限定束流发射相图的方法

本文讨论了利用束流元件与狭缝限定束流发射相图的方法,并以偏转磁铁为例,说明了这种方法的应用。     

氢氦离子注入机的研制

本文介绍了正研制的氢氦离子注入机的结构和各部分的主要性能指标。它的最高能量为200 keV,可按一定比例同时用氢氦两种离子进行注入实验。该机经调试,各项主要指标已达设计要求,工作稳定可靠。     

全方位离子注入与沉积技术及其工业机的研制

全方位离子注入与沉积（Plasma immersion ion implantation and deposition,PIIID）技术发展到现在,已经逐步走向工业化应用。本文介绍了全方位离子注入与沉积技术的原理,探讨了全方位离子注入与沉积工业机应该具备的功能,介绍了研制成功的全方位离子注入与沉积设备的结构和实施效果,其脉冲阴极弧等离子体源沉积速率达到2.9（?）/s,IGBT固体开关调制器输出电压达到10 kV,能够一次处理多个工业零件。     

CG-100强流离子注入机

离子注入机经过20多年的发展,其主要技术指标已达较高水平。最近几年除了用于半导体掺杂的弱流机外,用于材料改性的强流机及用于超大规模集成电路研制的高能、超高能（MeV）注入机都有了较大的发展。     

400kV离子注入机光纤传输系统的改造

在对400kV离子注入机控制与测量信号传输系统的改造中,为解决在地电位与高电位之间信号的稳定传输问题,主要采用AD650模块代替RC4152模块进行V-F、F-V转换以简化外围电路,采用与1mm塑料光纤相匹配的T1521、R2521模块进行电-光、光-电转换。电路输入输出端使用电压跟随器以提高阻抗匹配和抗干扰能力。实验结果表明,改造后的光纤传输系统电压信号线性度好,可稳定工作。     

EM-1发射度仪

本文介绍一台根据双缝法原理研制成功的发射度仪。     

离子注入提高透明铁电陶瓷PLZT的光敏度

PLZT透明铁电陶瓷的某些组分有电光记忆特性,可利用其光铁电效应进行图象的记录和显示,但通常由于PLZT光敏区为紫外光区,且存像光能阈值大,限制了它作为存储介质的应用。本文介绍用离子注入方法提高光敏度。     

钼离子注入硅薄层硅化钼的合成

用大束流密度的钼金属离子注入硅,能够直接合成性能良好的薄层硅化物。随着束流密度的增加,硅化钼生长,薄层硅化物的方块电阻Ｒｓ明显下降,当束流密度为０．５Ａ／ｍ２时,Ｒｓ达到最小值９０ Ω,说明连续的硅化物已经形成。Ｘ衍射分析结果表明,注入层中形成了３种硅化铝Ｍｏ３Ｓｉ、 Ｍｏ５Ｓｉ３和ＭｏＳｉ２经过９００℃退火后, Ｒｓ下降至４Ω,电阻率可小到０．１６μΩ·ｍ,说明硅化钼薄层质量得到了进一步的改善。大束流密度注入和退火后,硅化钼优先生长有所不同。透射电子显微镜的观察表明,连续硅化钼薄层厚度为８０ｎｍ。     

轴对称离子束和带形离子束的相互转换

本文讨论轴对称离子束与带形离子束的相互转换问题,并以偏转磁铁为例子,说明其应用。     

100keV金属表面改性离子注入与混合两用机

叙述了１００ｋｅＶ金属表面改性离子注入与混合两用机的总体结构及各主要部件的技术参数。该机经过调试各项主要指标已达到设计要求，工作稳定可靠，已开始金属材料表面改性实验。     

用三梯度法测量束流发射度的研究

准确测量发射度对加速器束流的调制和性能的评估极端重要,本文介绍在HIRFL（兰州重离子加速器）现有设备基础上,利用三梯度法测量束流发射度的系统,讨论了测量原理和方法,以及测量中要注意的问题,并对数据的计算处理做了详述。专门设计了一套软件系统,以实现束流发射度、束流剖面等束流参数的实时测量。该系统具有可靠性好、测量直观、测量较准确等优点。     

860A型高强度溅射离子源的改进

球面电离器的采用使溅射区域缩小到直径～0.75mm;用3根远离溅射区的瓷柱取代原来绝缘阴极的瓷环,可使溅射电压在10kV以内稳定工作。这些改进措施使860A的部分负离子品种的流强提高了近300％,传输效率得以提高,从而为2×1.7MV串列加速器进行大注量高能离子注入改善了条件。     

梯度法对HIRFL束流发射度的测量

利用磁四极透镜和二次发射多丝剖面监测器测量了ＨＩＲＦＬ横向束流（＾１２Ｃ＾６＋）发射度。测量中采用了多次测量和最小二乘法拟合的方法，给出了发射度及其测量误差的计算方法和测量结果。     

Study of doping uniformity of a 200 kV ion implanter by RBS and sheet resistance measurements

The ion implantation uniformity is of vital importance for an ion implanter.In this paper,we report the,uniformity measurement for a large current ion implanter(LC-16 type) by implanting of 190-keV Ar ions into Si to 3×1016 atoms/cm2,followed by Rutherford backscattering spectroscopy(RBS) and sheet resistance measurement providing quantitative information on spatial distribution of dopants.The implant doses obtained from RBS at selected points of the sample give a spatial uniformity of 5%,which are confirmed by the sheet resistance measurement.While sheet resistance is an indirect method for dose evaluation of ion-implanted samples,RBS provides a competent technique for calibration of the ion implantation system.And both measurements show that good uniformity can be achieved for the ion implanter by tuning of the scanning process.     

强流脉冲离子束发射度的测量

介绍了一台基于多缝单丝法的强流离子束发射度仪,讨论了发射度仪硬件的系统构成和设计要点,并对测量计算软件进行了介绍。利用该发射度仪对北京大学重离子物理研究所电子回旋共振（Electron cyclotron resonance,ECR）离子源引出的强流脉冲质子束的发射度进行了测量,并对测量数据进行了分析。