分立器件

PNS40010ER:整流器恩智浦推出了PN整流器PNS40010ER,器件是采用FlatPower封装的二极管产品组合。这款400V、1A器件能够以标准开关时间支持高功率密度,并且采用小型SOD123W FlatPower塑料封装。通过使用高效率电源技术,它非常适合用于温度高达175℃的高温应用。由于斜切式砌合技术可承受高达32A的浪涌脉冲,所有的标准开关应用均可使用该项技术,无论是消费电子还是汽车应用。     

车载用内置绝缘元件的栅极驱动器

BM6103FV-C是内置绝缘元件的栅极驱动器,最适合作为电动汽车（EV）和混合动力车（HEV）逆变回路中IGBT以及功率MOSFET的驱动元件。其融合了罗姆独创的BiCDMOS技术与新开发的片上变压器工艺技术,作为内置了绝缘元件的栅极驱动器,     

BM6103FV-C：栅极驱动器

罗姆株式会社推出内置绝缘元件的栅极驱动器“BM6103FV-C”,适合作为电动汽车（EV）和混合动力车（HEV）逆变回路中IGBT以及功率MOSFET的驱动元件。本产品融合了罗姆独创的BiCDMOS技术与新开发的,片上变胜器工艺技术,内置了绝缘元件的栅极驱动器,有助于逆变器电路的小型化。     

分立器件

ZXMS6004FF:自保护式MOSFET Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列,推出小体积完全自保护式低压侧MOSFET。该ZXMS6004FF元件采用2.3mm×2.8mm扁平SOT23F封装,与正在使用的7.3 mm×6.7mm SOT223封装的元件相比节省了85%的占板空间。     

IR推出IRS44273L低侧栅极驱动IC

国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出采用SOT-23-5L高精密封装的IRS44273L低侧栅极驱动IC,能够有效提供高驱动能力。IRS44273L易于使用,为IGBT及MOSFET栅极驱动器提供简便的解决方案,可以在最小的电路板上,提供典型1.5A拉电流和灌电流能力、快速开关性能及集成     

产品汇总:分立器件

采用紧凑型SMD封装的5A肖特基桥CBRSDSH5-40是40V/5A全波桥式整流器,封装在一个表面贴装SMDIP外壳内。VF为0.37V,IR为40μA,该器件适合应用于各种固态照明和电源管理领域。与采用     

IR推出采用SOT-23-5L封装的IRS44273L紧凑型低侧栅极驱动IC

国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出采用SOT-23-5L高精密封装的IRS44273L低侧栅极驱动IC,能够有效提供高驱动能力。IRS44273L易于使用,为IGBT及MOSFET栅极驱动器提供简便的解决方案,可以在最小的电路板上,提供典型1.5 A拉     

影响IGBT器件短路能力的一种栅极振荡现象研究

功率器件IGBT由于其优异特性而广泛应用于电机、电焊机和功率开关等领域,是功率器件的主流产品之一。本文首先介绍了IGBT的短路特性及测试方法和条件,分析了栅极异常振荡对IGBT的短路电流的影响,提出了改善IGBT器件短路能力的方法。     

影响IGBT器件短路能力的一种栅极振荡现象研究

功率器件IGBT由于其优异特性而广泛应用于电机、电焊机和功率开关等领域,是功率器件的主流产品之一.本文首先介绍了IGBT的短路特性及测试方法和条件,分析了栅极异常振荡对IGBT的短路电流的影响,提出了改善IGBT器件短路能力的方法.     

数字器件

ADuM120xW/130xW/140xW:数字隔离器ADI推出ADuM120xW、ADuM130×W与ADuM140xW系列数字隔离器,采用专有的iCoupler数字隔离技术,以满足电子混合动力车的可靠性与质量需求,能工作在极具挑战     

碳化硅器件挑战现有封装技术

碳化硅(SiC)器件的新特性和移动应用的功率密度要求给功率器件的封装技术提出了新的挑战。现有功率器件的封装技术主要是在硅基的绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)等基础上发展起来的,并一直都在演进,但这些渐进改良尚不足以充分发挥SiC器件的性能,因而封装技术需要革命性的进步。在简述现有封装技术及其演进的基础上,主要从功率模块的角度讨论了封装技术的发展方向。同时讨论了功率模块的新型叠层结构以及封装技术的离散化、高温化趋势,并对SiC器件封装技术的发展方向做出了综合评估。     

高性能P沟道MOSFET器件

FDMA905P和FDME905PT是具有低导通阻抗的MOSFET,这些器件具有优异的散热性能和小占位尺寸,也非常适合线性模式应用dFDMA905P采用2mm×2mmMicro FET封装.     

在线研讨会——与最新的产品发展、解决方案和技术更新同步

利用智能栅极驱动光耦解决设计难题时间:2012-12-6绝缘栅极晶体管(IGBT)及其功率模块一直是太阳能逆变器、马达驱动和不间断电源(UPS)等大功率工业应用的首选开关器件,因而需要栅极驱动电路来提供优化驱动和保护功能。最近飞兆半导体开发出一款具有优化成本、高可靠性的IGBT驱动光耦产品     

恩智浦发布两种拥有0．65mm的行业最低高度的新2×2mm无铅分立封装

恩智浦半导体宣布推出两种拥有0．65ram的行业最低高度新2mm×2mm小信号分立无铅封装。通过具有良好的热性能和导电性的无遮蔽散热片，塑料SMD（表面封装器件）封装的使用寿命得到了提高，并提供3引线（SOT1061）和6引线（SOT1118）两个版本。新产品包括26款FET-KY、双P通道MOSFET、低VCesat晶体管和肖特基整流器，最高功耗Ptot2．1W。该性能大致与行业标准封装SOT89（SC-62）相当，但是只占用一半的电路板空间。     

Microsemi开发下一代高电压高功率射频器件

美高森美公司日前发布用于开发下一代高电压大功率系统的设计指南,这些系统以公司独有的数字射频系列混合模块为基础,广泛应用于半导体加工、LCD玻璃涂层、太阳能电池生产、光学器件及建筑玻璃涂层、有害气体处理、CO~2激光激发、MRI RF放大器、RF手术刀和感应加热等系统中。     

应用广泛的车用栅极驱动器

目前MOSFET和IGBT器件应用已延伸至汽车负载管理、功率逆变器、柴油/汽油喷油器、发动机阀和电机驱动器等方面,新能源汽车市场对车用栅极驱动器的需求正日益增长。内燃机(ICE)、混合动力汽车(HEV)以及电动汽车(EV)推动着新型功率半导体技术不断发展。无论是低压还是高压应用中的功率器件,都需要在运行频率逐渐增加的环境下工作,同时要有更强的抗干扰能力以及更高的效     

R2A25110KSP：智能型功率器件

瑞萨电子株式会社推出了隔离型IGBT驱动器的R2A25110KSP智能型功率器件,适用于电动和混合动力汽车功率逆变器。R2A25110KSP中融入了瑞萨电子公司新开发的微型隔离器隔离专项技术。这些技术可为汽车应用系统建立更可靠、更紧凑的系统。     

电源管理

LTC3869/-2:DC/DC控制器凌力尔特公司推出双输出达95%效率的同步降压型DC/DC控制器LTC3869/-2,当并联时可在通道之间提供良好的电流平衡。具有2mV检测电压最大失配,当两个输出并联时,能够在稳态和瞬变情况下,通道之间可保持优于±4%的电流失配。该器件可涵盖众多的应用,包括大多数中间总线电压和电池化学组成。1.1Ω内置栅极驱动器最大限度地降低了开关损耗,并允许采用高功率外部MOSFET以在0.6V～12.5V的输出电压条件下产生每通道25A的输出电流,采用SSOP-28封装。