工业氧量自动分析控制仪的研制及应用

残氧分析是一种广泛用来分析判别燃烧过程好坏的分析方法，新一代氧自动分析控制仪是利用二氧化锆氧传感器来测量工业燃烧过程中的剩余氧含量、分析燃烧过程质量的微机化设备，通过一系列调节控制使整个燃烧过程达到最佳状态。本文阐述了残氧分析方法及其在工业锅炉、硫酸焙烧炉、工业窑炉等耗氧燃烧过程中的应用以及氧自动分析控制仪的工作原理，并对残氧分析及氧自动分析控制仪的实际应用情况作了介绍。     

磁力机械式氧分析仪预处理系统的改进

在监测焦炉煤气氧含量的磁力机械式氧分析仪系统中，采样预处理系统是一个重要环节。在介绍磁力机械式氧分析仪的工作原理和采样预处理系统结构的基础上，结合现场实际，分析了采样预处理系统存在的问题，提出了相应的改进措施，经实施后收到了良好的效果，分析仪运行稳定、测量准确，过滤纸和分析仪测量室的寿命延长。     

基于Nios Ⅱ的ZrO2分析仪的数据采集与处理

基于现场可编程(逻辑)门阵列(FPGA)气体分析仪为在线实时氧含量监测仪,具有结构简单和响应快速的特点,且该ZrO2传感器符合能斯特方程特性.因FPGA浮点计算能力不强,直接用能斯特方程计算氧含量造成系统资源消耗过大,仪表不能实现快速响应.在介绍ZrO2传感器测氧原理的基础上,选择MAX197并采用Nios Ⅱ对测量数据进行非线性化处理,用拟合曲线替代ZrO2传感器特性方程计算氧含量,在保证仪器氧含量计算精度的同时,提高计算效率,减轻CPU的负担,快速准确地进行数据采集与处理,实现实时在线测量.     

最小二乘曲线拟合在DH-6001ZrO2分析仪中的应用

DH-6001 ZrO2 分析仪为在线实时氧含量监测仪,因仪器控制芯片浮点计算能力不强,直接用能斯特方程计算氧含量造成系统资源消耗过大,仪器不能实现快速响应.在介绍最小二乘曲线拟合原理的基础上,采用最小二乘高次多项式对测量数据进行拟合,实现了实时在线测量.     

实用型51单片机氧化锆氧量测量系统

氧化锆测氧系统主要用于测量锅炉烟气中的氧含量.文中主要介绍氧传感器为核心元件的信号测量部分结构和由51单片机AT89C52实现的信号分析及处理部分设计原理.单片机测量系统A/D及D/A转换、电流输出等部分采用高稳定性、高精度集成模块实现,使整套测量系统具有响应快、测量精度高、稳定性好的特点,被广泛应用于冶金、化工、电力、环保等行业.     

基于PSoC的氧含量检测仪的设计

介绍了基于可编程片上系统PSoC的氧含量检测仪的设计思路与实现过程.以PSoC为控制核心,采用双氧化锆氧气传感器O2S-FR实现氧含量的测量,设计了加热丝的温度补偿电路、氧化锆传感器的信号处理电路.详细阐述了利用片内模拟子系统和数字子系统构成系统的软硬件设计.氧含量数据可通过LCD显示或通过RS485上传给上位计算机.     

ZOY—2型氧化锆氧量分析仪

ZOY-2型氧化锆氧量分析仪是以单片机为核心的智能在线测量仪器。它能对烟气的含氧量进行在线实时分析,可即时定量地了解燃烧系统的燃烧情况。如能将氧含量控制(自动控制或手动调节)在最佳区域(一般氧含量在4%到8%),就能保证燃料充分燃烧和有效地抑制SO_3、NO_X的产生。这样就能明显地节约能源,减少对环境的污染,取得明显的社会、经济效益。根据一些已使用过氧量分析仪的单位统计,一般可提高3%～5%的热效率,因此短期就可收回设备的投资。     

氧化锆氧量分析仪在火电厂燃烧控制中的应用

氧化锆氧量分析仪作为发电厂锅炉燃烧的监测仪表,在指导燃烧方面起着重要作用.因此,必须维护好氧量分析仪,使它经常处于正常的工作状态,并能准确测量出氧含量的大小.分析了氧化锆氧量分析仪的主要结构、作用原理,探讨了国内外不同氧化锆氧量分析仪在测量准确度、使用寿命等方面存在较大差异的原因,最后得出造成这种现象的主要因素是材质和制造工艺上的差距.     

智能氧化锆氧变送器在锅炉燃烧控制中的应用

运用预测控制理论和动态温度测定方法研制的智能氧化锆（ＺｒＯ２）氧变送器,使用寿命延长了许多倍,同时还提高了烟道气氧含量的测量精度,优化了锅炉燃烧控制系统的性能。     

磁力机械式和激光气体分析仪的应用

论述2种氧分析仪表的测量原理和异同点,介绍二者在应用中存在的问题.     

基于宽域氧传感器的空燃比分析仪设计与实现

根据LSU 4.9宽域氧传感器的特性,采用通用元件、以STM32F103作为控制算法的实现平台,展开了空燃比分析仪的设计与实现.在硬件方面,以LSU4.9宽域氧传感器中氧化锆的负温度系数(NTC)特性为基础,提出了一种通过交流电压比较内阻值的方式控制氧传感器的温度.此方法不仅简化了电路,而且消除了因测量电路的差异性所产生的影响;在软件方面,针对泵电流存在的摄动,提出了采用比例-积分-微分神经网络(PIDNN)算法实现对氧传感器的反馈控制.实验表明:设计的空燃比分析仪可满足快速启动的要求,且能在0％～12.1％的氧气浓度范围内实现准确测量,动态响应时间短,能良好地跟踪环境氧气浓度的变化.     

氧化锆氧量分析仪的自动采样循环反吹导流器

利用自制的自动采样循环反吹导流器与常规氧化锆氧量分析器的组合以及对其改造,可把常规氧化锆氧量分析器的低端产品变为高性能的氧量分析器产品.它不仅颇适宜在某些高温、高粉尘的电厂锅炉（例如高温和/或高粉尘的流化床锅炉）或热处理气氛炉中使用,而且还能够解决目前行业内的难题——检测器的灰堵问题.本装置最突出的优点是采用的反吹气体是被测烟气,因此反吹气体对测量状态无干扰.     

一种准确简便地标定氧化锆氧量分析仪的新方法

本文提出仅用一种标准气或不用标准气标定氧化锆氧量分析仪的新方法。它符合我国的相关检定规程,适宜含氧量下限不小于0．1％的氧量分析仪的首次检定、后续检定和使用中的检验,尤其适宜在发电厂使用了较长时间后,对“检测器的多孔陶瓷过滤网已破损或其气孔被堵塞程度不明”的情况下进行检定或标定。     

ZrO_2-Ⅱ型氧化锆氧分析仪在锅炉生产中的应用

介绍ZrO2-Ⅱ型直插式微机化氧量自动分析仪的工作原理及组成,常见故障判别方法及日常维护应注意事项。     

基于BP神经网络的氧化锆氧量计的非线性补偿研究

氧化锆氧量计的工作原理是氧浓差电池原理,其氧浓差电势的计算是严重的非线性函数;选用只含一个隐含层的三层BP神经网络结构,充分利用BP神经网络的非线性函数逼近能力,无需模型只要适量的学习样本通过反复训练,即可按指定精度完成对氧化锆氧量计非线性特性的辩识和输出信号的非线性补偿;就隐含层节点数、学习率、误差指标等参数对该方法中BP神经网络训练次数和收敛过程的影响进行了比较研究。     

一种新型高精度溶解氧传感器的设计

采用极谱式溶解氧电极,以低功耗、高稳定性能的NEC单片机为核心处理器,设计了一种新型高精度溶解氧传感器。详细介绍了传感器的工作原理、NEC单片机的各项性能参数、硬件结构以及电路分析、软件设计。针对极谱式溶解氧电极激化时间长的缺点,提出一种实用的解决方案,大大缩短了测量时间。采用18位的A/D转换器与高精度的仪表运算放大器,提高了测量精度。     

运动中的脑氧、肌氧和心率无线同步采集系统研究

设计实时的脑组织血氧量、肌肉组织血氧量和瞬时心率无损同步检测方案与设备,为研究高强度运动对心脑冲击影响、探讨高强度运动中代谢规律提供测试手段.采用双波长近红外光组织氧检测电路测量脑和肌肉中血红蛋白的变化情况;采用心电极检测心率;以nRF9E5为核心设计电路对脑氧、肌氧和心率进行同步采集和无线传输;以PC配接nRF9E5接收电路描记运动中脑氧、肌氧和心率的变化.进行100米跑和套路演练实验,得到了相关数据.脑氧、肌氧和心率无线实时同步采集系统的设计在运动监控和研究中具有重要作用.     

Effect of deep UV laser treatment on silicon‐doped Tin oxide thin film

In this paper, the effect of deep ultraviolet (UV) laser on physical and electrical properties of amorphous Silicon‐doped tin oxide (amorphous Si‐Sn‐O, a‐STO) thin films were studied. Surface morphology, thickness, crystallinity, and optical band gap of a‐STO thin films treated by laser were investigated. Results showed that the decrease of thickness and surface roughness of a‐STO thin films after deep UV laser treatment, and the films maintained an amorphous structure, which implied that the quality of a‐STO thin films were improved. The peak position of oxygen vacancy binding energy became lower; this is caused by an increase in oxygen vacancies resulting in a decrease in coordination number. And the oxygen vacancy content of the a‐STO thin films was increased after deep UV laser treatment. In addition, the optical band gap of a‐STO films was broaden after the deep UV laser treatment. It exploits a new application of deep UV laser in oxide semiconductor.