石墨第一壁化学腐蚀的温度特性

石墨的化学腐蚀实验是在ＬＡＳ－２０００二次离子质谱仪的分析室中进行的，入射高能氘离子束单独轰击或和一中和电子束联合轰击石墨以模拟等离子体辐照。石墨样品的温度从３００～１０００Ｋ可调。石墨样品是从进行过氢离子辐照实验的ＳＭＦ－８００石墨第一壁组件上切割下来的，它在氘束轰击下释放的产物（Ｍｅ－１＝２～４４范围内）用四极质谱探头ＳＱ１５６进行原位的分子束质谱分析，得到了在１．３μＡ／３ｋｅＶ氘束轰击下石墨样品释放氘甲烷（ＣＤ４）的温度特性，在７８０Ｋ温区有一个因增强的化学腐蚀而形成的释放高峰。分析研究了氘甲烷的温度特性     

氘束轰击石墨化学腐蚀的实验进展

在ＳＭＦ－８００石墨第一壁化学腐蚀温度特性的实验研究基础上，进一步测试了Ｇ３石墨、ＳＭＦ－８００高纯石墨和硼化石墨，以及ＳｉＣ镀层等在１．３μＡ／３ｋｅＶ氘束轰击下化学腐蚀的温度特性。从中优选出Ｃ２Ｂ１０Ｈ１２氦辉光放电法制取的ＳＭＦ－８００石墨硼化层，它具有最佳的抗化学腐蚀性能。其ＣＤ４产额较ＳＭＦ－８００高纯石墨降低一个量级以上，ＣＤ４产额峰值温度下移至６５０Ｋ附近。用小角度转动样品法，初步地观察了氘束轰击下石墨释放ＣＤ４的角分布特性，为托卡马克偏滤器实验中建立ＣＤ４辐射区的定位及其控制等可行性进行了探索。     

氘束轰击石墨化学腐蚀的实验进展

在ＳＭＦ－８００石墨第一壁化学腐蚀温度特性的实验研究基础上诸多进一步测试了Ｇ３石墨，ＳＭＦ－８００高纯石墨和硼化石墨，以及ＳｉＣ镀层等在３ｋｅＶ／１，３μＡ氘束轰击下化学腐蚀的温度特性。从中优选出Ｃ２Ｂ１０Ｈ１２－氦辉光放电法制取的ＳＭＦ－８００石墨硼化层，它具有最佳的抗化学腐蚀性能。其中ＣＤ４产额较ＳＭＦ－８００高纯石墨的降低一个量级以上，ＣＤ４产额峰值温度下移至６５０Ｋ附近。     

残气质谱分析在LAS—2000上的应用

详尽地探讨高真空及超高真空中的残余气体的质谱分析方法。运用这些方法在ＬＡＳ－２０００二次离子质谱仪上进行了应用研究。精确地分析了ＬＡＳ－２０００的本底真空，发现其超高真空中含有较多的碳氢化合物，这些碳氢化学物主要影响氢（氘）轰击石墨的化学腐蚀研究的结果分析。     

石墨及其涂层材料性能的研究

本文在改制后的ＬＡＳ－２０００表面分析设备上对ＳＭＦ８００，Ｇ３石墨和（ＳｉＣ＋Ｃ）／Ｃ涂层石墨的真空出气性能和Ｄ＾＋束辐照化学增强腐蚀性能进行了分析研究。研究表明：ＨＬ－１Ｍ装置第一壁选择ＳＭＦ８００石墨及其处理工艺及合理，正确的。     

纤维束动态拉伸力学性能的实验研究

对Ｐｏｌｙｖｉｎｙ－ａｌｃｏｈｏｌ（ＰＶＡ），Ｅ－ｇｌａｓｓ和Ｋｅｖｌａｒ４９纤维束的应变率相关性和能量吸收能力进行了对比，冲击拉伸实验结果表明，除ＰＶＡ纤维束的初始弹性模量外，三种纤维束的力学性能均具有应变率相关性，其中ＰＶＡ和Ｅ－ｇｌａｓｓ的应变率敏感性较Ｋｅｖｌａｒ４９强烈；Ｋｅｖｌａｒ４９的能量吸收能力高于ＰＶＡ并且明显优于Ｅ－ｇｌａｓｓ。     

等离子体苯胺聚合膜离子注入层的电阻率

等离子体苯胺聚合膜经１００ｋｅＶ，５×１０１５Ａｒ＋／ｃｍ２或２４ｋｅＶ，１×１０１６Ｉ＋／ｃｍ２离子注入后，室温电阻率下降１２个数量级。用范德堡（Ｖａｎ－ｄｅｒ－Ｐａｕｗ）法在１７３Ｋ～３０３Ｋ温度范围内，测量了温度对注入层体电阻率的影响。实验表明，注入层内电荷载流子的输运过程可用Ｍｏｔ的可变自由程跳跃（ＶＲＨ）模型给以解释。根据此ＶＲＨ理论得到Ｆｅｒｍｉ能级处的态密度及电荷载流子最可能的跳跃距离。     

改性偏铌酸铜压电陶瓷高温特性及应用

文章分析了ＰＮＣ－３型改性偏铌酸铅压电陶瓷的高温特性，并就其可能的应用进行了试验。ＰＮＣ－３型陶瓷具有高居里温度和低Ｑｍ特性，有强耦合系数和大的Ｋｔ／Ｋｐ比值，已成功地制成耐高温抗辐射的ＡＥ传感器和宽频带换能器等器件，并将其高温性能与美国Ｄ９２１５型高温ＡＥ传感器进行了比较。     

360keV Ar^3＋离子辐照聚碳酸酯薄膜的红外光谱研究

用付里叶变换红外光谱研究了３６０ｋｅＶＡｒ~（３＋）离子辐照聚碳酸酯薄膜的化学结构变化。氩离子辐照剂量为１．３×１０~（１２）～６．５×１０~（１３）离子／ｃｍ~２。结果表明，化学降解是聚碳酸酯薄膜主要的结构变化。此外，氩离子辐照也形成了ＯＨ基团、新的羰基团和碳化。     

低价钒—锶氧化物系的相关系和电导率

研究了Ｓｒ－Ｖ－Ｏ系统内低价钒氧化物存在时的相关系。用Ｘ光衍射分析鉴定了相组成，并用标准直流四探针法测定了１００－１０００Ｋ温度范围内的组成相的电阻率。结果表明在该系统内，在还原气氛下形成的低价钒化合物有六方的Ｓｒ８Ｖ８Ｏ２５，立方的Ｓｒ２Ｖ２Ｏ５和Ｖ２Ｏ３，三在１５０Ｋ以上均具有１０＾０－１０＾１Ω·ｃｍ的电阻率。Ｖ２Ｏ３相在低于１５０Ｋ附近电阻率有一个约１０＾４数量级的跃升，显示了在降温时由     

快速凝固高碳铁基合金脉冲激光非平衡热处理

利用脉冲Ｎｄ：ＹＡＧ激光辐照对快速凝固高碳铁基合金进行非平衡相变热处理，发现在高能脉冲激光辐照时，原快速凝固共晶碳化物（Ｆｅ３Ｃ）异常迅速地石墨化，获得了含超细石墨球和既含超细石墨球又含快速凝固共晶Ｆｅ３Ｃ的两种新材料，研究表明，这种快速石墨化及上述两类新型材料的形成主要归因于脉冲激光光速辐照产生强烈周期性起伏温度场的“微退火（ｍｉｃｒｏ－ａｎｎｅａｌｉｎｇ）效应。     

IBAD合成CNx／NbN纳米多层膜

用离子束辅助沉积技术（ＩｏｎＢｅａＡｓｓｉｓｔｅｄＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＩＢＡＤ）制成ＣＮｘ／ＮｂＮ纳米多层膜，研究了工艺参数（轰击能量，基片温度）对膜的结构和性能的影响，分析表明，多层膜内的ＮｂＮ为多晶结构，在轰击能量为４００ｅＶ，基片温度为６００℃时，得到了与β－Ｃ３Ｎ４的晶面间距相对应的三条电子衍射环，基片温度的上升，膜层的硬度上升，轰击能量增大，则膜层的硬度表现为先上升后下降，最大显微硬度     

离子束增强沉积TiN薄膜的研究

利用多功能离子束增强沉积设备，采用三种不同工艺方法制备ＴｉＮ薄膜，并对制备的ＴｉＮ薄膜进行了ＡＥＳ，ＸＰＳ，ＸＲＤ，ＲＢＳ和ＴＥＭ等分析。结果表明：所制备的薄膜都有很好均匀性，ＴｉＮ薄膜处在压应力状态；在溅射沉积的同时，在０－２０ｋｅＶ范围内，Ｎ＾＋和Ａｒ＾＋离子的轰击使得ＴｉＮ薄膜的生长呈现不同择优取向；随着Ｎ＾＋离子轰击能量的增加，制备的ＴｉＮ薄膜的晶粒增大。     

改性偏铌酸铅压电陶瓷高温特性及应用

文章分析了ＰＮＣ—３型改性偏铌酸铅压电陶瓷的高温特性，并就其可能的应用进行了试验．ＰＮＣ－３型陶瓷具有高居里温度（５６２℃）和低Ｑｍ特性，有强耦合系数和大的Ｋｔ／Ｋｐ比值．已成功地制成耐高温抗辐射的ＡＥ传感器和宽频带换能器等器件，并将其高温性能与美国Ｄ９２１５型高温ＡＥ传感器进行了比较．     

SiC埋层结构与C^＋注入剂量关系

采用ＭｅｔａｌＶａｐｏｒＶａｃｕｕｍＡｒｃ（ＭＥＶＶＡ）离子源的离子束合成法，往Ｓｉ衬底注入剂量为３．０×１０＾１７～１．６×１０＾１８ｃｍ＾－２的Ｃ＾＋制成ＳｉＣ埋层，Ｃ＾＋离子束的引出能量为５０ｋｅＶ，光电子能谱和红外吸收谱表明ＳｉＣ埋层的结构特征明显地依赖于剂量，采用ＭＥＶＶＡ离子源可以平均衬底温度低于４００℃时得到含有立方结构的ＳｉＣ埋层。     

C,Al,Ti对钢焊接热影响区韧性的影响

微量Ａｌ，Ｔｉ对７９０ＭＰａ级钢焊接ＨＡＺ的韧性有重要的影响。加入Ａｌ后，在５ＫＪ／ｍｍ的焊接线能量下，热模拟试样的ＡＫＶ（－２０℃）与ＡＫＶ（－４０℃）分别为１０４Ｊ与２０Ｊ。与不加Ａｌ的钢相比，分别提高了４．９倍和１．６倍。Ａｌ与Ｔｉ同时加入则ＡＫＶ（－２０℃）与ＡＫＶ（－４０℃）分别为１５１Ｊ和３８Ｊ。如果把母材中的含Ｃ量降低到０．０４％，ＨＡＺ的低温韧性得到更大的改善，本文也探讨了ＡＩＮ，     

离子束增强沉积界面共混工艺对Cr-N镀层结合强度的影响

采用连续压入法以及球滚接触疲劳法评定不同界面共混工艺所制Ｃｒ－Ｎ镀层膜基结合 强度,并对两种方法试验结果进行分析对比．试验结果表明,在其它参数相同条件下,随着氮离 子轰击能量从１０、２０ｋｅＶ提高到４０ｋｅＶ,动反冲共混界面结合强度则有明显降低的趋势,Ｐ_ｃ 值测量值分别为６５０、７００、３３０Ｎ．当轰击能量为２０、１０ｋｅＶ时,Ｃｒ－Ｎ镀层在△Ｔ_ｒｚ＝４４２ＭＰａ 时,循环疲劳周次达到５．０×１０^６时,镀层未剥落,表现出很高的动态结合强度,而４０ｋｅＶ动反 冲共混界面在△Ｔ_ｒｚ＝４４２ＭＰａ时,循环疲劳周次仅为９．０×１０^５．较低能量（１０、２０ｋｅＶ）氮离子 动态共混界面具有更理想的膜层一基体结合强度．两种方法测试结果具有一致性．当膜层－基 体结合力较高时;压入法评定膜层－基体结合强度更简便、适用．     

掺锡对α—Fe2O3薄膜微结构和气敏特性的影响研究

本文用常压化学气相淀积法（ＡＰＣＶＤ）制备了α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜，对所制备的薄膜进行了Ｘ射线衍射分析和表面形貌（ＳＥＭ）分析。对薄膜的气敏特性进行了测量。结果表明，用ＡＰＣＶＤ工艺制备的α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜对烟者极为敏感并且具有良好的选择性；本研究还对所制备的α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜进行了有效的掺杂，对掺杂样品的气敏特性测试表明四价金属元素Ｓｎ的掺入对α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜的气敏特性有显著的影响。实验表明用ＡＰ     

低价钒－锯氧化物系的相关系和电导率

研究了Ｓｒ－Ｖ－Ｏ系统内低价钒氧化物存在时的相关系．用Ｘ光衍射分析鉴定了相组成，并用标准直流四探针法测定了１００～１０００Ｋ温度范围内的组成相的电阻率．结果表明在该系统内，在还原气氛下形成的低价钒化合物有六方的Ｓｒ８Ｖ８Ｏ（２５），立方的Ｓｒ２Ｖ２Ｏ５和Ｖ２Ｏ３，三者在１５０Ｋ以上均具有１０ｏ～１０１Ω·ｃｍ的电阻率．Ｖ２Ｏ３相在低于１５０Ｋ附近电阻率有一个约１０４数量级的跃升，显示了在降温时由导电性向绝缘性的突变．     

1.52um InGaAsP／InP分别限制量子阱激光器

报导了在６００℃生长温度下以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机气相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术生长出的高质量１．６０ｕｍ和１．３ｕｍ ＩｎＧａＡｓＰ材料，以及在其分别限制量子阱结构生长的情况下，用质子轰击方法制得的条形结构量子阱激光器。该激光器在室温下直流阈值电流为１００ｍＡ。