天然金红石微晶相变与形变的透射电镜研究

天然金红石晶体作为一种在超高压变质岩中常见的矿物，其粒度微小、变体丰富、结构缺陷复杂多样，包含极其丰富的岩石演化信息，已引起地质学界的广泛关注。目前，国内外众多学者为得到明确完整的超高压变质岩的演化机理及其过程，应用现代测试技术与方法从不同角度对金红石晶体的结构特征和形成机理进行研究和分析。为进一步了解中国大别-苏鲁超高压变质带的演化过程，我们主要对安徽大别地区的天然超高压变质岩矿物-金红石的相变、形变及晶畴结构特征等进行了透射电镜（TEM）研究。     

榴辉岩中金红石的微量元素电子探针分析

金红石作为俯冲带变质岩（如榴辉岩）中容纳和控制高场强元素，特别是Nb、Ta元素配分的重要矿物一直受到许多地质学家的重视。Nb、Ta及其他高场强元素被广泛应用于作为地质过程和地球模式的指示剂，其地球化学行为在俯冲带地质作用及壳-幔相互作用的研究中具有重要的指示意义。近年来的研究还发现，金红石中的一些微量元素如Nb、Cr、W的含量与其原岩有继承和对应关系，具有原岩指示意义，可用于判断其原岩类型，即金红石的矿物化学在沉积岩的物源区研究及变质岩的原岩判别中也有重要的示踪作用。此外，最新研究表明，金红石中的zr元素含量与其形成温度有良好的线性关系，Zr元素含量可作为金红石形成温度的温度计，这样就有可能通过对不同变质阶段生成的金红石分别测量其Zr元素含量计算其形成温度以反演变质岩的变质演化P-T-t轨迹。     

大别山榴辉岩中发现的Ti^0、Fe^0和FeTi合金相及其结构的确定

在中国大别山榴辉岩中,发现了金属钛(Ti0)、金属铁(Fe0)和铁钛合金,它们均以石榴石包体的形式产出。经TEM研究测量确定它们分别为:(1)Ti0属四方晶系,a=b=0·4263nm,c=0·2734nm,α=β=γ=900;(2)Fe0属面心立方晶系,a=b=c=0·7839nm,α=β=γ=900;(3)铁钛合金为面心方晶系,a=b=c=0·739nm,α=β=γ=900。钛和铁(特别是Ti0)是化学活泼性极高金属元素,极易与氧、氢、氮和碳等元素形成化合物。这是首次在柯石英榴辉岩中发现金属相组合(自然钛(1)、自然铁和铁钛合金)。在自然界很少见到自然铁和自然钛。特别是自然钛的出现更是罕见。自然铁常…     

硬玉石英岩后成合晶矿物的显微构造研究

大别山高压超高压变质带的研究 ,已成为国内外地球科学研究的热点之一 ,并取得了一系列重要成果。但对大别非基性高压超高压硬玉石英岩矿物(如硬玉、石英、石榴石及金红石等 )的显微构造及超微结构的研究是一个薄弱环节 ,特别是对硬玉石英岩中由硬玉和石榴石退变质作用形成的后成合晶或后成合晶冠状体矿物 (如斜长石、绿闪石、霓辉石及金属矿物等 )的研究更少。该类后成合晶矿物中的化学成分及结构状态分布的非均一性、晶体缺陷及变形构造等复杂的地质特征能为揭示超高压变质岩的形成环境、变质变形作用及构造演化等提供重要信息。本项工作…     

陕西省平利县朱家院碱性岩中易解石矿物学研究

利用电子探针分析,背散射形貌分析和元素面分布及定量分析等手段,对陕西省平利县朱家院碱性岩中的易解石进行了研究。结果表明:朱家院碱性岩中易解石主要有不规则粒状和细脉状两种产状,粒状易解石粒径在10~100μm,常与金红石、钠铁闪石等矿物伴生;脉状易解石切割脉状褐帘石,显示脉状易解石为后期形成。两种易解石中Nb,Ta,Ti,Ce,Nd等元素分布均均匀;稀土含量相对较高,有富轻稀土,贫重稀土的特征,其中Ce和Nd的含量高。脉状易解石中Nb,Ta含量高于粒状易解石,Ti含量低于后者;根据成分确定,脉状易解石为铌易解石,粒状易解石为易解石-铌易解石过渡型。     

α—PbO2型TiO2纳米晶微结构的HREM研究

TiO2是一种具有广泛应用前景的氧化物材料,其结构及相关的物理化学特性一直是实验和理论研究的焦点.常温常压下TiO2可以以四种形态存在,即锐钛矿、金红石、板钛矿和α-PbO2型.其中属四方晶系的金红石是最稳定的,其它几种形态在高温下都将转变成金红石.板钛矿和α-PbO2型TiO2都属正交晶系,但前者只是以亚稳相的形式存在,而后者则是一种高压淬火相.α-PbO2型TiO2可以在0.8到10.0GPa的压强下形成,其晶格参数为a=4.55、b=5.46、c=4.92[1].     

金红石型纳米TiO2的液相激光烧蚀合成

利用浸入聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)水溶液中的金属钛片为靶材,采用1064nm红外脉冲激光进行液相激光烧蚀制备了金红石型纳米TiO2。应用XRD、TEM、HRTEM和Raman对产物进行表征,并对其形成机理进行了探讨。结果表明:金红石型纳米TiO2可通过液相激光烧蚀法在室温下一步合成,颗粒平均粒径约50nm,尺寸分布比较窄,分散性较好。脉冲激光诱导的瞬间等离子体可能是金红石型纳米TiO2形成的主要原因。     

Ta掺杂钛酸镧陶瓷的铁电和介电性能研究

采用传统固相反应法制备La2Ti2-xTaxO7(Ta摩尔分数x=0、0.1、0.2、0.3)陶瓷,对其晶体结构、表面形貌、铁电性能和介电性能进行了研究,实验结果表明,Ta掺杂La2Ti2O7陶瓷,Ta5+取代B位的Ti4+,形成La2Ti2-xTaxO7固溶体,提高钛酸镧陶瓷的铁电和介电性能,在x=0.2时,La2Ti2-xTaxO7陶瓷的铁电性能和介电性能达最大值(剩余极化强度Pr=0.3 μC/cm2,介电常数εr=5 600).同时研究发现该陶瓷在高频区性能稳定.     

Sr/Ti及TiO_2晶型对SrTiO_3陶瓷性能的影响

在一定范围内变动锶钛摩尔比r(Sr/Ti)仍然可以得到性能良好的SrTiO3晶界层电容器,但施主添加物Nb2O5、La2O3及烧结剂SiO2的加入量应作相应变动。当r(Sr/Ti)=1时,Nb2O5与La2O3以等摩尔比加入为佳;当TiO2过量时Nb2O5宜减少;而当SrO过量时则La2O3应减少,并适当增加SiO2。r(Sr/Ti)在0.994~0.998时粉料有比较合适的松装密度,烧成试样有较低的电阻率(0.2~0.3 Ω·cm),晶粒尺寸为40~50 mm且比较均匀,氧化处理后瓷片有较理想的综合介电性能:er = 55 000~68 000,tgd <1?02,r50v >5?010 ·cm,VB(DC)≈600 V/mm,|腃·C1| (25~+125℃)<10%。相对于金红石相(R),锐钛矿型(A)TiO2与SrCO3的反应活化能更低,可以不经过SrCO3分解过程而在较低温度下直接合成SrTiO3。固相反应机理的差别导致瓷体微观结构差异,在调整r(Sr/Ti)的同时调整TiO2原材料中的金红石相(R)与锐钛矿相(A)之比可得到更理想的晶界层电容器瓷体。     

SiO2/Ta界面反应及其对铜扩散的影响

利用磁控溅射方法在表面有SiO2层的Si基片上溅射Ta/NiFe薄膜,采用X射线光电子能谱(XPS)研究了SiO2/Ta界面以及Ta5Si3标准样品,并进行计算机谱图拟合分析.实验结果表明在制备态下在SiO2/Ta界面处发生了热力学上有利的化学反应:37Ta+15SiO2=5Ta5Si3+6Ta2O5,界面处形成更稳定的化合物新相Ta5Si3、Ta2O5.在采用Ta作阻挡层的ULSI铜互连结构中这些反应产物可能有利于对Cu扩散的阻挡.     

Application of model of mixture of probabilistic distributions for definition of the signals of radiophysical probing

The article describes a model representation of radar probing data in form of a mixture of background and target samples, which is the sum of two random variables with very different parameters. For model development we research the behavior of the central moments of the distribution mix without assuming the distribution law form. An example it is described the detection of the signal at the output of compression system of chirp ionosonde.     

浅析IP网服务质量(QoS)

解决IP网QoS问题是目前通信领域的研究热点之一.虽然研究已经取得了一定的进展,但人们对于IP 网QoS本身的含义及相关的问题还有着不同的理解.本文将从IP网QoS的定义入手讨论相关的一些问题以及解决IP网QoS问题所做的各种努力.     

Interpretation of responses of visual cells of limulus

Assuming that visual responses are due to the action of particles on the membrane of the visual cells, the stochastic variability of the response should be a function of the number of particles producing it. Quantitative predictions can be made with the aid of a model proposed in previous articles. It is found that responses produced in visual cells of Limulus by absorption of a single photon have the stochastic properties which would be expected if the response to one photon were brought about by 25 particles. It is concluded from this that the processes leading to visual responses produce multiplication of particles. The effects of temperature and of metabolic poisons suggest that these processes are of chemical nature.     

NTRUsign式计算量分析

介绍了NTRUsign签名算法的密钥生成过程,其在实现的过程中需要进行上百位的大数运算问题,这些数字远远超出了普通电脑存贮范围。而要进行大数运算,就得用数组存贮,进行模拟运算,这就大大增加了运算量。文中分析了这个算法实现过程中的运算量,分析结果说明NTRUsign的运算量过大,以致实际并非一个实用算法。     

部分偏振光的表示方法

随着光纤通信和光纤传感的快速发展,人们时光的偏振态提出了越来越高的要求.光是一种横波,其偏振态大致分为:完全偏振光、部分偏振光和自然光.文中介绍了完全偏振光的几种表示方法,给出了几种部分偏振光的描述方法.并阐述了它们之间的差异与联系.     

Definition of function of squares amount of angular part of film element

By means of exact conformal mapping method we have defined character of dependence of squares amounts of angular part of film element on angled part dimension. We propose relations, approximating obtained dependence. Calculation results and experimental researches of large-scale models are represented.     

Temperature dependence of index of refraction of polymericwaveguides

The temperature dependence of refractive index of polymer films was determined for a number of slab waveguides by a grating coupling method. This dependence was examined as a function of parameters such as molecular weight and glass transition temperature of the polymer. Temperature-induced changes in N_TE-N_TM , N being the effective index, were studied systematically for different slab waveguide compositions. It is shown that with proper device design and choice of polymeric materials, thermal effects can be reduced     

电子行业标准制修订项目计划管理信息化的实现

论述了推进电子行业标准制修订项目计划管理信息化的必要性.并提出了具体措施;详细介绍了电子行业标准制修订项目计划管理数据库的设计思路和实现方法.阐述了对后续工作的几点思考.     

影响镀镍层内应力的因素及排除方法

对影响镍镀层内应力的因素做了介绍和分析,提出了对收缩应力的一种解释,提供了排除这些因素影响的方法,指出重视镀液的管理是减少各种影响内应力因素的主要办法。     

Differential method of analysis of luminescence spectra of semiconductors

A method for analyzing the luminescence spectra of semiconductors is suggested. The method is based on differentiation of the spectra. The potentialities of the method are demonstrated for luminescence in the region of the fundamental absorption edge of Si and SiGe alloy single crystals. The method is superior in accuracy to previously known luminescence methods of determining the band gap of indirect-gap semiconductors and practically insensitive to different conditions of outputting radiation from the sample.