高浓度水相Sb2O5胶体直接制备环己酮Sb2O5胶体

以体积质量浓度为60％的高浓度水相Sb2O5胶体为原料制备环己酮Sb2O5肢体。直接向该水相Sb2O5胶体中加入数种表面活性剂和环已酮，经过胶团在水中聚沉、胶团表面改性、胶团重新分散于环己酮等几个步骤生成环己酮Sb2O5胶体，原水相Sb2O5胶体中的水随之一起成胶。经试验，该胶体可以与聚氨酯以任意比例互相融合。     

P2O5-SiO2系快质子导电材料结构及电性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了P2O5-SiO2系质子导电材料,借助XRD、SEM、FT-IR表征了其结构,并分析了材料电导与组成、温度的关系.结果表明,材料具有微孔结构,含有水分子和形成氢键的质子;在30～70℃,P2O5-SiO2材料电导随温度的升高、磷含量的增加而提高,电导率可达10-2S·cm-1.     

CaO-Al2O3-P2O5-ZnO玻璃水泥的形成

首次在１４５０℃合成了以「ＰＯ４」和「ＡｌＯ４」形成网络结构的、具有良好本征水硬性的ＣａＯ－Ａｌ２Ｏ３－Ｐ２Ｏ５－ＺｎＯ玻璃水泥,分析了形成玻璃水泥的基本理论依据。应用光学显微镜,Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、电子探针微区分析（ＥＰＭＡ）、Ｆｏｕｒｉｅｒ红外光谱（ＩＲ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）分析了Ｚｎ＾２＋对玻璃水泥的相组成和相形态形成及其结构的影响,并分析了对水泥水硬性的影响规律。     

P2O5-PbBr2-PbF2系玻璃抗析晶能力的研究

为了提高P2O5－PbBr2-PbF2系铅卤磷酸盐玻璃的热稳定性，采用非等温差热分析实验研究了P2O5－PbBr2-PbF2玻璃的抗析晶能力和非等温析晶特性与成分之间的关系。研究结果表明：在不同的加热速率下，采用ΔT、H′和Hr等玻璃热稳定性判据判断玻璃的抗析晶能力均难以得到一致的结果：kD(T)和kb(T)判据结合了析晶动力学和热力学因素，不受玻璃成分和升温速率影响，是比较好的玻璃抗析晶能力的判据；采用kD(T)和kb(T)判据发现玻璃的成分为PbF2/(PbBr2 PbF2)≈0.3时，样品具有最强的玻璃形成能力；P2O5-PbBr2-PbF2玻璃析晶的Avrami指数n约为2，表明玻璃在加热过程中同时存在表面析晶和整体析晶。     

ZnO-Al2O3-P2O5玻璃水化过程及机理的研究

研究了不同Al2O3/P2O3摩尔比和热历史的ZnO-Al2O3-P2O5玻璃在不同条件下的水化过程,利用XRD对部分水化过程的水化产物进行了晶相分析,探讨了其水化机理.结果表明:Al2O3/P2Os比的增加及退火均可降低ZnO-Al2O3-P2O5玻璃的水化速率;玻璃的水化累计失重量均与水化时间成线性关系,水失重百分数随着水化温度的提高,呈指数规律增加.研究认为:ZnO-Al2O3-P2O5玻璃的水化过程受表面水化层与内部未水化部分间的界面化学反应控制,水化过程中玻璃网络解体,相继生成了[P2O7]4-和白色不溶性物质Zn2P2O7·3H2O.     

Ti6Al4V钛合金表面Ta2O5/Ta2O5-Ti/Ti多涂层的制备与性能研究

采用磁控溅射技术在Ti6Al4V钛合金表面制备了Ta_2O_5/Ta_2O_5-Ti/Ti多层涂层;利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和X射线光电子能谱仪 (XPS),分析了涂层的微观结构、物性组成和化学价态;通过划痕仪、纳米压痕仪、摩擦磨损试验机和电化学工作站,检测了涂层的结合强度、力学性能、摩擦系数和耐腐蚀性。研究结果表明,Ta_2O_5/Ta_2O_5-Ti/Ti多层涂层表面由峰型颗粒组成,粒径大小均匀,涂层结构致密。与Ti6Al4V相比,Ta_2O_5/Ta_2O_5-Ti/Ti多层涂层试样具有较小的摩擦系数,较高的腐蚀电位和较小的腐蚀电流密度,表现出良好的耐磨和耐腐蚀性能,能对Ti6Al4V合金植入材料起到较好的保护作用。     

P2O5掺杂量对磷化酚醛树脂热解碳导电材料结构的影响

用苯酚和甲醛在P2O5不同掺杂量酸化处理下合成了可溶性磷化酚醛树脂,经在氮气气氛下进行热裂解,制备了磷化酚醛树脂热解碳导电材料(PPAS);用FTIR、XRD、TG、SEM、XPS、BET、元素分析等方法对所制备材料进行了结构表征,用标准四探针方法对裂解产物的室温电导率进行了测定. 研究结果表明,在酚醛树脂酸化过程中,当P2O5用量<5%时,所制备的热裂解材料呈现无定形结构,热裂解产物的比表面积比未磷化的裂解产物的比表面积增大;当P2O5用量在10%～20%范围时,所制备的热裂解材料呈现片状晶体结构,裂解产物的比表面积随P2O5用量的增大而减小;当P2O5掺杂量为40%时,所制备的热裂解材料呈纳米球状结构,电导率达6～7S/cm.     

V2O5干凝胶薄膜的制备及应用

综述了V2O5干凝胶（VXG）薄膜的结构组成特性，介绍了VXG薄膜的制备方法及其在电压开关、气体传感器、湿度传感器、智能窗和锂电池等领域的应用，指出了该研究存在的问题和发展前景。     

P2O5对C6A4MS-C2S-C4AF系中β-C2S稳定作用研究

本文研究了C6A4MS-C2S-C4AF系中R2O5对β-C2S的稳定性问题.结果表明:P2O5的掺入能有效抑制β-C2S转变为γ-C2S,稳定β-C2S;少量P2O5对C6A4MS的形成无抑制作用.     

氧化物掺杂对钒磷铋系玻璃性能的影响

本研究制备了以V2O5、P2O5、B2O3为基体,掺杂Na2O、Li2O、CuO、Sb2O3、B2O3为辅助原料的低熔点钒磷铋系玻璃。研究了氧化物的添加对钒磷铋系玻璃的骨架网络结构、特征温度、热膨胀系数和化学稳定性的影响。实验结果表明:CuO的添加使钒磷铋系玻璃特征温度明显下降,而Na2O、Li2O、Sb2O3和B2O3的添加使钒磷铋系玻璃特征温度均有不同程度的上升。添加B2O3能够大幅度降低钒磷铋系玻璃的热膨胀系数。氧化物对钒磷铋系玻璃的耐水性影响程度为:CuO>B2O3>Sb2O3>Na2O>Li2O;耐酸性影响程度为:B2O3>CuO>Sb2O3>Na2O>Li2O;耐碱性的影响程度为:Sb2O3>Na2O>CuO>B2O3≈Li2O。配比为5%Na2O,5%Li2O,3.5%CuO,10%Sb2O3和5%B2O3制得的钒磷铋系玻璃,热膨胀系数更接近于氧化铝陶瓷基板,拥有较高的耐腐蚀性,能够用于电子浆料中。     

草酸盐法制备硼酸镁晶须及其生长机理

以MgCl2·6H2O、H3BO3和H2C2O4·2H2O为原料,利用草酸盐法制备出长度为4.0～8.0μm,直径为0.6～1.5μm,长径比约为10,形貌良好的硼酸镁晶须。采用XRD、SEM及TG-DTA等分析手段,研究了烧结温度、烧结时间、n(B)/n(Mg)、n(H2C2O4)/n(Mg)对硼酸镁晶须的生长过程和质量的影响,探讨了其最佳制备条件。结果显示,硼酸镁晶须的最佳制备条件为:烧结温度为800℃,烧结时间为4.0h,n(B)/n(Mg)=1.2,n(H2C2O4)/n(Mg)=1.2。根据XRD和TG-DTA分析,MgC2O4前驱体对硼酸镁晶须的形成和生长有较大的促进作用,分解产物不引入其它杂质,使得制备的晶须纯度较高。晶须的生长机理为S-L-S机理。     

CaF_2∶Mn热释光材料的研究

研究了ＣａＦ２∶Ｍｎ热释光材料的制备方法和发光曲线、剂量响应曲线、响应的时间衰退特性、剂量率响应、能量响应等剂量学特性。结果表明,ＣａＦ２∶Ｍｎ是一种理想的热释光材料,可用于抗辐射加固研究中半导体材料及电子器件辐射吸收剂量的测量     

还原五氧化二钒制备二氧化钒粉末

本文采用碳热法还原V2O5制备钒的低价氧化物VO2.用XRD分析生成物的相结构,用DSC/TGA的分析结果推测反应历程.结果表明:反应经历了674°C-710°C期间生成V6O13和710°C以上完全形成VO2的过程.将VO2与LAS玻璃复合烧结成陶瓷,对其进行阻温测试,结果表明:在室温至100°C间复合陶瓷电阻急骤下降,这是由VO2的半导体-金属相变效应引起的.     

Se化Cu2ln2O5法制备CulnSe2薄膜的机理及性能研究

黄铜矿型ＣｕｌｎＳｅ２（ＣＩＳ）多晶薄膜具有优良的光伏特性。在对现有制备工艺进行了对比分析的基础上,首次采用ｓｏｌ－ｇｅｌ法制备了Ｃｕ２ｌｎ２Ｏ５（ＣＩＯ）薄膜,经Ｓｅ化获得了结构均匀、表面平整、组成接近于化学计量比的ＣＩＳ薄膜电阻率介于１０＾５～１０＾６Ω．ｃｍ之间,与国外采用其它高成本工艺制备的薄膜性能相当。基于上述实验,对Ｓｅ化ＣＩＯ法制备ＣＩＳ半导体薄膜的机理及材料的光伏性能进行了分析。     

还原氧化钽制备钽粉工艺研究进展

评述了几种由氧化钽还原制取钽粉的新工艺。并阐述了不同方法的工艺原理、特点和产品特性。钠还原法反应时间短,还原温度范围广,能过得到高纯度高比表面的钽粉。FFC法具有工艺简单,污染小,成本低的特点,可以用来制备电容器级粉末。SOM法电解速度快,具有很好的发展前景。采用镁蒸汽还原能够得到性能好的钽粉,但是还原时间长,还原装置复杂。     

N2O5/HNO3体系硝解三(N-乙酰基)六氢化均三嗪制备RDX

采用乙腈和三聚甲醛为原料、浓硫酸为催化剂合成三(N-乙酰基)六氢化均三嗪(TRAT),再以N2O5/HNO3为硝解剂合成黑索今(RDX)。实验表明:当摩尔比n(N2O5):n(HNO3):n(TRAT)=60:6:1,硝解温度50℃,反应时间为1h时,RDX的最高产率可达87.4%。产品通过红外光谱、核磁共振进行了表征,并对副产物进行了研究,副产物通过质谱验证。     

焦磷酸钠湿法钠化改型铝基膨润土的研究

研究了钠化条件对焦磷酸钠湿法钠化武平中山铝基膨润土钠化效果的影响.较佳的钠化条件是钠化温度80℃、钠化时间90min、钠化剂用量17%、矿浆浓度10%.在此条件下,铝基膨润土经焦磷酸钠钠化改型后钠化土的膨胀容(VB)高达30.6ml/g,阳离子交换容量(CEC)高达120mmol/100g,经X射线衍射分析,d(001)值为1.299888nm,完全达到制备优良有机膨润土所需原材料的质量要求.