室温离子液体在色谱中的应用

近来室温离子液体广泛应用于分析化学的各个领域．就近年来咪唑类室温离子液体在气相色谱、液相色谱、胶束电动色谱、毛细管电泳等色谱分析中的应用研究进行综述．     

PECVD淀积工艺及室温NO_x气体传感器

本文介绍了用PECVD技术淀积NO_x敏感的工艺,并对典型工艺参数条件进行了讨论。我们淀积的这种NO_x敏感膜,不仅在旁热情况下对NO_x敏感,而且在室温条件下也能对NO_x气体敏感。最后,我们对室温NO_x气体传感器的一些重要性能指标进行了研究。     

建筑群室温监测系统的构建与运行

为了既能保证房间的舒适性又能减少供热过程不必要的热量浪费,针对集中供暖建筑群研发了一种室温监控系统.该系统通过无线基站的发射/接收来收集监测数据,通过互联网来集中传输数据,通过基础数据库与终端监测软件来显示记录数据.通过集中这些技术的优势,兼顾了建筑群分布范围、终端监控电脑的位置、通讯成本、施工可行性等因素的影响.安装与运行实践表明:该系统的运行成本和安装成本都比较低,便于工程实践中的推广;该系统可以即时显示建筑群内各室温的变化情况并保存其历史记录;从室温数据的变化情况还能直接反映热量调节过程.因此本系统的开发,为集中供热的节能以及房间温度的局部调节提供了技术保障.     

纳米CuO的室温固相制备工艺研究

采用室温固相制备前驱物再热处理和室温一步固相法两种方法制备纳米CuO.室温固相制备前驱物再热处理的方法以Cu（CH3COO）2·2H2O和H2C2O4·2H2O为原料,通过室温固相反应制备前驱物,再对前驱物进行热处理制备产物,研究了研磨时间、热处理温度及时间对产物的影响;室温一步固相法以CuCl2·2H2O和NaOH为原料,以PEG-400为表面活性剂,通过室温固相反应制备产物,研究了PEG-400用量对产物的影响.通过XRD对产物进行表征.结果表明：室温制备前驱物再热处理的方法制备的纳米CuO产率高,平均粒径小,最好的制备工艺为：对反应物研磨30min,将得到的前驱物在350℃热处理1h,得到的纳米CuO平均粒径为27.06nm,产率为93.16％.     

常温激发热催化降解低密度聚乙烯膜

以低密度聚乙烯为膜材料基质,添加合成的热敏催化剂,吹膜制得高分子降解膜。在环境热刺激的响应下,用SEM、AFM、GPC和FT-IR对膜进行表征,研究了其热催化降解过程。结果表明,在环境条件下60d后,高分子膜表面确实被热催化反应所破坏,表面粗糙度分别由处理前的3.4nm与3.7nm变为降解后的78.9nm与81.3nm。与空白组对比,高分子膜的平均分子量出现了显著下降。此外,监测到高分子膜降解过程中化学基团的变化,特别是降解以后出现在1 713cm-1处的羰基吸收峰,并提出相应可能的降解机制。上述试验证据证明了一个颇具潜力的降解途径,通过常温激发来实现高分子膜降解。     

室温铁磁性蒲公英状氧化锌的制备及生长机理研究

以锌粉、醋酸锌和氢氧化钠为原料,采用水热法制备出了具有结构性缺陷的蒲公英状ZnO。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、荧光光谱仪和超导量子干涉仪对产物的结构形貌和光学性能及磁学性能进行了表征,并对其生长机理进行了探讨。研究表明,蒲公英状氧化锌为六方纤锌矿结构,由许多顶端为锥尖形的棒自组装而成;其荧光本征发射峰在388nm处,属于激子跃迁发射。在波长450～492nm处所观察到的3个弱蓝光峰是由锌填隙原子中的电子到价带顶的跃迁所致;在波长492～580nm范围内出现的较为宽泛的绿光发射峰根源于电子从导带底到氧错位缺陷能级间的跃迁。蒲公英状ZnO中存在的结构性缺陷使得原本呈现抗磁性的ZnO具有了室温铁磁性,从而可作为一种稀磁半导体应用到自旋电子学领域中。     

常温固化耐高温酚醛树脂胶粘剂的研制

以钡酚醛树脂、改性环氧树脂、丁腈 - 40、聚乙烯醇缩丁醛和硅烷偶联剂为甲组分 ,复合多元胺类固化剂为乙组分 ,合成出常温固化的耐高温粘接剂。介绍了制备方法和粘接工艺 ,探讨了常温固化机理及耐高温性能     

锐钛矿型TiO2多孔薄膜的室温制备及其机理研究

为在低温条件下制备多孔性TiO2薄膜,采用具有锐钛矿晶粒的TiO2溶胶与苯丙乳液混合制得涂膜液,通过浸渍提拉法制备薄膜,利用甲苯选择性地将薄膜中的苯丙乳液粒子溶解去除,制备出锐钛矿型TiO2多孔薄膜.使用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)以及Zeta电位等分析测试方法对其制备机理进行了探讨.结果表明,TiO2溶胶与苯丙乳液混合后,陈化时间的延长有利于TiO2胶粒通过静电、氢键作用在苯丙乳液粒子表面形成吸附层,从而改变涂膜液的成膜性,形成较为密集、且均匀分布的岛状多孔结构,在此基础上经两次涂膜,即可获得具有致密孔洞的TiO2多孔薄膜     

金刚石车削表面微观形貌形成机理的研究

为了在超精密加工前预测并控制表面粗糙度,提出一种建立圆弧刃车刀金刚石车削表面微观形貌的几何模型的新方法,开发并编写了表面微观形貌的仿真程序,在程序中考虑了刀具几何参数、振动和最小切削厚度对已加工表面特性的影响,通过理论分析和试验研究确定了最小切削厚度与切削刃钝圆半径之间的关系,分析了影响已加工表面粗糙度的若干因素,并在仿真生成的表面微观形貌中成功地加入了随机振动信号,大量切削试验是在自行研制的亚微米CNC超精密机床上进行的,结果表明：利用所建立的表面微观形貌几何模型,能够预测金刚石车削加工将要获得的表面粗糙度。     

新疆喀拉喀什河金刚石找矿指示矿物--镁钛铁矿的研究

在新疆喀拉喀什河水系重砂矿物中,发现了大量钛铁矿,并找到了可作为寻找金刚石的指示矿物镁钛铁矿。研究表明：镁钛铁矿中MgO的质量分数高,Cr2O3较低,Fe2O3很低,即氧逸度很低,由此可推断该区很可能有金刚石寄主岩－金伯利岩或钾镁煌斑岩的存在,且含矿性为中等偏贫。个别镁钛铁矿残留有原生表面特征－翻卷凹片,晶面生长纹和双晶结合面等,结合水系特征和水动力条件,推测其搬运蹁10－50km,甚至超过50km。     

MA制备GdSiGeDy合金系室温磁制冷性能研究

机械合金化(MA)是一种材料固态非平衡加工新技术.本文主要探讨稀土元素Dy在机械合金化工艺条件下对磁制冷合金GdSiGe磁熵变的影响,发现用机械合金化制备的GdSiGeDy合金系室温磁制冷材料不仅有光滑的磁熵变曲线,而且研究表明,由于元素Dy的加入在磁熵变达到单质Gd的两倍情况下大量减少使用昂贵元素Ge的结果,具有明显经济效益.     

离子液体萃取水中铜离子的研究

研究了3种不同阳离子取代基咪唑类离子液体:1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐([Bmim]PF₆)、1-己基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐([Hmim]PF₆)、1-辛基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐([Omim]PF₆)作为萃取剂对水中Cu²⁺的萃取能力,并与传统有机溶剂四氯化碳(CCl₄)的萃取效果进行了对比.研究发现,上述离子液体本身对水中铜离子萃取能力很低,但加入螯合剂双硫腙后,萃取率可由原来的2.1%提高到93.1%,而且离子液体-双硫腙体系较四氯化碳-双硫腙体系有更高的萃取率;研究表明,随着离子液体咪唑阳离子取代烷基碳链长度的增加,其萃取效率逐渐下降;考察了溶液温度、pH值、萃取时间以及盐效应对萃取效率的影响,结果表明:温度对该萃取体系影响并不显著;当萃取时间大于6 min时,萃取基本达到平衡状态;溶液pH的变化对离子液体萃取体系的影响较大,酸性条件时萃取率较低,当pH>10时,萃取率均大于90%;盐度增加会降低离子液体萃取体系对水溶液中铜离子的萃取效率.     

单晶金刚石晶体的机械研磨

为研究单晶金刚石晶体机械研磨过程中表层材料的去除机理,首先从理论上分析了单晶金刚石晶体在机械研磨过程中表层材料发生塑性变形的临界条件,并利用原子力显微镜对研磨后的（110）晶面和（100）晶面进行观测,发现两个晶面沿易磨方向〈100〉和难磨方向〈110〉研磨时的研磨表面都存在塑性变形后的纳米沟槽,表明表层材料实现了望性方式去除,但在相同的晶面和扫描范围内,沿易磨方向研磨的表面塑性沟槽数目少,表面波纹明显;而难磨方向的研磨表面塑性沟槽数目多,所获得的表面粗糙度低,对（110）晶面和（100）晶面各个研磨方向的最大塑性沟槽深度比较的结果表明,两个晶面的最大塑性沟槽深度具有显著的各向异性。     

金刚石对顶砧上样品厚度的测量方法

金刚石对顶砧装置中的样品厚度的测量问题一直受到人们的关注,由于金刚石和垫片的形变使得问题的解决非常困难.介绍了一种用于测量金刚石对顶砧实验中样品厚度的方法,该方法基本上解决了这一问题.该方法基于两个假设而提出的:封压垫片的形变是完全塑性的;金刚石的形变是完全弹性的.实验证明,这种方法在很大程度上消除了金刚石和垫片的形变所带来的样品厚度测量的误差.利用此方法,我们测量了氧化铝样品的厚度,压强达到了41.4GPa,并取得了满意的结果.     

溶胶—凝胶法制备Fe掺杂In2O3薄膜的室温铁磁性

采用溶胶-凝胶法以(普通)玻璃为基底制备了摩尔分数为10?掺杂In2O3的透明薄膜.分别用XRD、FE-SEM、UV-Vis和VSM对样品结构、形貌、透过率和磁性进行表征.XRD结果表明样品衍射峰为立方In2O3结构,无其它相.SEM图谱清晰说明薄膜致密,晶粒约为14 nm且分布均匀,无团聚现象.UV-Vis光谱测得样品在可见光内透射率高于80%,且Fe掺杂引起光学吸收谱红移.VSM结果表明样品具有室温铁磁性.     

采用石墨碳源沉积金刚石薄膜

采用固相石墨为碳源，使用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法，在Si(111)上沉积高质量的金刚石薄膜。研究了在气相碳源浓度处于不饱和状态时，沉积气压和石墨温度对生长速率的影响。利用SEM，XRD，红外光谱分析薄膜表面形貌和质量。结果表明高质量的金刚石薄膜可在H2激发而生的封闭的等离子体气氛下合成，高的有沉积气压和石墨温度会导致高的气相碳源浓度，从而有利于提高薄膜的生长速率，而低的气相碳源浓度有利于沉积薄膜的质量的提高。     

机械法研磨CVD金刚石厚膜

柱状生长的CVD金刚石膜生长面非常粗糙,并且粗糙度随着膜厚的增加而增加,限制了它的应用,必须对其抛光.本文采用了机械研磨法来研磨CVD金刚石厚膜,研磨速率达6.1 μm /h,厚度去除了36.9 μm,粗糙度Ra从5.9 μm降至0.19 μm.     

机械法研磨CVD金刚石厚膜

柱状生长的CVD金刚石膜生长面非常粗糙，并且粗糙度随着膜厚的增加而增加，限制了它的应用，必须对其抛光,本文采用了机械研磨法来研磨CVD金刚石厚膜，研磨速率达6．1μm／h，厚度去除了36．9μm，粗糙度Ra从5．9μm降至0．19μm．