电场辅助离子迁移过程中离子迁移深度模型

考虑了焦耳热导致的玻璃基片温度升高效应,建立了玻璃基片上电场辅助离子迁移（FAIM）过程中离子迁移深度的计算模型。该模型首先通过求解玻璃基片的热平衡方程获得玻璃基片温度随时间的变化规律,在此基础上获得流过玻璃基片的电流密度以及电荷通量密度随时间的变化规律。最后利用电荷通量密度与离子迁移深度的正比关系计算离子迁移深度。利用该模型获得的模拟结果与实验结果的比较显示,在集成光学器件制作的实验参数下,利用该模型所获得的离子迁移深度变化的规律与相应的实验结果接近。分析表明,由于模型中考虑到了焦耳热导致的玻璃基片温度的升高,该模型用于研究FAIM 过程中的迁移深度具有更好的普适性。     

在PCB中离子迁移的危害与对策

随着电子产品向小型化、高功能化方向的发展，离子迁移现象已经成为影响线路板绝缘和稳定的一个因素，因此研究和防治离子迁移现象已成为现在和未来电路板（尤其是高集成电路板）质量和稳定性的不可忽略的重要方面。     

应用双电场减小阳极键合过程中MEMS器件可动部件的损伤

提出了采用双电场对硅/玻璃进行阳极键合的方法.采用这种方法,能够有效地避免和减少键合过程中的静电力对MEMS器件的可动敏感部件的损伤和破坏,同时实验结果也验证了该方法.     

应用双电场减小阳极键合过程中MEMS器件可动部件的损伤

提出了采用双电场对硅/玻璃进行阳极键合的方法.采用这种方法,能够有效地避免和减少键合过程中的静电力对MEMS器件的可动敏感部件的损伤和破坏,同时实验结果也验证了该方法.     

电迁移测试中模型参数估计方法的比较

电迁移（Electro—Migration,EM）是集成电路可靠性研究的重要项目之一。本文基于JESD63,基于最小二乘法（LSE）和基于极大似然估计（MLE）来研究不同的统计方法对电迁移的样本估计（t50,σ）和模型参数估计（Ea,n）的影响,并列举了不同统计方法在不同情况下的应用。为电迁移的数据分析提供了更多更灵活的处理方法,此外,对TDDB（Time Dependent Dielectric Breakdown）的参数估计同样适用。     

基于密集连接和空谱变换器的双支路高光谱图像分类模型

为了减少高光谱图像的训练样本,同时得到更好的分类结果,本文提出了一种基于密集连接网络和空谱变换器的双支路深度网络模型。该模型包含两个支路并行提取图像的空谱特征。首先,两支路分别使用3D和2D卷积对子图像的空间信息和光谱信息进行初步提取,然后经过由批归一化、Mish函数和3D卷积组成的密集连接网络进行深度特征提取。接着两支路分别使用光谱变换器和空间变换器以进一步增强网络提取特征的能力。最后两支路的输出特征图进行融合并得到最终的分类结果。模型在Indian Pines、University of Pavia、Salinas Valley和Kennedy Space Center数据集上进行了测试,并与6种现有方法进行了对比。结果表明,在Indian Pines数据集的训练集比例为3%,其他数据集的训练集比例为0.5%的条件下,算法的总体分类精度分别为95.75%、96.75%、95.63%和98.01%,总体性能优于比较的方法。     

基于LTE-A异构网中双连接技术的切换流程设计与实现

3GPP在LTE-A异构网络中提出双连接技术是为了增强型小小区,终端同时连接到MeNB(Master eNB)和SeNB(Secondary eNB)可以提高单个用户的吞吐量和移动的强健性,用户吞吐量的提升是通过聚合至少两个基站的无线资源实现的.其中MeNB主要负责信令的传输和移动性管理,SeNB主要实现的是对数据的分流.提供了双连接技术的应用场景,在架构上实现了用户平面和控制平面的分离,设计了双连接场景下的切换流程以及搭建了基于TTCN-3(Testing and Test Control Notation version 3)测试系统的终端无线资源管理(Radio Resource Management,RRM)一致性测试平台,并对流程设计进行了验证.     

DC-DC变换器中双开关网络的平均模型及其应用

根据电感上电流的断续情况,开关变换器可以工作在连续导电模式(CCM)和断续导电模式(DCM).开关网络的等效变比μ(t)可以被认为是CCM开关网络占空比d(t)的另一种表达式.因此,以CCM变换器为例的模型结果还可以用在其他工作模式,甚至可以使用于其他结构的变换器,需要处理的只是用μ(t)代替d(t).等效变比可以用作判断工作模式的标准.在这个仿真电路中,用平均开关模型子电路CCM-DCM代替了由功率场效应功率管和二极管组成的开关网络.     

双量子阱结构中电子共振隧穿的相干模型

提出了一种新的计算双量子阱结构中电子共振隧穿时间的相干模型,理论计算与报道的实验结果基本一致.进一步的讨论表明,在有电子散射的情况下,随着势垒厚度的增加,对比度存在极大值,而与类Fabry-Perot模型的单调增加趋势明显不同.     

非简并双光子Tavis—Cummings模型中量子态保真度及原子间关联

运用全量子理论研究了双模真空光场作用下的非简并双光子T－C模型体系中量子态保真度和原子间关联特性,讨论了不同的原子初态条件下,原子间偶极相互作用对体系中的量子态保真度和原子间关联的影响,结果表明：初始各自处在激发态的无关联的两原子在双模真空光场和原子间的偶极相互作用下呈现关联特性;初始各自处的基态的无关联的两原子在相互作用下无关联,并且系统、光场和原子三者的最子态在演化过程中不失真。     

单片集成MEMS中的阳极键合工艺

分析了阳极键合工艺的原理及其工艺条件对CMOS电路的影响，并通过理论分析和实验研究了单片集成MEMS中的两种阳极键合方法：对于玻璃在硅片上方的键合方式，通过在电路部分上方玻璃上腐蚀一定深度的腔及用氮化硅层保护电路可以在很大程度上减轻阳极键合工艺的影响；而玻璃在硅片下方的键合方式，硅片上的电路几乎不受阳极键合工艺的影响，两种方法各有优缺点。     

Interfacial Bonding of Metal‐Sulfides with Double Carbon for Improving Reversibility of Advanced Alkali‐Ion Batteries

Engineering interfacial properties of metal‐sulfides toward excellent electrochemical capability is imperative for advanced energy‐storage materials. However, they still suffer from an unclear mechanism of capacity fading, along with ineffective physical–chemical evolution. Herein, a highly‐effective Sb₂S₃ with double carbon is designed with interfacial Sb? C bonds and double carbon, which boosts promoting of ion transferring and alleviates the separation of both active phases (Sb, S). Through “voltage‐cutting” manners, the key elements of capacity improvement about phase transitions are further determined. As expected, even at 5.0 A g^?1, the lithium‐storage capacity remains about 674 mAh g^?1. Utilized as sodium ion battery (SIB) anode, the rate capacity still reaches up to 366 mAh g^?1 at 3.0 A g^?1, much larger than that of Sb₂S₃. Obtaining the full cell of Ni–Fe Prussian blue analog versus M‐Sb₂S₃@DC, the reversible capacity is 330 mAh g^?1 at 0.5 A g^?1. Supported by kinetic analysis, the excellent rate properties are determined by the surface‐controlling behaviors, mainly resulting from the decreased capacitive resistance and improved ion moving. Furthermore, the reassembling evolution of active phases is revealed in detail by ex situ techniques. This work is expected to offer significant insights into interfacial evolutions toward advanced energy‐storage systems.     

基于阳极键合的硅微圆盘多环谐振陀螺的设计与制作

提出了一种新型的基于阳极键合的硅微圆盘多环谐振陀螺的结构设计及其制作方法.该种陀螺采用MEMS工艺制作而成,基底材料为肖特BF33玻璃,电极和谐振器均由单晶硅片加工而成,肖特BF33玻璃与单晶硅片通过阳极键合工艺键合在一起.介绍了该种陀螺的基本结构、工作原理,并进行了仿真分析,得出该种陀螺具有较小的频率分裂,表现出陀螺效应.最后,通过MEMS工艺进行了实际加工,得到了该种陀螺的实验样品.     

基于ANSYS仿真的阳极键合薄膜形变量的研究

阐述了一种利用阳极键合技术加工的光纤法布里-珀罗MEMS压力传感器的工作原理,建立了考虑阳极键合产生的热应力作用下边界固支的圆膜受外加压力的薄膜形变量公式.利用有限元分析软件ANSYS对与玻璃环键合后实际结构中的膜片在压力作用下的挠度变化进行模拟,采用麦夸特(Levenberg-Marquardt)算法对模拟结果进行拟合修正,曲线拟合度达99.99％,得到了键合后实际结构中硅膜在外加压力作用下的形变量拟合公式.修正公式的曲线与实际ANSYS模拟所得数据拟合曲线的误差小于0.01％.该研究对膜片型光纤压力传感器的结构参数设计和广泛应用具有重要的理论指导意义.     

Si-玻璃阳极键合失效机理研究

在采用Si-玻璃阳极键合技术制备微惯性传感器的过程中,实验发现键合圆片中心区域键合失效。通过对键合机理和工艺过程进行分析,认为湿法腐蚀工艺引入钾离子(K+)污染是造成键合失效的主要原因,也可以对键合失效现象给出合理的解释。改变工艺参数进行了键合对比实验,结果表明,未受K+污染的键合圆片没有发生键合失效现象。提出了解决键合失效问题的两种方案,并首次提出在Si片表面生长氧化层提高失效区键合强度的方法;从理论上分析了增加SiO2介质层的可行性。强度测试结果表明,在SiO2厚度为150nm时,键合剪切强度达到14MPa,验证了方案的可靠性。利用上述方法制备出微加速度传感器敏感结构。     

MEMS电容式超声传感器设计

在传统的电容式超声传感器(CMUT)制造过程中,用低压化学气相淀积技术形成的氮化硅薄膜残余应力大且机械性能难以预知。为此,设计了一种基于阳极键合技术的CMUT,传感器薄膜和空腔分别定义在均匀性好、残余应力低的SOI片和玻璃片上。建立了一个简化的分析模型对该结构进行机械性能分析,采用有限元分析软件ANSYS仿真验证该所建立的分析模型并预估传感器的性能。利用ANSYS静电 结构耦合仿真给出了塌陷电压。介绍了敏感单元的工艺流程。所设计的传感器频率为1.48 MHz,灵敏度为0.24 fF/Pa,塌陷电压为70 V,量程为48 kPa。     

基于混合电极两步键合工艺的阳极键合研究

提出了一种基于新型混合电极的两步键合工艺。阳极键合工艺是在自行设计的多功能键合系统中完成,分析了不同电极配置对键合时间,键合强度以及键合界面的影响,并详细分析了键合界面和键合强度。借助于新型混合电极结构,能够在15-20min内实现无气泡晶圆级阳极键合,其键合强度高于10MPa。 以上结果表明,该种键合方法有非常好的应用价值,能应用于绝大多数晶圆级MEMS封装。     

Revealing the Various Electrochemical Behaviors of Sn4P3 Binary Alloy Anodes in Alkali Metal Ion Batteries

Sn₄P₃ binary alloy anode has attracted much attention, not only because of the synergistic effect of P and Sn, but also its universal popularity in alkali metal ion batteries (AIBs), including lithium-ion batteries (LIBs), sodium-ion batteries (SIBs), and potassium-ion batteries (PIBs). However, the alkali metal ion (A⁺) storage and capacity attenuation mechanism of Sn₄P₃ anodes in AIBs are not well understood. Herein, a combination of ex situ X-ray diffraction, transmission electron microscopy, and density functional theory calculations reveals that the Sn₄P₃ anode undergoes segregation of Sn and P, followed by the intercalation of A⁺ in P and then in Sn. In addition, differential electrochemical curves and ex situ XPS results demonstrate that the deep insertion of A⁺ in P and Sn, especially in P, contributes to the reduction in capacity of AIBs. Serious sodium metal dendrite growth causes further reduction in the capacity of SIBs, while in PIBs it is the unstable solid electrolyte interphase and sluggish dynamics that lead to capacity decay. Not only the failure mechanism, including structural deterioration, unstable SEI, dendrite growth, and sluggish kinetics, but also the modification strategy and systematic analysis method provide theoretical guidance for the development of other alloy-based anode materials.