微波介电陶瓷与钙钛矿型化合物

综述了各类钙钛矿型微波介电陶瓷、微波介电特性及其影响因素，特别对复合钙钛矿型微波介电陶瓷进行了分析。通过选择不同的金属离子和不同离子配比可得到各种钙钛矿型化合物。形成钙钛矿型固溶体是制备所需性能的常用手段之一，添加少量其它元素是调节介电性能的有效方法之一。晶体结构，微观缺陷是影响介电性能、特别是介电损失最敏感的因素。     

噻吩类杂环化合物抗白色念珠菌药敏研究

针对钯催化偶联反应合成的一系列新型噻吩类杂环化合物,采用滤纸片和平板培养法研究其抑菌活性。结果表明,实验中噻吩类化合物样品对白色念珠菌作用显著,最低抑制质量浓度（MIC）分别为25和50mg/L。     

钛酸锶钡陶瓷的结构及介电规律研究

采用冷压陶瓷技术制备了(Ba1-xSrx)TiO3(x=0.15,0.20,0.25,0.30,0.35)陶瓷.研究了烧结温度的提高对陶瓷结构及介电规律的影响.研究表明:30℃烧结温度的提高使该系列陶瓷能在x=0.35后从四方相进入立方相.介电峰移动率为-3.2℃/%Sr.x=0.35样品的介电峰发生在室温附近,室温介电常数在8 000左右,室温介电损耗降至0.04以下,适合于高介电材料的应用.     

铈掺杂钛酸铋陶瓷铁电与介电性质研究

采用固相烧结工艺制备了铈(Ce)元素掺杂钛酸铋(Bi4Ti3O12)材料构成Bi4Ti3-xCexO12(x=0,0.015,0.03,0.06)铁电陶瓷材料并研究其介电以及铁电性质.晶格常数随着掺杂浓度的变化,意味着Ce4+/Ce3+对A位和B位的掺杂,明显提高了钛酸铋铁电陶瓷剩余极化强度,并且Bi4Ti3-xCexO12铁电陶瓷的介电损耗随温度的变化比一般的B位等电价离子取代的情形更加平缓.     

碳纳米管中氢等离子体的介电特性及微波吸收机理研究

运用双流体理论和唯象模型,导出了碳纳米管中氢等离子体的复介电常数和微波吸收系数,构建了铁催化高压歧化生成的碳纳米管中氢等离子体的微波吸收模型,从理论上证明了铁催化高压歧化生成的碳纳米管氢等离子体中的带电粒子对微波产生的碰撞吸收是其主要微波吸收机理,揭示了铁催化高压歧化生成的碳纳米管对2.45 GHz的微波产生强烈吸收的物理机制.     

微波作用下氯化钠水溶液介电特性变化机理

实验研究发现,微波作用下的恒温氯化钠水溶液随着微波功率的增加,其复介电系数的虚部会发生明显变化从理论上分析表明,在微波场中极化水分子转动能级被激发将会引起质子定向移动和团簇氢键完好的概率变化而影响氯化钠水溶液电导率,进而造成其复介电系数虚部的明显变化。此现象应归属于微波的非热效应。     

介电材料间歇微波热过程三维模拟研究

微波能作为清洁可再生能源,应用在介电材料热过程时与传统加热方式相比具有高效、均匀、快速等优势.文中建立了基于多物理场耦合的理论三维数学模型,描述了含水介电材料间歇微波热过程.随着间歇微波热处理的进行,介电材料内的平均电场模增加,电场强度分布均匀性变好;平均温度增加,温度分布均匀性先变差然后趋于稳定;平均含水率减小,含水率分布均匀性变差,但含水率变异系数极低,因此,介电材料内水分分布均匀.此外,随着环境相对湿度或压力的增加,介电材料内部平均电场模减小,电场强度分布均匀性变差;平均温度增加,温度分布均匀性变好;平均含水率增加,含水率分布均匀性变好.比较环境相对湿度和压力对模拟结果的影响可知,环境压力对介电材料内电场强度和含水率的影响更为显著.     

聚氨酯/钛酸钡杂化材料及介电性质研究

通过溶胶-凝胶法制备了一种新型的聚氨酯/钛酸钡(PU/BaTiO3 )杂化材料--不同钛酸钡含量的聚氨酯/钛酸钡杂化材料.通过红外光谱(FTIR)、扫描电镜(SEM)和光电子能谱(XPS)等手段,考察了杂化材料的结构与性能;详细研究了溶胶-凝胶过程的机理以及微波辐射后杂化材料的介电性能.结果表明:通过溶胶-凝胶法制备的PU/BaTiO3杂化材料中PU和BaTiO3形成了较强的化学作用,而不是简单的共混;BaTiO3较均匀分散在杂化材料中,同时随着BaTiO3含量的增加,材料的介电常数也逐渐增加.指出了该研究在油气田领域的应用前景及意义.     

Tb在BaTiO_3陶瓷中的自补偿模式探索及介电性质

探索(Ba1-xTbx)(Ti1-xTbx)O3(x=0.05)陶瓷(BTTT5)的自补偿模式及介电性质.结果表明:BTTT5具有单相四方钙钛矿结构.Tb离子以Ba位Tb3+和Ti位Tb4+的混合价形式存在,Tb3+Ba-Tb3+Ti缺陷复合体的自补偿模式不能形成,且Ba空位和Ti空位缺陷共存.对BTTT5实现了介电温度稳定的X5S指标,并显示极低的介电损耗(tanδ0.02),是一个有前途的介电材料.     

CaCu3Ti3.95Zr0.05O12陶瓷的介电性质研究

CaCu₃Ti₄O₁₂(CCTO)陶瓷具有高介电常数,研究掺杂离子对其结构和性质的影响有助于理解并优化其介电性能。本文利用X射线衍射仪（XRD）研究了CaCu₃Ti_3.95Zr_0.05O₁₂(CCTZ)陶瓷的结构,并利用宽温宽频介电分析仪研究了其在不同温度下介电常数、弛豫、阻抗和电模量等性质。XRD结果表明,5%的Zr能够完全并入到CCTO晶格中;阻抗谱和电模量的分析表明,低温和高温范围内的介电弛豫分别与晶粒和晶界的电学性质密切相关。Zr掺杂造成晶粒激活能增大,而晶界激活能几乎不变。     

铌钴共掺杂钛酸钡陶瓷的介电温度稳定性的研究

采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(RS)、原子力显微镜(AFM)以及介电温谱(DTC)研究BaTiO3-xNb2O5-0.005Co2O3(x=0.02,0.04,0.08)系统中Nb含量变化对陶瓷的结构及介电温度稳定性的影响.结果表明:增加Nb含量将增强介电陶瓷的温度稳定性,但介电常数降低.Nb含量在4%以上时NC陶瓷满足X7R介电指标.     

渠道衬砌混凝土介电特征研究及工程应用

为构建南水北调东线调水渠道衬砌混凝土介电常数模型,实现基于探地雷达(GPR)技术的混凝土厚度、含水量和强度量化检测,参考两种普遍采用的渠道衬砌混凝土配比制作不同尺寸和组分试块,利用GPR反射波测量试块介电常数,研究介电常数随龄期变化特征。研究结果表明渠道衬砌混凝土相对介电常数在短龄期内符合线性模型,完全失水凝固后符合CRIM模型;混凝土电磁波速整体随含水量增大呈指数降低,但在浇筑后的6~14 d,对应混凝土实际体积含水量7%~12%阶段,含水量变化不会引起电磁波速明显变化,这一过程和水分丧失形式相关;虽然混凝土电磁波速和超声波速非唯一对应,但仍可评价混凝土层平均抗压强度。这些新认识在穿小清河混凝土输水箱涵浇筑质量GPR检测解译解释中得到应用,表现出良好的适用性。     

一种烯基封端的稠环噻吩合成及光电性质研究

稠环噻吩是有机光电功能小分子中非常重要的结构单元,以十七烷基侧链取代的稠环噻吩为中心结构,通过过渡金属催化的Stille交叉偶联反应引入苯乙烯封端基团,简单高效地合成了一种新的带有烯基封端基团的侧链十七烷基取代的四并噻吩分子.利用核磁共振氢谱对产物结构进行表征,同时采用热重分析、紫外-可见光吸收光谱、荧光发射光谱及电化...     

PZT9505型陶瓷介电谱表征

通过对溶胶-凝胶法制备的PZT9505陶瓷进行介电谱测试,包括介电温度谱,介电频谱,同时测量其漏电流偏压关系曲线,结果显示:溶胶凝胶方法有利于精确控制材料组分,样品介电常数较大(103~104量级)且在较大温度范围内比较稳定,优越于传统固相合成方法,在电工频率范围内存在压电效应,有利于工业应用,样品的介电弛豫不是典型德拜弛豫,属于极化弛豫的多体模型.     

宽频介电谱仪热激励去极化电流功能研究

利用宽频介电谱仪拓展热激励去极化电流模块测量介质材料的TSDC操作简单实用,它不仅容易把材料中的各种不同活化能或弛豫时间的荷电粒子区分开,并且能从TSDC谱中直接得出被测材料的介电性能以及相关微观参数,这为研究材料内部机理提供了一条捷径。     

介电老化的分形研究

提出了导电裂纹长大的随机模型．该模型为研究分形电老化模式提供了一个概念性框架，在这一理论框架内．形成分形电老化结构是随机涨落长大和外加电应力强化确定性长大相互竞争的结果．本文还给出了在介电老化过程中产生分形结构的充要条件．     

Ho3+离子在BaTiO3陶瓷中自补偿模式探索及反常介电性质

采用冷压陶瓷技术制备(Ba_1-xHo_x)(Ti_1-xHo_x)O₃（简称BHTH）陶瓷. 通过X射线衍射（XRD）、电子顺磁共振（EPR）和介电温谱技术研究了BHTH陶瓷的结构、位占据和介电性质. 结果表明：Ho³⁺离子在BaTiO₃陶瓷中能够形成自补偿模式,且具有轻微的Ba位占据倾向. 在BHTH陶瓷中,固溶度为x = 0.03. BHTH陶瓷的介电行为表现出一个反常现象：随着x从0.01增至0.03,居里温度TC向高温移动,即T_C从128℃升到131℃. BHTH晶体结构的四方度（c/a）随着x增加是T_C向高温移动的主要原因.     

聚3,4-二辛氧基噻吩的制备及电致变色性能研究

采用亲核取代和醚交换反应合成了双烷氧基取代噻吩,并由电化学氧化聚合方法制备了能溶于一般有机溶剂的共轭聚合物——聚3,4-二辛氧基噻吩。用红外光谱、核磁共振氢谱、紫外可见光谱、循环伏安法、光谱电化学法等测试手段和方法研究了聚合物的电化学氧化还原性能和电致变色性能。结果表明：所得聚合物薄膜具有稳定可逆的氧化还原性能和电致变色性能;其氧化还原电位在630～900mV之间,其还原态可见光谱在450～650nm之间出现三重峰特征;聚合物薄膜还原态呈透明紫色,氧化态呈浅蓝色,600nm处最大对比度为18.1％。