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对贝尔实验室微波砷化镓场效应晶体管放大器在液氮制冷(78°K)下4千兆赫的噪声温度已进行了测量,得到的最佳噪声温度大约是30°K(0.4分贝的噪声系数),而4千兆赫下噪声温度的室温值是152°K(1.8分贝)。 相似文献
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场效应晶体管正在迅速地成为低噪声放大器(特别在 C 波段以上)的“首席候选者”。本文介绍4~8千兆赫6分贝增益平衡放大器的设计。 相似文献
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本文介绍一个在一般环境下使用的三级1.42GHz(千兆赫)低噪声砷化镓场效应晶体管放大器的特性、参数及应用。对于从事该方面研究的工程技术人员有一定参考价值。 相似文献
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本文叙述一种工作在13K、使用源电感反馈的三级砷化镓场效应晶体管放大器。在1.2-1.7千兆赫频带里,该放大器噪声温度小于10K,输入反射损耗大于15分贝。 相似文献
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微波晶体管是六十年代中期发展起来的新型微波半导体器件之一。它包括双极晶体管和场效应晶体管两种类型。微波双极晶体管主要用在5千兆赫以下的频段,而砷化镓场效应晶体管的工作频率已经超过18千兆赫。微波晶体管放大器与其它微波放大器(行波管放大器、参量放大器和隧道二极管放大器)相比较,具有频带宽、相位特性的线性度好、噪声系数小、动态范围大、工作稳定性好、便于级联获得高增益、电路简单、体积小、重量轻等优点。因此,它完全取代了行波管放大器、隧道二极管放大器在接收机前端中的地位,在某些情况下还能取代参量放大器。现时,微波晶体管 相似文献
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据讯,美国IBM研究实验室研制了一种在目前来说频率最高的高频晶体管化放大器和振荡器。为了获得14~18千兆赫下的性能,该实验装置应用了砷化镓肖特基势垒场效应晶体管。这些晶体管IBM公司称之为金属-半导体-场效应晶体管(MESFET),它们在15千兆赫下具有8分贝的增益。用这类晶体管制成的三级放大器在16.9千兆赫下的功率增益为6 相似文献
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砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管期待作为几千兆赫以上具有优良性能的微波放大器件,一些单位都在积极开展研究。然而目前只有少数的硅双极晶体管在6千兆赫以上实现了比较优良的性能,已有几家市售产品,然而考虑到将来砷化镓场效应晶体管大有希望,可能取而代之。另外,使用砷化镓场效应晶体管的各种微波仪器的研究也极其活跃起来,预计不久将来,使用砷化镓场效应晶体管的 X 波段低噪声放大器将实用化,它必将取代过去所用的低噪声行波放大器(TWT)。 相似文献
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实现了具有电抗补偿器和分节阻抗变换器的砷化镓场效应晶体管放大器,并对其特性作了测量。砷化镓场效应晶体管的输入和输出阻抗的虚部用电抗补偿器转换成任意电阻,然后再用分节阻抗变换器转换成50欧姆特性阻抗。对于采用 f_(max)-15千兆赫砷化镓场效应晶体管的放大器,在6.5千兆赫时得到2千兆赫1分贝带宽和5分贝的增益,且其值大致与计算值相符。己实现7分贝的噪声系数。 相似文献
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本文叙述的固体微波放大器所用的基本元件是肖特基势垒场效应晶体管,称为金属—半导体场效应晶体管(MESFET),在高达12千兆赫的频率下具有稳定功率增益。本文主要讨论了 G 波段放大器的电路分析、设计参数和测试结果。 相似文献
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现在,微波晶体管,硅双极晶体管已开始广泛地用来做4千兆赫下低噪声和功率等各种放大器。由于晶体管放大器和其他结构的放大器相比,具有许多优良的性质,可望研制在更高频率下具有低噪声,高增益、高输出功率等特性的晶体管。然而,硅双极晶体管的特性目前已大致接近其极限,作为其代替者,GaAs肖特基势垒场效应晶体管(GaAsSBEET或GaAsMESFET)近年来引起人们极大的注意。自Mead(1966)提出了GaAsFET,Hooper(1967)等人确定了其作为微波晶体管的可能性,到Drangeid(1970)等人试制了最高振荡频率为30千兆赫的器件,这段时间为该器件作为微波晶体管的试制期。到1972年,Liecht等人成功地制 相似文献
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本文介绍C波段低噪声场效应晶体管放大器的初步研制结果。采用国产CX-50型砷化镓场效应晶体管。通过对晶体管S参数和噪声参数的测试进行电路设计。制成两级级联放大器作为接收机低噪声前端,实现了5公分频段的指标是:(包括前置限幅器、隔离器和后置接收机噪声在内的)系统噪声系数4.0分贝,放大器增益14分贝。文中并简介放大器承受射频脉冲功率的实验情况,以及与雷达使用有关的若干指标的初步测试结果。 相似文献
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为了低噪声的应用,研制了一种具有亚微米发射极宽度的微波双极晶体管的新型结构。叙述了这种晶体管的噪声和增益性能,并与以前的低噪声晶体管进行了比较。这种晶体管用于单级和三级的集成S波段放大器时,其最小噪声系数分别为1.9分贝和3.0分贝。介绍了这些放大器的设计和性能。三级放大器是为工作于3.1~3.5千兆赫的S 相似文献
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本文围绕晶体管宽频带放大器的设计,简单介绍了晶体管的性能。讨论了晶体管宽带放大器的两种设计方法。通过管芯载体以及π型高通匹配电路的应用,研制出10~1000兆赫低噪声宽频带集成晶体管放大器、20~2000兆赫集成宽带晶体管放大器和2000~4000兆赫集成宽带放大器。给出了性能指标。 相似文献