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本文主要根据玻璃釉电阻器和电位器所使用的电阻浆料当前存在的问题,如贵金属价高、难免除有害作业、部分性能不稳定等,为寻求成本低、质量好、能适合大生产的电阻浆料,特推荐一种国外采用混合硅化物(硅化镁、二硅化钼、二硅化钽等)加氧化铝配制成的贱金属玻璃釉电阻浆料,介绍其制作工艺与提高性能的方法。 相似文献
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着重介绍了电位器用贱金属玻璃釉电阻浆料的几种制造方法,探索调整贱金属玻璃釉电阻浆料成分等措施对获得所需特性的作用。 相似文献
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研制的一种新型导电浆料,是以改性酚醛树脂为基料,炭素为导电填料,加入溶剂和添加剂配制而成的一液型糊状混合物。介绍了导电浆料各成份的制、选择、配制方法、配方优选;考察了丝网印刷工艺性能以及碳膜层的性能(包括电性能、使用寿命、附着力、耐溶剂性以及电性能稳定性等项试验)。其技术性能和丝网印别工艺性能达到或接近国外同类产品水平,可用于某些碳膜电位器以及一些要求固化时间短的电子产品的印制电路板上。 相似文献
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随着微型电子产品的蓬勃发展,传统的贵金属浆料由于成本等因素逐渐无法满足市场的需求,因此需要开发具有成本优势的新型贱金属电子浆料。铜电极浆料因为整体优势而受到广泛关注。电子浆料在印刷使用过程中对粘度、触变性等流变性能有着严格的要求,而流变性能主要由有机载体决定。通过正交试验的方法,系统地研究了有机载体中各成分的配比对铜电极浆料粘度、触变性的影响。表征了烧结后铜膜的方阻、附着力。结果表明,粘结剂乙基纤维素对铜浆性能影响最大。当蓖麻油为质量分数9%,氢化蓖麻油为2%,乙基纤维素为3%时,能得到综合性能最优的铜浆。在950℃烧结2 h后可得到方阻小于2.97 mΩ/□、附着力高于4.13 MPa的铜膜。 相似文献
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钌系厚膜电阻导电机理探讨 总被引:1,自引:1,他引:0
从钌酸盐厚膜电阻的导电机理来探讨研制工作中出现的一些问题。特别是用半导体掺杂理论来解释厚膜电阻掺杂中出现的各种电学现象,预测一些掺杂剂的行为。 相似文献
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钌基厚膜电阻导电机理的国内外研究状况 总被引:1,自引:0,他引:1
较全面的对国内外厚膜电阻导电机理的研究状况进行了综述,介绍了均匀分布模型,均匀通道模型。非隧道势垒模型,隧道势垒模型及其优缺点。对隧道壁垒模型进行深入的分析和讨论。并运用这些理论解释了厚膜电阻的温度特性、电场特性和热电效应。 相似文献
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制备了不同表面电阻率的Ru基厚膜应变电阻浆料,研究了厚膜应变电阻的表面电阻率与电阻应变系数之间的关系,并对其导电机理与特性进行了分析。 相似文献
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简要论述了AIN陶瓷由于自身结构特点而导致的其厚膜金属化的困难、提出了解决的主要方法。阐述了AIN陶瓷厚膜金属化的三种主要结合剂(玻璃结合系;反应结合系;混合结合系)的结合机理,综述了三种主要结合剂以及AIN陶瓷厚膜金属化用金属体系的研究现状及最新进展。 相似文献
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烧结工艺对PMS-PNN-PZT压电厚膜性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
采用丝网印刷法制备了PMS-PNN-PZT四元系压电厚膜陶瓷材料。研究了压电厚膜的烧结温度、烧结气氛对其压电、介电等性能及微观结构的影响。用XRD和SEM分析材料的相组成、厚膜定位及显微结构,结果表明,在密封埋粉的PbO气氛中,烧结温度1060℃,保温时间2 h,制得一种性能良好的压电厚膜陶瓷材料。其中,该压电厚膜压电常数d33为240 pC/N,相对介电常数rε为1 112,机械品质因数Qm为1250,机电耦合系数kp为0.52。 相似文献
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厚膜HIC金属封装腔内水汽的影响及控制 总被引:2,自引:1,他引:1
李双龙 《电子产品可靠性与环境试验》2004,(3):60-62
分析了厚膜HIC金属封装腔内的水汽对器件可靠性的影响,封装腔内水汽的主要来源,采用工艺控制后达到的良好效果。 相似文献
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随着电子产品技术含量的不断升级,对于厚膜混合集成电路的制造工艺提出了更高的要求,从而产生了孔金属化的制造工艺。文章主要阐述了孔金属化的原理和制造工艺,并结合多年的生产经验,对影响孔金属化制造的因素进行探讨和总结。 相似文献
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采用激光微细熔覆快速制造技术直接将电感元件集成在电路板上,使之由插装或表面贴装元件直接转化成平面膜式电感,大大减少了焊点,缩短互连,减少了占用面积,从而提高了可靠性和电性能。另外,不需要掩模的制作和高温烧结,简化了工艺,降低了成本,提高了效率。 相似文献