集成电路与IP芯核

数据总线字长可配置的闪速存储器意法半导体的M58LW128A和M58LW128B是128Mb的闪速存储器,分为128个容量为1Mb的区块。M58LW128A的数据总线字长为16位,而M58LW128B的数据总线字长可以配置为16位或者32位。该器件使用单电源供电。编程、擦除及读出的电源电压V_DD为2.7V至3.6V,输     

三菱电机/日立制作所共同出售16M位DINOR型闪烁存储器

据《电子材料》杂志1996年第2期上报道，三菱电机公司和日立制作所共同开发了16M位DINOR型闪烁存储器，现在已开始出售样品。DINOR型存储单元是三菱电机公司单独开发的，它具有NOR型的高速性和NAND型的高集成性等两大特点，同时也是能够实现低功耗化的单元。使用这个单元．在原来采用单电源实现低功耗化较为困难的闪烁存储器中，在世界上首次同时实现了3．3V单电源化和高速随机存取80ns（最大）。另外，还考虑到易于使用等功能。三菱电机/日立制作所共同出售16M位DINOR型闪烁存储器     

适用于千兆位级DRAM的低电压、高速DRAM电路技术

据《电子材料》1995年第4期报道，目前，三菱电机公司业已开发出了一种适用于千兆位级DRAM的低电压、高速DRAM电路技术。以该电路技术为基础，采用0．4PmCMOS工艺试制了1．2V工作的16MDRAM，在电源电压为1．2V的低电压下实现了存取时间（tRAC）为49ns的高速工作。本开发课题的主要内容如下：（1）即使是在低电压下，也可实现高速读出工作（可能的Charge－TransferredWellSe－nsing方法），在电源电压Vcc＝1．2V下，实现5ns（19）的高速化是可能的（估计了16MDRAM的模拟值）在本读出方法中，在读出开始的同时，由于可以作到使…     

双或非(DINOR)16M快闪存储器和1G DRAM电路技术

据《国际半导体》杂志（英文）1995年第8期报道，三菱公司和日立公司已联合开发了一个3．3V单电源的DINOR（双或非）快速存储器。三菱公司还开发了一种适用于1GDRAM芯片的低功耗、高速DRAM电路技术。常规的NOR（或非）快速存储器使用CHE单元写入，这种结构用单电源供电是困难的。与非芯片的迭式存储单元减少了连接点，从而降低了随机存取性能。而双或非结构因结合了两种方法的优点，从而达到了消除瓶颈的目的。用3．3V单电源的双或非16M快速存储器，最主要的革新部分在于晶体管被做成单元，提供32个门单元，每64k字节为一组。芯片…     

速度高和工作范围宽的MB8264-15/20型64K动态RAM

目前,MOS动态存储器的开发速度相当迅速,1K位存储器发表以来约3年的时间,集成度已提高了4倍。64K存储器也不例外,本公司(富士通公司)于1978年开发了双电源(7V,—2.5V)的MB8164,进而又研究出了下述的5V单电源64K存储器MB8264。MB8264的开发满足了市场用简易的5V单电源构成系统的要求。     

内置闪烁存储器的8位微型计算机

三菱电机公司研制出了灵敏蓄电池系统(SBS)用的8位微型计算机“M37516F8HP”,现已开始上市。该产品内置5V单电源闪烁存储器(32位),除     

一种相变存储器读出电路及其快速读出方法

针对大规模相变存储器所具有的寄生电容大、可能出现读破坏现象等特性,提出了一种读电压模式的相变存储器读出电路及其快速读出方法。基于SMIC 40nm CMOS工艺的仿真结果表明,在2.5V电源电压下,该方法可以在90ns的读出周期内正确读出位线寄生电容为30pF的存储单元数据,同时,该读出周期随位线寄生电容的减小而减小。另外,该方法可以和传统的Burst等快速读出方式并存,非常适用于带数据预读机制的高端存储器技术。     

高兼容CMOS工艺嵌入EEPROM技术

电可擦除只读存储器是非易失性存储器。文章介绍了高兼容常规CMOS工艺的一种嵌入式电可擦除只读存储器设计与工艺技术,对电可擦除只读存储器单元、高压MOS器件的结构与技术进行了研究。研究结果表明,我们设计的0．8μm电可擦除只读存储器单元Vpp电压在13V～15V之间能够正常工作,擦写时间小于500μs,读出电流大于160μA／μm;在普通CMOS工艺基础上增加了BN＋埋层、隧道窗口工艺,成功应用于含嵌入电可擦除只读存储器的可编程电路的设计与制造。     

内置大容量快闪存储器的16位微型机

日立制作所已制出了内置大容量快闪存储器的Ｆ-ＺＡＴ微型机“Ｈ8/3052Ｆ(512位)/3064Ｆ(256ｋ位)/3022Ｆ(256ｋ位)”的新产品。该产品的制作过程是采用了035μｍＡｌ3层布线ＣＭＯＳ工艺,内置了512ｋ位、256ｋ位的单电源快闪存储器和8ｋ位的ＲＡＭ。另外,在ＬＳＩ内部还内置了升压电路,实现了以单电源的快闪存储器擦除、写入工作。内置大容量快闪存储器的16位微型机@辛     

FCI公司144位水平型存储器插座

FCI公司开发出了一种适用于16位和32位小型双列直插存储器模块（SO—DIMM）组件的144位0．8mm间距水平型插座。这种10062086系列插座高5．2mm，并且在主板顶部表面与安装的模块之间提供3．3mm的空隙。这种连接器适用于通讯设备和外设如，中档打印机和复印机。这种连接器的两端设置了固定卡夹机构，起到了机械制动作用，据称可以避免存储器模块在安装过程中过度转动，并且防止模块插入或拔出过程中，柔性棘爪过度伸直。这种插座采用了机械性的电压调节方法来区分配接2．5V DDR或1．8V DDR2存储器模块组件的不同版本。     

1G快闪存储器

<正> 目前,三星电子公司开发出了一种1G 的 NARD 型快闪存储器。该产品采用了0.12μm 工艺,电源电压为3.3V,实现了8位的目标。现有样品出厂,预计2002年初开始批量出厂。另外,据说该公司在2002年还将开发出电源电压为1.8V,16位的产品。该公司的1G 快闪存储器将在3G,携带信息终端,硅声频,数字照像机等各种领域得到应用。     

ADuC8xx系列单片机闪速/电擦除数据存储器及其应用

AduC8xx系列单片机是美国ADI公司新推出的具有真正意义上的完整的数据采集芯片，目前有AduC812，AduC816，AduC824三种型号，分别具有一个12位，16位和2d位的A／D转换器。他采用了闪速／电擦除存储器．辅之以内含的加载器和调试软件，解决了以ROM为基础的芯片产品的灵活性差、仓储困难等缺点，而且不需要任何硬件仿真器就可以对AduC8xx的应用系统进行调试开发。由于闪速／电擦除存储器的结构，擦除必须以页为单位完成，N此给出一个擦除命令时，至少将擦除4个字节(1页)。本文最后介绍了一个应用实例。     

1兆位5伏闪速电擦除存储器AT29C010A及其应用

AT29C010A是ATMEL公司推出的5V闪速电擦除存储器（EPROM）,它采用ATMEL公司先进的永久性CMOS技术制造,可快速准确地实现单片机系统编程开发的需要,因此,它可广泛应用于各种单片机系统。文中介绍了它的特点、结构和基本工作原理,并给出了AT29C010A在微型心电图机中的实际应用。     

利柯公司研制高速存取时间的4M屏蔽ROM

利柯公司已研制成低压高速工作的4M屏蔽ROM“RS534340F”，并从1994年4月开始销售。现在开发的屏蔽ROM采用0．sqmCMOS工艺。由于开发在独特分段法和宽范围工作的读出放大器，电源电压为3．3V土0．3，已实现最大存取时间为150us，另外，工作电流为50mA，同时也实现待机时耗散电流为30if人总线宽度是x8／x16替换方式。最适宜的用途是电流驱动的信息通信机。封装为40条腿的PSOP，样品价格为10D0日元，开始生产规模，日产为IO万块。利柯公司研制高速存取时间的4M屏蔽ROM@一凡…     

三菱电机公司开始销售16Mb SRAM的样品

日本三菱电机公司根据JEDEC标准已制成二种16MbSRAM的产品——“M5M4V16807A”，“M5M4V164O7丸’，并于1994年2月开始销售。产品结构：I“07A为ZM字节X8位，16407A为4M字节”4位。工艺采用0．SPinCMOS，二层铝布线。电源电压为单一3．3V，CPU的钟频为100MHz，由于把数据寄存器输出弓！线间的数据总线做成Th段流水线，已实现gns以下数据传输时间。另外，在芯片内部采用装载128位数据寄存器的寄存器方式，在IO6MHZ的频率下可稳定工作。耗散电流在脉冲工作时为150mA，在待机时为2．smA（豆obMHz，VC。为3．6V），在自恢复…     

1兆位3伏闪速电除擦除16位存储器AT29LV1024及其应用

AT29LV1024是ATMEL公司推出的3V闪速电擦除存储器（EEPROM），它采用ATMEL公司先进的非易失性的COMS工艺制造，可快速准确地实现数据的存储，因此，它可应用于各种单片机系统。     

NSC和东芝签订合作协议共同发展连续存储器技术

美国国家半导体公司(NSC)最近宣布和东芝签订合作协议,联手进军速闪存储器市场,根据协议,两家公司将开展一项为期十年的合作计划,包括开发、设计、生产以及取得许可证,经营业务。 基于此项协议,NSC准备向市场推出一系列元件。该公司将于一九九三年第三季推出1M、4M和16M的工程样本,其中1M和4M元件属于NOR类型,而16M则属于NAND类型。NSC的设计中心目前正在开发512K、2M以及8M NOR型的速闪存储器元件。 “NSC的策略是集中设计专门应用系统,而速闪存储器在这类系统中是决定性的技术,更是整个解决方案中极为重要的一环”。NSC的存储器产品部的副总裁兼总经理Bami Bastani博士说。NSC会专注发展16M以上密度的NAND型元件,因为NAND元件在高密度生产时的成本效益较高,而且能够在单一5V电源下工作。     

256k MRAM

在国际半导体电路评审会上 ,摩托罗拉公司发表了 2 5 6ｋＲＡＭ。本次发表的ＭＲＡＭ ,它是以单管和单磁通道连接所定义的存储单元作为基准的 ,实现了不足 5 0ｎｓ读出 /写入周期时间。存储器结构 16× 16 ,读出时所测定的功耗在 3Ｖ电压下为 2 4ｍＷ。采用该结构 ,实现了具有极高成本竞争力的存储器。当进行高速读出 /写入时 ,实际上 ,读出 /写入周期是无限制的。进而 ,由于它具有较高的成本竞争力 ,人们期望ＭＲＡＭ能够取代除了快闪ＲＡＭ和ＤＲＡＭ等以及最快的ＳＲＡＭ之外的现有存储器技术。该公司在美国的亚利桑那州建立一个 2 0 0…     

Intel Strata系列闪速存储器的特点及应用

Intel公司推出了Strata系列闪速存储器 ,该存储器单片容量大 ,可按字节/字模式或不超过32字节的缓冲模式编程 ,并可实现块擦除过程的挂起和唤醒。在实时数据缓冲系统中有着广泛的应用前景。本文以64M位的28F640J5为例介绍其功能特点 ,并结合AT89C52单片机应用系统给出了具体的应用编程。     

话音带通滤波数据采集电路

图1是由微型单电源CMOS运放OPA2337E和12位微功率取样A／D变换器ADS7822构成的话音带通滤波数据采集电路。此数据采集电路为低功率、单电源（＋2．7V～5V）,话音通带300Hz到3kHz。图1中的OPA2337E是Burr－－Brown公司的一种微型封装（SO－23－8）。单电源（25V—5．5V）工作、高速门MHZ,12V／115）、高开环增益（120d）、低静态电流（525PA／amP）的CMOS双运放。图工中的ADS7822是一种12位微功率取样A／D变换器,封装为微型MSOP－8,单电源工作,串行输出。此数据采集电路对于空间限制和低功率应用来说是理想的。图1低…