低耗散功率HBT

低耗散功率ＨＢＴ日本ＮＥＣ公司已开发成功耗仅为以前１／１０（０．５Ｗ）的ＨＢＴ。ＨＢＴ具有比硅系更好的高速应答特性，但前者由于耗散功率大，高集成化很困难，只能达到１０００门规模的集成电路。为此，该公司采用０．７μｍ的发射极面积，比以前的减小３０％，以...     

安森美半导体高端视频应用运算放大器

安森美半导体（ON Semiconductor）拓展现有的高速、低功率运算放大器产品系列，推出七款专为快速增长的高清晰视频应用市场设计的新器件。这些运算放大器采用新技术，达到专业视频应用要求的超低失真性能水平。安森美半导体的NCS25xx高速运算放大器系列使设计人员能够实现前所未有的带宽、输出功率和噪声性能，而无须作出成本上的取舍。这些500兆赫（MHz）到1．4吉赫（GHz）器件使视频设计人员得到0．02％的差动增益和0．02度的差动相位性能，     

低功耗GaAs MUX/DEMUX LSI

日本三菱电机的光、微波研究所已开发成2．SG位PS高速工作，世界最小耗散功率的二种GaAs16位Multiplexper（MIX）／Demultiplcxer（DEMUX）LSI。这二种产品在下一代宽带ISDN中，是决定通信系统最高工作速度的关键产品。MUX，DEMUX耗散功率为1．3W，把156M位PS／16位的并列信号转换成2．SG位PS超高速直列信号后送到光纤中，反之，把光纤传来的2．SG位PS超高在对信号分离成156M位PS／16位的并列信号，其主要特点有：（1）具有位移功能等的控制功能，（2）内装输入终端阻抗的ECL输入输出电路，（3）可用单一电流工作。由于…     

日立/TI公司共同开发适于批量生产的64M DRAM

日立制作所和TI公司共同开发64MDRAM。工艺采用0．35PmCMOS，芯片面积为228mm’，确定i线的微细加工技术，作为缺陷弥补技术，由于设计成新型高效率补救电路，从制作初期开始就实现稳定的高成品率。电源电压实现3．3V土0．3V的低电压化，也可用于LVTTL（低压TTL）的接口中。另外，在待机时，在芯片内可控制自动恢复，保持数据时的最大耗散电流为300PA，实现低耗散功率。存取时间实现高速化，为60。S，另外，采用LOC结构的封装，在芯片中央设置焊接点，提高了电路配置的自由度，可降低由长的电源市线所产生的电压。结果是容易实…     

日立公司开发0.5μm CMOS门阵列

日立制作所开发耗散功率1．2μW、工作频率100MHz、0．5μPrnCMOS门阵列IIG72G系列，并从1994年6月开始销售。该系列最大使用门数约50万门，工艺采用0．SHrn三层AI布线，申源电压为2．7V、3．3V时的门速度为0．Zns，与以前该公司产品相比速度提高1．5倍，耗散功率为1．ZZ。W，与该公司的产品相比减少1／2左右。封装采用QFP和PG八，也在研制BGA的封装，50万门的JI：IG72G6677／为］2万日元（购买1000个时的单价）。日立公司开发0.5μm CMOS门阵列@一凡…     

三菱电机公司开发SIMOX门阵列

日本三菱电机公司已用薄膜SIMOX衬底研制成适用于0．5μm级以下的下一代门阵列的新结构。在SIMOX衬底上采用场屏蔽分离结构制作固定村，制作固定衬底电位SOG（SeaofGate）型的门阵列，与在通常Si衬底相比，可实现高速、低耗散功率。这种结构，不会增加芯片面积，由于固定衬底电位，解决了采用SOI结构而引起的源／漏之间耐压劣化。另外，也在探讨适用于1GbDRAM的可能性，试制0．5μm级的SOIDRA从正在验证其有效性．三菱电机公司开发SIMOX门阵列@一凡     

低耗散功率HBT

低耗散功率ＨＢＴ据《学会志》１９９３年第６期报道，日本ＮＥＣ公司已开发成功耗仅为以前１／１０（０·５ｍｗ）的ＨＢＴ。ＨＢＴ具有比硅系更好的高速响应特性。但前者由于耗散功率大，高集成化很困难，只能达到１０００门规模的集成电路。为此，现制成的发射极面积为...     

适于低功率设计的功率分析工具

功率耗散是系统芯片（ＳｏＣ）设计的一项重要考 虑。功率的效率对电池寿命、封装成本和系统冷却要求都有重要影响，几家电子设计自动化（ＥＤＡ）供应商正在推出用于低功率系统的功率分析工具。其中最突出的软件是Ｓｅｑｕｅｎｃｅ Ｄｅｓｉｇｎ公司的ＰｏｗｅｒＴｈｅａｔｅｒ功率分析套装软件。 Ｐｏｗｅｒ Ｔｈｅａｔｅｒ套装软件关注到 ＩＣ设计过程的每个步骤，它可在寄存器传送级（ＲＴＬ）和门级去估算和显示整块芯片和每个模块的功率数据。并且采用专门的估算算法和高级建模技术以确保精度。 在开发ＳｏＣ时，功率往往是要着重考虑…     

Zarlink推出两款面向三合一业务和企业服务新器件

随着集成了无线局域网功能的笔记本电脑、便携式游戏机和数字视听设备的迅速增长，随时随地的高速无线通信已成为了现实。当通信速率和数据量增加时，支持双频带2．4GHz（IEEE802．11b和IEEE802．11g），以及和5GHz（IEEE802．11a）的双模与三模（IEEE802．11a与b）系统已成为无线局域网终端的主流。IEEE在2006年1月批准了IEEE802．11n下一代高速无线局域网标准草案规范，其特征是可能引入MIMO技术，以改善使用多天线的通信速率．因此，对以更小的安装面积和更低电流耗散提供双频带能力功率放大器MMIC的需求开始出现，旨在实现更小、更低功耗的无线局域网终端发射器。     

N888U手持对讲机故障检修

一、性能简介N888U是日本研制生产的优质无线手持对讲机。该机具有体积小、重量轻、造型美观、功能强、耗流小、灵敏度高、操作简单、适用范围广泛等优点，其技术指标符合中国国家无线电管理委员会规定。1．一般指标（1）频率范围：450～469995MHZ：心）频率结构：锁相环方式；（3）频率稳定度（－10～＋60C时5X10s）。2．发射机指标（1）射频输出功率：低功率0．5W，高功率2．2W（电源电压为7．2V时）；低功率0．5W，高功率5．0W（电源电压为13．8V时）。（2）杂波发射：－60dB以下。（3）最大颗偏：±5kHZ。（4）音频失真：2％。（…     

三菱公司销售达到MPEG2标准的译码LSI

据《半导体世界》杂志（日文）1994第14期报道，三菱电机公司已制成达到国际标准MPEGZ的实时译码LSI，并已开始销售样品。新产品不仅可附加外部的DRAM，而且还可在1块芯片上实现MPEGZ的译码器的功能。采用0．SPinCMOS工艺，最高工作频率为27MHz（输入钟频为54MHz），耗散功率在ZW以下（3．3V工作）。另外，根据具有1符号／1周处理能力的译码器电路的引入和三级延迟缓冲器，可作到最高18MbPS的压缩位流的实时译码。封装采用208条腿的塑料QFP，样品价格为5万日元／块。三菱公司销售达到MPEG2标准的译码LSI@一凡…     

台积电和ARM合作，显著降低65纳米低功耗测试芯片的功耗

日前，台积电和ARM宣布：双方在65纳米低功耗测试芯片上的设计合作显著降低了其动态功率和耗散（Leakage）功率。两家公司认为创新的低功耗设计技术对于最终的成功起到了关键的作用。 长达一年的合作成果是一片拥有先进功耗管理技术的基于ARM926EJ-S^TM处理器的65纳米测试芯片。通过采用动态电压和频率缩放技术，测试芯片可以在针对各种运行模式的最低可能功耗水平下运行。这样，ARM测试芯片将动态功耗降低了50％以上。此外令人瞩目的是在这个台积电65LP低耗散工艺上，先进的功率门控技术进一步把待机耗散降低了8倍。     

数字移动通信用的GaAs功率MMIC

数字移动通信用的ＧａＡｓ功率ＭＭＩＣ日本松下电器产业的半导体研究中心和开发本部器件研究所已研制成数字移动通信用的能低压工作的高效率、低失真ＧａＡｓ功率ＭＭＩＣ。数字调制方式移动通信设备的发射功率放大器不仅要求低的耗散功率特性，而且还要有低的失真特性（...     

用于独立高速USB收发器的ULPI接口规范公开发行

ULPI（USB2．0-tranSCeivermacrocell-interface＋Low-PinInterface）工作组日前宣布，首个用于高速通用串行总线（USB）和便携式USB（USBOn-the-Go．OTG）收发器芯片的UTMI＋低引脚数接口（ULPI）行业规范已经公开发行。专用集成电路（ASIC）、系统级芯片（SoC）及现场可编程门阵列（FPGA）设计人员可通过该规范开发符合业界标准的接口，将现成的高速USB收发器整合到他们的设计中。     

TT4010传输流监视器

路通电子技术有限公司推出的LTOS8601G双向光工作站可用于CATV网、数字网和电信网络中。光工作站内RF放大组件净增益大于40dB，每个RF输出口采用独立的860（750）MHz砷化镓功率倍增（或硅双极型功率倍增）放大模块，在光接收机组件光输入功率为-6dBm时．输出信号电平大于108dBpV。每个RF输出口的输出信号电平、     

基于DSP和DDS技术的AOTF驱动系统设计

介绍了基于数字信号处理器（SDP）和直接数字频率合成器（DDS）的声光可调谐波光器（AOTF）驱动系统的设计问题，其中包括DDS的使用方法、DDS与DSP的接口设计、运放电路选择以及采用MOSFET的功放电路设计等。该驱动系统已用于驱动工作于红外区的声光可调谐滤光器，驱动频率15－40MHz，输出红外光波长范围2．5－5.0μm，驱动功率大于2W，频率转换时间小于0．4ms，频率稳定性达10^-6。     

基于推挽式结构大功率放大器热分析

本文为了验证大功率功率放大器在强迫风冷散热方式下的散热效果，设计了一款基于推挽式结构的大功率放大器，通过理论分析计算散热方案，使用ICEPAK散热软件仿真验证理论计算结果。考虑到功放耗散功率较大，最终采用强迫风冷和热沉的散热方式对功放进行散热。本文设计基于LDMOS功率管型号为MRF13750H，仿真设计在单频点915 MHz，输入功率35dBm时，输出功率达615W，效率为74%，耗散功率约达290 W，理论计算所需风机的风量大小为2.54 m³/min。ICEPAK软件进行仿真在耗散功率在300 W时，功率管温度为71.25℃，风机工作点为3.86 m³/min,工作静压力为201 Pa。仿真验证满足设计要求。     

利柯公司研制高速存取时间的4M屏蔽ROM

利柯公司已研制成低压高速工作的4M屏蔽ROM“RS534340F”，并从1994年4月开始销售。现在开发的屏蔽ROM采用0．sqmCMOS工艺。由于开发在独特分段法和宽范围工作的读出放大器，电源电压为3．3V土0．3，已实现最大存取时间为150us，另外，工作电流为50mA，同时也实现待机时耗散电流为30if人总线宽度是x8／x16替换方式。最适宜的用途是电流驱动的信息通信机。封装为40条腿的PSOP，样品价格为10D0日元，开始生产规模，日产为IO万块。利柯公司研制高速存取时间的4M屏蔽ROM@一凡…     

应用AVR单片机实现中频发送功率自环控制

现代卫星通信系统中，为了维持发送的信号强度，在发射端通常都采用将功率监测和基于基准电压设定点的自动增益控制（AGC）技术结合起来的技术。介绍了采用Atmel公司的AVR单片机ATMEGA128L实现中频发送功率自环控制。控制中频（750MHz～1250MHz）发送功率范围为-30dBm～0dBm，可控步长为1dBm。     

直流不可逆数字伺服系统功率转换电路的研究

１引言在现代伺服控制中，绝缘栅双极三极管（IGBT）作为一种新型的功率转换元件，与大功率晶体管（GTR）、场效应晶体管（MOSFET）等功率器件相比，以其具有的管压降较低、所需驱动功率小、工作频率范围较广（０．５kHz～３０kHz）、无二次击穿现象等特点得到了越来越广泛的应用。当应用于不可逆伺服控制系统时，考虑到成本和简化电路，而多采用单管IGBT方式实现。利用单管IGBT驱动电机的功率电路如图１所示。调宽波控制IGBT栅极以驱动高速电机；VD１为IGBT模块中集成的快速二极管；VD２为续流二极管，当IGBT关断时为高速…