S封装的一30VSiSS27DN器件,扩充其TrenchFETGenIIIP沟道功率MOSFET。VishaySiliconixSiS443DN在-10V和-4.5V栅极驱动下具有较低的导通电阻,是-40VP沟道GenIII器件;SiSS27DN是采用PowerPAK1212—8S封装的-30VMOSFET。  相似文献   

9.
《中国集成电路》2010,19(8):29-29
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET——SiHP12N50C—E3、SiHF12N50C~E3和SiHB12N50C—E3,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555Ω,栅极电荷减小为48nC,采用TO-220、TO-220FULLPAK和D2PAK(TO-263)封装。  相似文献   

10.
11.
《今日电子》2014,(6):67-67
SiA446DJ是一款采用小尺寸、热增强型SC-70封装的150V N沟道M0SFET,其占位面积为2mm×2mm,在10VF具有业内最低的导通电阻,可通过减少传导和开关损耗,在各种空间受限的应用中提高效率。  相似文献   

12.
《电子设计工程》2013,(18):44-44
VishayIntertechnology,Inc.宣布,扩充其采用超小PowerPAK0SC-70封装的‰nchFET@GenIIIP沟道功率MOSFET。今天推出的VishaySiliconixMOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的,占位面积只有2x2mm,在-4.5V和-10V栅极驱动下的导通电阻是-12V、-20V和-30V(12VVGS和20VVGS)器件中最低的。  相似文献   

13.
毕向东 《电子与封装》2011,11(6):8-10,22
针对适用于锂电池保护电路特点要求的共漏极功率MOSFET的封装结构进行了研发和展望.从传统的TSSOP-8发展到替代改进型SOT-26,一直到芯片级尺寸的微型封装外形,其封装效率越来越高,接近100%.同时,在微互连和封装结构的改进方面,逐渐向短引线或焊球无引线、平坦式引脚、超薄型封装和漏极焊盘散热片暴露的方向发展,增...  相似文献   

14.
IR公司推出全新HEXFET功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装,具有低导通电阻(RDS(on)),适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动,以及电信设备等应用。  相似文献   

15.
Vishay Intertechnology推出其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件,将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39mΩ-600mΩ.  相似文献   

16.
17.
P通道TrenchFET功率MOSFETSi7633DP和Si7135DP采用SO-8封装,可容许比其他SO8封装器件高60%的最大漏电流和高75%的最大功率损耗。Si7633DP具有3.3mΩ(在10V时)及5.5mΩ(在4.5V时)的超低导通电阻。30VSi7135DP的导通电阻为3.9mΩ(在10V时)和6.2mΩ(在4.5V时)。这两款新型器件可用作适配器切换开关,用于笔记本电脑及工业/通用系统中的负载切换应用。  相似文献   

18.
M0SFET的单位面积导通电阻(Rsp)和品质因子(FOM)近年来出现大幅下降。在给定的硅材面积下,降低Rsp的关键因素是改善器件通道的宽度。这个改进促使了超低导通电阻产品的出现。由于栅极电荷在较高开关频率下对能耗的影响越来越重要,  相似文献   

19.
《电子工程师》2003,29(8):42-42
皇家飞利浦电子集团扩展其功率MOSFET产品系列 ,推出创新的SOT6 6 9无损封装 (LFPAK)。新LFPAK器件针对DC/DC转换器应用而设计 ,具有体积更小、效率更高、性能更加优化等特点 ,可用于众多新应用 ,如笔记本电脑、台式机、服务器、高频应用等。飞利浦的LFPAK封装MOSFET主要特点有接近于零的封装电阻和主板连接低热阻 ,以增强功率功能。MOSFET还具有低封装电感 ,从而提高了开关速度 ,使飞利浦LFPAK封装的MOSFET产品特别适用于企业计算等高频应用。小体积与卓越的热性能使功率损失降到最低 ,以帮助要求尽量减小产品体积的…  相似文献   

20.
Vishay推出采用PowerPAIR 6 mm×3.7 mm封装和TrenchFET GenⅢ技术的非对称双通道TrenchFET功率MOSFET——SiZ710DT,新器件比其前一代器件的导通电阻减小43%,同时具有更高的最大电流并提高效率。SiZ710DT在一个小尺寸封装中整合了低边和高边MOSFET,导通电阻低。SiZ710DT的低边Channel 2 MOSFET利用了非对称结构在优化空间上的  相似文献   

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