用直接法处理高分辨电子显微象

Gerchberg和Saxton(1971,1972)首先提出,把一张电子显微象和一张相应的电子衍射图结合起来。用迭代方法求出象波和衍射波的相位。1977年李方华提出用象和衍射图相结合来提高象的分辨率。最近Ishizuka,Miyazaka和Uyeda (1982)在弱相位近似条件下,把“相位改正”方法用于象与衍射圈的结合,达到改善象的质量。提高象分辨率的目的。另一方面,李方华和范海福(1979)曾提出,可以用晶体结构分析中的直接法来复原高分辨电子显微象。本文则以氯代酞菁铜为例,试验了将“直接法”用于象与衍射图的结合,获得了满意的结果。     

近场光学中成象衬度机制的研究

本文从理论上研究了收集式近场光学显微镜中的成角衬度问题。采用三维时域有限差分法计算了光学近场区域亚波长尺度的电磁场分布。计算表明;利用ｐ偏振光成象可以得到样品的形貌衬度,而利用ｓ偏振光成象可以得到样品形貌的边缘象。该结果为近场光学显同镜中的图像解释及新仪器的开发提供了理论依据。     

煤基石墨的高分辨电子显微象的研究

煤是地壳上由植物遗体转变来的一种碳质物质,它经受岩浆的热接触变质作用以后,可以转变为石墨,这就是煤基石墨。我国湖南省鲁塘地区产有不同结晶状态的煤基石墨,它们的H/C(原子比)从0.042-0.01,石墨化程度U从0.2-0.7,电阻率从10~(-1)—10~(-4)欧姆米~(-1)。今用JEM200-CX顶插式电镜对鲁塘石墨系列样品进行观察,得到一组间距为0.337nm的品格象,对这些图象分析以后,得到下列四点结论     

高分辨电子显微象波函数复原的MIMAP方法

本文讨论了波函数复原的MIMAP(multiple input maximum a-posteriori)方法,指出了E.J.Kirkland给出的MIMAP条件所存在的问题,并导出了修正的MIMAP条件。本文还给出了几个波函数复原的计算实例。     

高分辨电子显微象的直接法解卷——赝弱相位物体

大多数情况下,高分辨电子显微象并不直接反映晶体结构。象面上的波函数是透射波函数与衬度传递函数富里叶变换的卷积。即使在弱相位物体的情形,衍射波等同于结构因子,只要不满足Scherzer条件,象就偏离于结构投影。在影响象质量的各种参数中,欠焦值是最主要的。高分辨电子显微象直接法解卷的目的,是从一张任     

聚芳醚酮片晶形态的高分辨电子显微象研究

高分子本体结晶或溶液结晶,其聚集态结构一般是球晶,球晶是片晶组成的多晶体。因结晶条件和分子结构的不同,球晶的大小和形态也就不同。为了深入了解刚性链高分子聚芳醚酮的聚集态结构,我们首先对聚芳醚酮片晶形态进行了高分辨电子显微象研究。图1是聚芳醚酮片晶截面[100]取向的高分辨晶格象。图中最明显可见的是间距为0.63nm的(010)晶面的晶格象。另外,还可以发现有些区域出现了二倍于(010)晶面间距的超结构条纹(A区),有些区域出现二分之一(010)晶面间距的(020)晶格条纹(B区),还有些区域晶格条纹消失(C区)。从晶     

球差校正高分辨电子显微像的像衬和解卷处理

本工作将赝弱相位物体近似像衬理论延伸至球差校正高分辨电子显微像,分析了球差校正像的衬度随样品厚度的变化规律。指出非Schemer聚焦条件下球差校正电镜拍摄的高分辨像仍未必反映晶体结构,讨论了解卷处理方法应用于球差校正像的有效性,并以有12型层错的GaN晶体为例,借助像模拟肯定了解卷处理能用于复原原子分辨率晶体缺陷的结构像。     

高分辨二次电子像中的成分衬度

从理论上阐明了获得高分辨二次电子成分衬度像的原理、条件和方法，并作了细致的实验验证，空间分辨率为３．３ｎｍ（Ｖ０＝５ｋＶ），原子序数分辨率为０．０３Ｚ。实验研究样品为分子束外延ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器，其分层结构的最小层宽为７ｎｍ，测得的层宽和透射电镜测量结果相吻合，由于透射电镜制样的复杂和困难，高分辨扫描电镜二次电子成分衬度像观测方法具有重要的理论意义和实用价值     

高分辨二次电子像中的成份衬度

高分辨二次电子像中的成份衬度徐军陈文雄张会珍（北京大学电镜实验室，北京１００８７１）在传统的扫描电子显微学的概念中，二次电子像中包含的是形貌衬度，而背散射电子像中包含的是成份衬度。但实际上二次电子的产额是和样品的成份有关的，不过样品表面极易玷污，样品...     

聚芳醚酮晶体中缺陷的高分辨电子显微象观察

高分子材料的一个显著特点就是其分子量非常大,它的聚集态结构就由此而显示出特殊性。高分子晶体与小分子或原子晶体间的差异表现在高分子晶体的点阵基元不是完整的分子或原子,而是高分子长链中的一部分。这样高分子晶体中的缺陷也有可能存在特殊形式。虽然高分辨电子显微术已能从原子水平分析晶体的结构,但是由于高分子晶体不耐电子辐照,它应用于高分子晶体方面的研究受到了一定的限制。我们采用了最小剂量高分辨象拍摄方法对聚芳醚酮晶体进行了研究。图1是聚芳醚酮晶体[012]高分辨晶格象,分子链轴方向[001]。标有箭头区域是由晶格象(100)所表现的混合位错。通过晶体完整区域围绕缺陷作布氏回路,得到布氏矢量1(?)=7(?)+n(?) 2。此处混合位错     

蓝宝石—硅(SOS)界面的高分辨电子显微象

蓝宝石—硅外延(SOS)材料具有低功耗和抗辐照等优点,在超大规模集成电路方面有很好的应用前景。由于硅外延层和蓝宝石衬底之间晶面间距失配较大(约10％),在界面处存在高密度的缺陷。研究这种缺陷的性质及其形成机理,对控制和消除这些缺陷提高SOS材料的完整性是很有意义的。近几年有一些关于用高分辨电子显微术研究这种缺陷的报导。由于制样技术的困难,这方面的工作开展不多。本文报导我们在获得SOS界面的HREM象方面的进展情况。 SOS样品用硅烷热分解法在980℃沉积在直拉法生长的蓝宝石单晶衬底上。衬底表面为{1102}面,硅外延     

蛋白质晶体高分辨电子显微像的直接法解卷

蛋白质晶体高分辨电子显微像的直接法解卷＊阳世新李方华（中国科学院物理研究所和中国科学院凝聚态物理中心，北京１０００８０）＊本工作得到国家自然科学基金委员会的资助基于弱相位体近似的高分辨电子显微像解卷处理已成功应用于测定无机材料的晶体结构［１］。曾分别...     

用光学方法改善空间转动可变高分辨电子显微像的像质

提出了提取相位衬度传递函数制作振幅滤波器方法和利用光栅及像全息制作相位滤波器的方法.对电子显微解卷,得到与频率无关的传递函数,提高了电子显微像的分辨率.     

场发射高分辨电子显微像的复原

本文讨论了弱相位物体近似的实际应用范围，在此基础上对场发射高分辨电子显微像作了解卷处理。     

场发射高分辨电子显微像的图像处理

场发射高分辨电子显微像的图像处理何万中陈弘李方华（中国科学院物理研究所，北京１０００８０）与非场发射电子显微镜（以下简称电镜）相比，场发射（ＦＥ）电镜的衬度传递函数（ＣＴＦ）随空间频率增大而衰减的速度要缓慢得多。因此，ＦＥ电镜下拍摄的高分辨像，一方面...     

磷化铟晶体的高分辨电子显微术研究

本文报导了半导体InP材料〔001〕带轴的高分辨结构象主要实验结果。采用400kV电子束,欠焦量为大约650A,同时In及P的结构象的最佳厚度约为260A。当厚度减缩到150A左右,只剩下P的原子象。当厚度增加到370A,只剩有In的原子象。实验得到的高分辨结构象和计算机模拟象是基本一致。当试样发生弯曲时,入射束与〔001〕带轴之间的夹角是0.18度。高分辨结构象代表In原子和P原子的亮点联接在一起。计算机模拟象证实了这一实验结果。     

测定蛋白质晶体结构的高分辨电子显微方法

用高分辨电镜方法研究不染色的蛋白质分子结构的主要困难有二:样品对电子损伤的高敏感性;样品在真空中三维结构的改变。我们采用性质与水相似而又不挥发的葡萄糖取代水介质,以防止真空损伤。用低剂量(<1e/A~2)电镜技术防止幅射损伤。然而由于样品固有低反差和低剂量成象,象的S/N非常低,以致不能直接观察。但如果样品是严格周期结构并具有足够多的分子或单胞,则重构分子或单胞所需的信息就可从计算机中萃取出来。为了重构需要测定Fourier函数的相位和振幅。两者分别由显微象的Fourier分析和电子衍射花样的测定而被确定。本文讨论测定Catalase和B.Subtilis α-Amylase晶体结构的实验方法。     

高分辨电子显微像的定量分析与应用

本文通过研究高分辨电子显微像的图像处理技术，系统地建立了两种高分辨原子像亮点中心精确定位的处理方法，灰度主检测法和峰谷提取－灰度平均法。基于原子像亮点中心定位技术，使用最小二法，建立 测量高分辨像中局部点阵参数和 各畸变的实际处理过程。结论像模拟、图像匹配等手段，详细研究了从高分辨像中提取元素分布、原子结构等信息的定量分析方法；并建立了一套ＵＮＩＸ平台上的高分辨像定量分析程序包，具有较高的精度和广     

扫描电镜电压衬度法的应用

应用扫描电子显微镜电压衬度法观察分析半导体器件样品,对它进行失效分析或观察它的工作状态等,都有很明显的效果.电压衬度图象是在扫描电镜二次电子图象的基础上形成的,它通过对样品室中的半导体样品的某一部分施加电压,以便在样品的二次电子图象中的相应部位获得反差.由于所施加的电压会在样品表面形成一个小的局部电场,这个小电场对样品该部分的二次电子发射会起抑制作用,因此当电子束     

表面的高分辨电子显微平面像的模拟

本文全面讨论了多层法用于表面的高分辨电子微平面像模拟计算中的各种影响因素以及需要注意的技术细节。