南京电子器件研究所1989年度科研成果介绍之二

<正>1990年3月10日至12日南京电子器件研究所在南京召开了第33次科研成果鉴定会.对1989年度余下的18项科研成果进行了专家评议鉴定.其中半导体专业14项,光电专业8项.这次鉴定会展示了该所近年来在半导体及光电领域中取得的进展.现将半导体专业的部分鉴定项目介绍如下:     

南京电子器件研究所一九八六年度科研成果介绍

<正> 南京电子器件研究所一九八六年度有39项科研成果分别通过了部(省)、局级和所级鉴定(其中部(省)、局级鉴定13项)。来自大专院校,有关厂所的教授、专家、工程技术人员及上级领导机关代表参加了成果鉴定工作,并对提请鉴定成果的技术水平给予了高度评价。鉴定的成果涉及微波半导体和光电两个专业。现将半导体专业部分的项目介绍如下:     

南京电子器件研究所召开第二十次科研成果鉴定会

<正>由南京固体器件研究所和南京钟山电子技术研究所组建而成的南京电子器件研究所,于1985年12月在南京召开了第20次科研成果鉴定会.来自上级领导机关、大专院校、有关厂、所、使用单位和新闻单位的代表共145人出席了会议,专家和同行们对该所提请鉴定成果的技术水平给予了高度的评价.南京电子器件研究所自1985年初组建以来,通过努力,克服了因繁重的基建任务和管理机构调整给科研生产所带来的困难,在短短一年时间里逐步使科研生产走上正轨.在这次鉴定会上,涉及微波半导体和光电两个专业范围的43项成果分别通过了部、局级和所级鉴定,其中通过部局级鉴定的有15项(达到或接近国外八十年代先进水平的有10项),取得了较大的成绩.现将部分项目介绍如下:     

南京电子器件研究所一九八八年度科研成果介绍

<正> 南京电子器件研究所一九八八年度在微波半导体和光电两个专业领域取得了22项鉴定成果,其中部级鉴定四项,省级鉴定两项,其余为所级鉴定。现将微波半导体专业的部分项目介绍如下: WB64型GaAs电调变容二极管 该器件是根据宽带压控振荡器的需要而研制的。它采用缓变浓度分布GaAs外延材料,SiO_2钝化,平面扩散超突变结构,与通常的超突变结变容二极管相比,具有电容—电压斜率指数γ(γ=1,1.25)为常数,电容变化比大(R_(CT)=8)的特点,采用超小型金属—陶瓷同轴封装,具有寄生参数小的优点。器件主要技术指标与国外     

南京电子器件研究所一九八七年度科研成果简介

<正> 南京电子器件研究所一九八七年度在微波半导体和光电两个专业领域又取得了一批新成果。共有四十余项分别通过了部(省)、局级和所级鉴定。十二月十六日就微波半导体专业的部分产品召开了定型鉴定会。国防科工委、电子部、南京市等上级机关领导及来自全国各地的有关院校、厂、所的教授、专家、工程技术人员共一百多人对十七项成果进行了全面、认真的技术审定,作出了高度评价。鉴定会开得圆满成功。现将微波专业的部分成果介绍如下: ●WC67型Ku波段砷化镓功率场效应晶体管 其主要参数为:在16和工8GHz下1dB增     

南京电子器件研究所1990年科研成果简介

<正>南京电子器件研究所1990年度又获得了丰硕的科研成果.微波半导体专业有40余项科研课题完成了研究工作,至1991年1月已分别在南京和北京,由机械电子工业部军工司和微电子基础产品司主持召开了两次科研成果鉴定会.这些成果都处于国内领先地位,部分项目已达到国际先进水平,或填补了国内空白;一些项目有较强的创新性.现分项简介如下.     

一九八一年科研成果鉴定会

经四机部和第十四研究院批准,本所于12月10日至13日召开了第三次科研成果鉴定会。这次共鉴定了15个项目,其中12项产品定型,3项技术成果(见“鉴定项目表”),它们大致可分为三个方面: 1.半导体光发射器件; 2.半导体光电探测器件、仪器、部件; 3.电荷耦合摄像和信息处理器件。第十四研究院科技部付部长(高级工程师)陈兴信同志主持了部、院级(共八项)科技成果鉴定,本所所长孙振愷同志主持了     

南京电子器件研究所1992年度科研成果介绍

<正>南京电子器件研究所于1993年1月5日至6日在南京召开第39次科研成果鉴定会。科工委、中国电子工业总公司领导以及来自全国各地的高等院校、研究所、工厂的同行专家和使用部门专家共60个单位150人参加了会议。提交会议评议鉴定的科研成果共67项,专家们对这些成果的技术资料进行了认真审查,对成果样品进行了抽样检测,并全部通过鉴定。由中国电子工业总公司基础局批准鉴定的54个项目中有33项产品主要性能达到国外80年代中后期同类产品水平,有23项产品主要性能处于国内领先水平,有22项产品填补国内空白,有27项产品达到专用标准,取得了良好社会和经济效益。现将微波半导体的部分成果介绍如下: *WD64型S波段砷化镓单片可控增益放大器     

河北半导体研究所鉴定32项科研新成果

河北半导体研究所于1982年12月22日至26日在石家庄市召开了第十二次科研成果鉴定会。电子工业部委托元器件工业管理局主持召开了这次会议。在会上提请鉴定的共有研制产品和成果32项,经过代表的抽测样品、分组讨论和鉴定委员会审议,通过部级鉴定的成果有9项,通过管理局级鉴定的成果有7项,通过所级鉴定的有16项。这些科研成果中包括有:半导体微波器件、半导体光电器件、半导体集成电路、半导体材料制备技术、器件管壳封装、集成化部件和小型整机、半导体工艺设备等各方面,品种数量多、性能水平高,推广应用效果好,经济效益显著。定型鉴定的半导体器件和集成电路性能有不少项目已达到或接近国外同类产品先进水平,并且通过的可靠性等级都较高,解决了国内急需,满足了使用要求。这次鉴定会,科研和使用相结合表现突出,学术交流气氛也比较浓厚,因此会议开得比较园满成功。     

南京电子器件研究所1991年度科研成果介绍(之一)

<正>南京电子器件研究所1991年度第一批科研成果共19项于4月28日通过鉴定.国防科工委、机电部等上级机关领导以及来自全国各地的有关院校、厂、所的教授、专家、工程技术人员共六十多人对成果进行了全面、认真的技术评定,作出了高度评价.现将微波半导体专业的部分成果介绍如下:     

南京电子器件研究所1991年度科研成果介绍(之二)

<正> 南京电子器件研究所1991年12月23日在南京召开了科研成果鉴定会。中国电子工业总公司、机电部电科院、南京市有关部门领导以及来自全国各地的有关院校、机电部、航空航天部的厂、所的教授、专家、工程技术人员共150多人对56项科研成果进行了全面、认真的技术审定,并全部一致通过鉴定。这56项成果中,达到80年代中、后期国外同类产品先进水平的有27项;处国内领先地位的35项;填补国内空白的8项;国内先进水平的4项。现将微波半导体的部分成果介绍如下:     

1979年全国微波、光电器件及化合物材料学术讨论会

<正> 由中国电子学会半导体集成技术专业学会和电子材料专业学会主办的《全国微波、光电器件及化合物材料学术讨论会》于1979年12月15日至21日在南京召开. 中国电子学会半导体集成技术专业学会副主任武尔贞主持了这次会议.江苏省革委会副主任汪冰     

南京固体器件研究所一九八四年科研新成果介绍

<正>南京固体器件研究所于一九八四年十二月进行了两次科研成果鉴定.十二月三日在南京召开了第十二次科研成果鉴定会.九项成果通过了电子工业部部级鉴定,八项成果通过了局级鉴定,另有十三项成果通过了所级鉴定.十二月二十六日在杭州召开了W0061型8千兆赫广播电视接力系统无人值守中继机鉴定会.该机通过了由电子工业部和广播电视部联合组织的部级定型鉴定.现将主要成果分别简介如下:     

南京固体器件研究所召开第十一次科研成果鉴定会——31项科研成果通过鉴定

<正> 南京固体器件研究所于1983年12月下旬在南京召开了第十一次科研成果鉴定会。来自全国55个单位的90余名代表出席了会议。代表们听取了提请鉴定报告,并抽测实物样品、分组进行讨论,最后提交给各鉴定委员会审议,31项成果全部通过了鉴定。其中有9项通过部级鉴定,5项通过局级鉴定,2项通过省级鉴定,15项通过所级鉴定。这些科研成果中包括有达到国际当前产品水平的12GHz 1.5dB的GaAs FET,0.8～1.7μm InGaAs三元材料长波长PIN光探测器等。代表们对这些电视卫星接收和光通讯用的高水平器件给予了高度的评价。许多项目具有推广应用的广阔前景,还有一些项目具有一定的创造性。 现将通过部、局级和省级鉴定的项目介绍如下:     

电子部44所1984年鉴定科研成果22项

电子部44所于1984年7月和12月两次在四川永川召开了科研成果鉴定会,有22项半导体光电器件及技术新成果通过了鉴定。其中有4项为部级鉴定,12项为局级鉴定,6项为所级鉴定。现将其中17项产品简介如下:1.GJ221-B型实用化封装GaAlAs/GaAs激光器该器件是质子轰击平面条型结构,峰值波长0.8～0.9μm;阈值电流I_(th):20～100mA;尾纤输出功率Pf:0.5～3mW。特点为阈值电流低和带有温控和光控的双列直插式封装的激光器结构。已用于天津824工程(七公里三次群数字光缆传输实用化实验系统)作为光源,激光器输出功率稳定,在0～40℃范围内自动光功率控制精度达到0.5dB,得到了满意的效果。通过了部级产品定型鉴定     

半导体照明二维光源技术成果成功通过省级鉴定

2006年3月12日，江苏省工业科技攻关项目——“半导体照明二维光源关键技术研究及产业化”成果鉴定会在南京汉德森工业园召开。此次鉴定会由江苏省科学技术厅主持，邀请市科学技术局委员、业内资深专家，通过对该项目进行严密、谨慎的鉴定，鉴定委员组对该项目的成果给予了高度评价，并一致通过新产品成果鉴定。     

重庆光电技术研究所41项科技成果通过鉴定

重庆光电技术研究所４１项科技成果通过鉴定重庆光电技术研究所＂４４２１＂科技成果鉴定会于１９９６年１月２４日在重庆南坪举行，提交鉴定的科技成果共４１项，其中新品成果２８项，＂八五＂攻关成果２项，军事电子预研成果４项，国防科技预研基金成果７项。由来自全国...     

华北光电所九个项目通过部级设计定型

华北光电所九个项目通过部级设计定型由华北光电技术研究所研制完成的九项科研成果于１９９８年２月在北京通过电子部组织的设计定型鉴定。经过由专家组成的鉴定委员会的严格审查评议，认定在九项鉴定成果中有六项属于国内首创或填补国内空白。主要技术指标达到国际九十年...     

CL系列光电组合件在苏州制成

为了适应新一代数字仪表的需要,苏州半导体总厂在南京电讯仪器厂等单位的配合下,研制成了CMOS-LED光电组合显示器件,最近通过设计鉴定.这种光电组合件属国内首创,开拓了数字显示新领域.它具有功耗低、亮度高、功能全、体积小、造型美、寿命长、使用方便等优点.它为电子仪器、自动控制、计算     

华北光电所十四项科研成果通过部级鉴定

近日 ,信息产业部在北京组织召开了科研成果鉴定会 ,有来自大学、研究所和应用单位等 30个单位的专家、学者对华北光电技术研究所取得的十四项科研成果进行了鉴定。专家对鉴定项目的产品进行抽样检测、观看样机演示、审查技术文件 ,经过认真讨论 ,对鉴定项目做出了客观评价和肯定的结论 ,通过了十四项成果中的五项技术鉴定、九项新品设计定型鉴定。在主要性能指标方面有八项达到国外九十年代同类产品水平 ,并且总计有八项填补了国内空白或达到国内领先水平。十四项成果中属于红外技术的有第二代红外热像仪、双色红外焦平面器件、4× 64元 I…