真空断路器用CuCr触头材料的现状及展望

简要介绍了中、高压输配电系统中真空断路器（VCB）用CuCr触头材料的现状和发展,讨论了近年来在解决工程应用中因真空断路器小型化、开发低接触力真空断路器和高压用真空断路器等引发的触头材料接触熔焊问题以及如何应对市场降低触头产品价格的压力实现触头材料制造企业的可持续发展。     

真空断路器选用CuCr25触头材料比CuCr50触头材料优越的分析

一、前言真空灭弧室的小型化是国际上研究真空开关甚感兴趣的课题之一。据报道国内外除从事改进真空灭弧室的电极结构为目标外,还同时以开发新的触头材料的途径来解决真空灭弧室的小型化。在触头材料方面,目前研     

真空断路器用铜铬触头材料的研制

本文简要叙述了制造Cu—Cr合金的方法,并介绍了这种Cu-Cr合金触头通过10kV,31.5kA、40kA的全部型式试验,和成功开断了8次50kA的短路电流的情况。     

CuCr、CuCrFe真空触头材料

对采用混粉烧结、热等静压致密化工艺制取的CuCr、CuCrFe真空触头材料的电气性能进行了试验研究,探讨了CuCrFe合金的性能随Fe含量的变化情况。     

真空灭弧室CuCr触头材料发射率研究

真空灭弧室触头温度是影响其开断能力的重要因素之一,非接触式温度测量手段以其反应时间快,测量范围宽,测量精度高,不干扰等离子体分布等优点被应用于真空灭弧室触头温度测量中。触头材料发射率是材料本身的物性参数之一,也是非接触式温度测量中推算温度所需的基本参数之一,只有在测得材料发射率的情况下才能根据光谱强度推算出材料表面温度。本研究的目标是测量得到真空灭弧室6种常用触头材料Cu、CuCr(25)、CuCr(30)、CuCr(40)、CuCr(45)、CuCr(50)的发射率。利用黑体辐射参考源在中温黑体炉中进行光谱测量,检测波长范围从5~20μm,加热温度为400~800℃。得到测量波长在5~7μm范围内为发射率测量值最稳定,适合用于触头温度非接触式测量。测得5~7μm波长范围内上述6种触头材料在800℃时的发射率值分别为0.50、0.58、0.56、0.52,0.48和0.41。触头材料发射率随着材料表面粗糙程度的增加而增加;随着温度的上升触头材料发射率随之增加;铜铬合金触头的发射率会随着铬组分比例增加而下降。     

真空断路器用铜-铬触头材料

主要研究用Cr骨架熔渗法制备的CuCr触头材料掺入不同的少量元素后,对其电性能的影响,实验分析得到一些有价值的结论。     

真空电弧重熔法制造CuCr触头材料

介绍了用真空电弧重熔法制造CuCr触头材料的原理、重熔炉的结构和控制电弧长度的几种方法、在重熔制造过程中对真空度的要求和自耗电极参数的选择以及重熔法的优点和缺点,最后还阐述了利造CuCr合金触头材料的过程和应用范围。     

CuCr真空触头材料电特性的改善

对深冷处理引起的铜铬真空触头材料的组织变化进行了研究。深冷处理使铜铬触头材料组织细化,尤其是合金材料中铬相细化明显,结晶的合金组织有助于改善铜铬触头材料的电性能。     

CuCr触头材料在真空中的焊接倾向

将熔铸的Cu-30Cr、Cu-30CrZr、Cu-30CrTe和Cu-30CrZrTe合金以及混粉压制烧结的CuCr25粉末冶金触头材料等五种材料制成的试样,在Gleeble3500热模拟试验机上进行真空扩散焊接试验,随后在热模拟试验机上将试样在室温拉断,测量不同触头材料的焊接结合力和强度;使用光学显微镜和扫描电子显微镜观察焊接试样在室温拉断后的断口表面及纵向焊接界面附近焊接区域的显微组织。结果表明,五种触头材料的焊接结合力和强度从高到低依次为Cu-30CrZr、Cu-30Cr、Cu-30CrZrTe、CuCr25、Cu-30CrTe;这些材料的断口金相显示出不同的断裂机理。据此分析在相同的焊接工艺条件下,影响CuCr触头材料焊接结合力及焊接性的主要因素,并从材料学的角度探讨进一步提高现有CuCr触头材料抗熔焊性能的途径。     

小型断路器用AgWNi触头材料的研制

采用粉末冶金熔渗工艺制备AgWNi触头材料,研究了材料的烧结行为以及添加元素Ni对材料性能的影响。用Archimede法测量样品密度,并对材料的显微组织进行了分析。结果表明,Ni可有效改善Ag与W的润湿性,使材料获得较高的致密度。与AgW55材料相比,其相对密度可达到98%~99%(提高约1.23%),硬度提高14.48%,电阻率降低3.9%。     

CuCr真空触头材料的运行特性与机理

根据近年来国内外对真空触头材料的研究,阐明CuCr触头材料的运行特性与机理,供触头材料与真空灭弧室制造单位的工程技术人员参考。     

真空CuCr触头微粒的产生

介绍了CuCr触头在机加工后和开断额定电流后表面上产生的微粒对绝缘性能的影响,能更加深入地了解真空灭弧室中微粒产生的权理以及电流老炼的作用。对灭弧室生产厂家为改善灭弧室的耐压性能而进行各种处理的选择是十分有益的。     

国外真空断路器触头材料研究综述

本文通过检索到的专利文献总结了70年代中期以后国外真空触头材料的发展概况,新材料的出现有以下4个方面:1.改善Cu—Al—Bi机械性能的合金;2.改变Cu—Ce抗熔焊的新合金;3.提高Cu—Cr粉末冶金材料的耐压及开断能力的新合金;4.低涌流触头合金Co—Ag—Se。讨论了合金元素、热处理和定向凝固技术对触头材料性能的影响。     

影响CuCr触头真空断路器开合并联电容器性能的主要因素

利用激光散射技术,发现可以用微粒诱发击穿来解释真空断路器中偶尔发生的长延时重击穿的产生机理。     

纳米CuCr触头材料研究进展

纳米材料是当前材料科学研究的前沿,它的潜在优势和应用价值受到国内外研究者的密切关注。纳米CuCr触头材料由于其优异的综合性能,在真空开关上具有广阔的应用前景。本文介绍了纳米CuCr触头材料的制备工艺,比较了几种工艺的技术特点。综述了纳米CuCr触头材料在电性能研究上取得的进展,结果表明:纳米CuCr触头材料的截流水平、抗电弧侵蚀、抗熔焊性能和耐压能力等电性能优于常规CuCr触头材料。此外,探讨了纳米技术在CuCr触头材料中应用时存在的问题。     

真空发电机断路器用真空灭弧室触头电感分析

介绍了用合成回路测量真空灭弧室触头电感的方法,并进行了理论计算.计算结果与测量结果接近,说明测量方法可行、结果可靠.测试表明,本文中铁芯式两极纵磁触头对的等效电感为1.02μH,杯状纵磁触头对的等效电感为0.99μH.     

智能框架断路器用触头材料

介绍了应用于我国最新设计制造的智能框架断路器上的触头材料工艺研究试验。通过大量试验，制成了高性能预烧钨骨架银钨触头和银镍石墨触头．经大电流电弧烧损和电磨损模拟试验，确定了较佳的动静触头品种。经装机型式试验证明，采用AgW50／AgNi25C2非对称配对触头，满足了断路器的各项性能指标。短路分断能力达380V、65kA；660V，50kA。并具有显著的节银效果。     

智能框架断路器用触头材料

介绍了应用于我国最新设备制造的智能框架断路器上的触头材料工艺研究试验。通过大量试验，制成了高性能预烧钨骨架银钨触头和银镍石墨触头。经大电流电弧烧损和电磨损模拟试验，确定了较佳的动静触头品种。经装机型式试验证明，采用ＡｇＷ５０／ＡｇＮｉ２５Ｃ２非对称配对触头，满足了断路器的各项性能指标。短路分断能力达３８０Ｖ、６５ｋＡ；６６０Ｖ，５０ｋＡ。并具有显著的节银效果。