可逆调速三相可控硅数字触发电路

本文主要介绍了一种三相可逆可控硅速调数字触发电路的原理。其特点是结构简单可靠,精度较高,体积小。用脉冲列触发可控硅。     

基于80C196KC的可控硅触发电路设计

本文介绍一种基于８０Ｃ１９６ＫＣ单片机的可控硅数字触发电路,由于８０Ｃ１９６ＫＣ单片机在脉冲形成方面的卓越性能,所以由它构成的触发电路简单而具有鲜明特点,实践证明该触发电路是一个性能良好的可控硅数字触发脉冲产生电路。     

数字调速系统可控硅数字触发实现

本文重点讨论了微处理机控制全数字调速系统中可控硅触发的实现，并给出相应的硬件电路。通过在全数字直流调速系统中的应用，表明它实用、可靠、分辨精度高，取得池良好的效果，具有推广价值。     

单片机和FPGA的可控硅触发电路的设计与实现

针对模拟集成可控硅触发电路因元件的分散性,各触发器移相控制存在不一致的问题,设计了基于单片机和FPGA的数字式可控硅触发电路,利用A/D转换器将模拟的电压控制量预处理为数字信号量,经由脉冲同步、移向,产生满足要求的可控硅门级触发脉冲.试验结果表明,该数字式可控硅触发电路,控制精确度高,触发角α的控制误差在0.09°-0.66°范围内.     

一种三相可控硅触发电路的设计

采用通用集成电路设计了一种三相可控硅触发电路。该电路利用同步信号的积分与移相信号比较产生触发脉冲,抗同步信号的高频干扰和波形畸变的能力强。这种设计所用元件少,成本低,调试方便。     

多重化整流电路实验中的触发脉冲

触发脉冲在电力电子装置中具有重要的作用与地位.多重化整流电路对交流电压和触发脉冲有特定的严格要求,而现有的电力电子实验装置未针对此要求进行设置.在对三相触发电路的特性进行研究的基础上,提出了多重化整流电路实验中触发脉冲的解决方案.     

微机控制可控硅触发电路

对直流电机电枢换向电源系统的设计提出一种新的改进方案，并结合实例，对改进电路进行了详尽分析。     

一种新型高频软开关型单相整流电路

针对常规单相不可控桥式整流电路输入电流存在死区、呈尖顶波的特点,提出设计了一种采用软开关环节进行续流,使输入电流接近于正弦波的一种控制方法.从而有效地克服和缩小了输入电流的死区范围,减少了谐波分量,改善了系统的功率因数品质.     

简捷的开关型基极驱动电路

提出一种基DC／DC变换器IC大功率晶体管模块的基极驱动电路，减小了驱动损耗，简化了驱动电路与工艺。     

一种简单、实用的带感性负载的交流调压触发电路

本文通过理论分析和实验测试获得一种带感性负载的交流调压触发电路。本电路简单、实用，可用于带感性负载的单相交流调压电路。     

电压切换回路的故障与分析

运行人员用直流拉路法查找变电所内直流接地故障时,误将中央信号屏上电压切换电源断开,导致全所电压小母线失压。文章针对双母线电压互感器二次电压切换存在的问题,分析了电压互感器断线的几种情况和微机保护判别断线的判据,并提出防止二次回路失压误动的措施。     

钟控式触发器理论新探

以钟控式维阻型（正跳变）Ｄ触发器为例，讨论了该种触发器静态分析的各种有关问题，并对广泛使用的时序电路或系统的分析与设计进行定量化。     

新型VBO接口芯片静电放电防护器件

为了改进VBO接口电路静电放电（ESD）防护器件性能,提出2种新的ESD防护器件：栅二极管与面积效率二极管触发可控硅整流器（SCR）. 采用SMIC 40 nm CMOS工艺与SMIC 28 nm PS CMOS工艺制备传统二极管、栅二极管、面积效率SCR;通过半导体工艺及器件模拟工具（TCAD）进行仿真,分析电流密度;通过传输线脉冲测试（TLP）方法,测试不同结构ESD防护器件的Ⅰ-Ⅴ特性. 栅二极管的ESD鲁棒性为19.7 mA/μm,导通电阻为1.28 Ω,相较于传统二极管降低了38.8%. 面积效率二极管触发SCR触发电压为1.82 V,鲁棒性为48.1 mA/μm,相较于传统二极管提升了174.8%. 测试结果表明,栅二极管与ASCR和传统ESD器件相比,性能有极大的提升,适合用作VBO接口芯片的ESD防护.     

次态卡诺图在时序逻辑电路中的应用

基于逻辑电路的设计中经常涉及到用卡诺图化简逻辑函数的过程,给出了利用次态卡诺图设计逻辑电路的方法及不同触发器的状态方程在次态卡诺图上的表示,并举例加以说明。