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借助一新的工艺模拟与异质器件模型用ＣＡＤ软件──ＰＯＳＥＳ（Ｐｏｉｓｓｏｎ－ＳｃｈｒｏｅｄｉｎｇｅｒＥｑｕａｔｉｏｎＳｏｌｖｅｒ），对以ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ异质结为基础的多种功率ＰＨＥＭＴ异质层结构系统（传统、单层与双层平面掺杂）进行了模拟与比较，确定出优化的双平面掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ异质结构参数，并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算，用于指导材料生长与器件制造。采用常规的ＨＥＭＴ工艺进行ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ的实验研制。对栅长０．８μｍ、总栅宽１．６ｍｍ单胞器件的初步测试结果为：ＩＤｓｓ２５０～４５０ｍＡ／ｍｍ；ｇｍ０２５０～３２０ｍＳ／ｍｍ；Ｖｐ－２．０－２．５Ｖ；ＢＶＤＳ５～１２Ｖ。７ＧＨｚ下可获得最大１．６２Ｗ（功率密度１．０Ｗ／ｍｍ）的功率输出；最大功率附加效率（ＰＡＥ）达４７％。 相似文献
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兆锋 《固体电子学研究与进展》1995,(1)
低压ＧａＡｓ功率ＦＥＴ据《ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ》１９９３年第１５期报道，日本松下电器工业公司已制成３．５Ｖ低压（与以前电源电压４．７Ｖ相比）工作的ＧａＡｓ功率ＦＥＴ。新产品的特点：（１）开发了ＧａＡｓ衬底表面缺陷较少的新工艺，上升电压... 相似文献
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ＳｕｎｓｅｔＯＣ－３型手持式ＳＯＮＥＴ测试仪ＳｕｎｒｉｓｅＴｅｌｅｃｏｍ公司于今年３季度推出供技术人员现场使用的ＳｕｎｓｅｔＯＣ－３型手特式同步光纤网络（ＳＯＮＥＴ）测试仪。该仪器虽只有３磅重、却具有台式仪器的能力,提供连接ＤＳ１、ＤＳ３、ＳＴＳ－１、ＯＣ－１、ＯＣ－３和ＯＣ－３Ｃ信号的接口。它能用于１．５４４Ｍｂ／ｓ～１５５．２Ｍｂ／ｓ的误码测试、全双工ＴＩ测试、视频信道呼叫建立和分析、综合业务数字网专用协议和ＧＲ－３０３协议分析。该仪器具有安装、验收和故障定位所需的常用功能。ＤＳＸＰＥＲＴ２… 相似文献
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为配合２０００门ＧａＡｓ超高速门列及ＧａＡｓ超高速分频器等２英寸ＧａＡｓ工艺技术研究，开展了２英寸ＧａＡｓ快速热退火技术研究，做出了阈值电压为０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和夹断电压为－０．４～－０．６Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。 相似文献
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