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相似文献
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1.
基于RT8482的大功率LED驱动电路设计   总被引:1,自引:1,他引:0  
根据发光二极管的V-I特性,设计了一款基于RT8482芯片的升压恒流大功率LED驱动电路,其输出电压自适应。该电路主要包括输入电源反接保护单元、LED升压恒流驱动单元、PWM数字调光与变阻模拟调光单元、扩流输出单元等,电路同时还具有过压保护、过流保护等功能。测试结果及实际使用表明:该电路在12V输入电压下驱动84w大功率白色LED灯珠阵列时输出电流恒定,其效率可达89.16%,且亮度调节范围宽、精度高,适用于通用与景观照明、汽车照明、室内装饰及电子设备背光等大功率LED照明应用领域。  相似文献   

2.
<正> NCP5603是安森美公司生产的一种可驱动大功率白色 LED 的升压式电荷泵集成电路;它同样可驱动其它发光颜色的大功率 LED。主要特点工作电压为2.7~5.5V(最适用于1节锂离子电池供电,用于便携式电子产品,或采用3节可充电的镍镉电池或镍氢电池供电);升压式电荷泵电路能自动根据输入电压的大小改变其升压电路结构(不升压、升压1.5倍或升压2倍),以改善效率;可输入 PWM 信号实现调光;在不同的电池电压下连续输出电流为80~200mA;脉冲输出电流可达350mA;可选择振荡器工作频率;可选择  相似文献   

3.
黄少卿  景为平 《微电子学》2016,46(4):467-470
设计了一种降压型LED恒流驱动芯片。该芯片采用电流滞环控制技术对输出电流进行恒流控制,实现输出高达2 MHz的开关频率。通过比较外部反馈电阻上的压降与芯片内部的滞环电压,使输出电流的波形为滞环变化三角波。采用了全新的自适应滞环电压产生电路,以补偿芯片内部的延时,实现了在2 MHz的开关频率下小于3%的恒流精度。该LED恒流驱动芯片采用ASMC 0.35 μm 5 V/60 V BCD工艺,工作电源电压范围为5~60 V,最高工作频率为2 MHz,典型平均输出电流为700 mA。该芯片具有PWM调光功能,通过DIM信号的占空比来调节LED的亮度。  相似文献   

4.
本文讨论的简单电路能够调节高亮度LED的驱动电流,该电路采用非定制、高度集成的降压型开关调节器(MAX5035),能够准确地控制流过LED的电流。MAX5035DC/DC转换器在7.5V至76V宽输入电压范围内保持125kHz固定工作频率,是汽车应用的理想之选。亮度控制可以通过模拟(线性调节)或低频占空比(PWM调节)方式实现。  相似文献   

5.
大功率LED驱动控制器LT3474/LTC3783   总被引:1,自引:0,他引:1  
<正> 700mA、1A、1.5A 等大功率 LED 正在汽车、建筑、航空、航海和大屏幕 LCD 等领域得到应用。凌力尔特公司生产的 LT3474和 LTC3783单片 IC 为驱动大功率 LED 提供了简单和高效的解决方案。一、LT3474及其驱动1A LED 的电路LT3474是一种支持多种电源的降压型1A LED 驱动器。该器件采用节省空间的16引脚 TSSOP 封装,输入电压范围为4~36V,输出电压可达15V,工作效率可达87%,PWM 调光范围为400∶1。1、LT3474的汽车用1A LED 驱动器利用汽车12V 电池供电的1A LED 驱动器电路如图1所示。图中,C1为输入电容,C4为输出电容,D1为肖特基二极管,L1为输出电感器,R_T 用作设置开关频率(范围可以从200kHz 到2MHz)。LT3474采用高端电流  相似文献   

6.
本文提出了一种基于电流PWM模式DC-DC转换器的全集成LED驱动器。设计了一个软启动电路,用以消除启动瞬间的浪涌电路与过冲电压。此外,为了调整LED的亮度但不产生色散,同时获得较宽的调光范围和较高的效率,设计了一个PWM调光电路。另外,设计了一个内部补偿网络,用来消除占空比大于50%时产生的次谐波振荡,以保证LED驱动器的环路稳定性。UVLO电路保证了LED驱动器在输入电压变化时的可靠性。LED驱动器采用标准的0.5 μm CMOS工艺生产。实验结果表明:LED的亮度可被一个片外的PWM信号调整,在较宽的调光范围内。在全负载变化范围内,电感电流以及输出电流在启动时都平滑上升。当输入电压低于2.18V芯片被锁定,典型的启动时间为137μs。  相似文献   

7.
滞环电流控制的大功率LED恒流驱动芯片设计   总被引:3,自引:1,他引:3  
设计了一款滞环电流控制的大功率LED恒流驱动芯片,其采用高边电流检测方案,通过内部电流检测电路对LED驱动电流进行滞环控制,从而获得恒定的平均电流。芯片采用9VBICMOS工艺流片,可输出350mA电流驱动1W的LED,也可输出750mA电流驱动3W的LED。在4.5~9V输入电压范围内,芯片输出驱动电流变化小于3.5%。在环境温度从25°C变化到100°C时,芯片输出驱动电流变化小于5%。由于滞环电流控制环路存在自稳定性,芯片无需补偿电路。  相似文献   

8.
基于CSMC 0.5μm标准CMOS工艺,设计了一款乱序PWM控制的LED恒流驱动芯片.芯片电路使用乱序PWM技术提高LED的刷新速率,采用PWM合成技术提高LED的色彩灰度等级,利用恒流驱动技术降低LED的光衰.在电源电压为3V~5.5V、温度-40~85℃条件下,基于Cadence平台中的Spectre进行仿真验证.仿真结果表明:LED的刷新速率跟随输入的影像数据大幅度提高;PWM 合成模式实现14位LED显示灰度,点校正模式可以完成6位的色度修正;输出电流误差为±5%.  相似文献   

9.
高亮度LED的高效率电流驱动电路   总被引:5,自引:0,他引:5  
本文介绍调整高亮度LED电流的简单电路.它包括一个流行的高集成降压开关稳压器,此开关稳压器能精确地控制LED电流.MAX5035是工作在125KHz固定频率的DC/DC转换器,其宽范围的输入电压(7.5V~76V)特别适合于汽车应用.对于亮度控制,它能实现模拟(线性调光)或低频占空比调制(PWM调光).  相似文献   

10.
基于HV9910B的LED降压驱动电路设计研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
LED照明需要稳定、可靠的恒流驱动电路。应用LED驱动芯片HV9910B设计了大功率高亮度LED驱动电路。提出了基于该芯片的设计方案,采用DC/DC降压型拓扑结构,以输出恒定电流的方式驱动LED。重点解析了整个电路的详细设计过程。该电路的输入电压为12 V,可驱动2个1 W的大功率LED发光,驱动电流达350 mA,并具有PWM调光功能。对该设计的测试结果表明,电路的效率可达89.2%,优于大部分同类电路,且电路的PWM调光线性度良好,性能稳定可靠。该电路所需的外围元器件少,电路结构简单,设计方便,广泛适用于通用的LED照明场合。  相似文献   

11.
一种反激式LED恒流驱动电路的设计与实现   总被引:1,自引:1,他引:0  
设计了一种输出功率达120W的反激式变换LED恒流驱动电路,其输出电压范围为33~37V,可为120只功率为1W的LED管采用10串12并混联方式组成的LED阵列提供驱动电流。对其功率因数校正电路、反激式变换电路、恒流控制电路进行了设计和试制,性能测试表明,其输出恒流效果较好,电流稳定度约2.7%,输出电压纹波低,可用于恒流驱动混联方式组成的多只LED阵列。  相似文献   

12.
陈景忠 《半导体光电》2014,35(1):149-152
设计了一种输出功率约50W的LED恒流源驱动模块,其负载为由多只LED管(每只功率为1W)采用混联方式组成的LED阵列。通过对其电流型反激式变换及恒流控制电路的设计与试制,并在不同输入电压下,改变负载测试,可看出其电流变化规律基本相似。随着负载变小,输出电压升高,输出电流逐渐减小,输出电流稳定度达4.6%。在一定负载时,输出电压值保持在47.2V左右,电压纹波峰-峰值约为400mV。电流波动约0.05A,输出电流稳定可靠,可用于对多只串并混联的LED阵列驱动供电。  相似文献   

13.
陈景忠 《半导体光电》2013,34(1):149-152
设计了一种输出功率约50W的LED恒流源驱动模块, 其负载为由多只LED管(每只功率为1W)采用混联方式组成的LED阵列。通过对其电流型反激式变换及恒流控制电路的设计与试制, 并在不同输入电压下, 改变负载测试, 可看出其电流变化规律基本相似。随着负载变小, 输出电压升高, 输出电流逐渐减小, 输出电流稳定度达4.6%。在一定负载时, 输出电压值保持在47.2V左右, 电压纹波峰-峰值约为400mV。电流波动约0.05A, 输出电流稳定可靠, 可用于对多只串并混联的LED阵列驱动供电。  相似文献   

14.
This paper presents a novel high precision and wide range adjustable LED constant-current drive controller design. Compared with the traditional technique, the conventional mirror resistance is substituted by a MOSFET with fixed drain voltage, and a negative feedback amplifier is used to keep all mirror device voltages equal, so that the output current is precise and not affected by the load supply voltage. In addition, the electric property of the mirror MOSFET is optimized by a current subsection mirror (CSM) mechanism, thus ensuring a wide range of output current with high accuracy. A three-channel LED driver chip based on this project is designed and fabricated in the TSMC 0.6 μm BCD process with a die area of 1.1 × 0.7 mm~2. Experimental results show that the proposed LED drive controller works well,and, as expected, the output current can be maintained from 5 to 60 mA. A relative current accuracy error of less than 1% and a maximal relative current matching error of 1.5% are successfully achieved.  相似文献   

15.
针对现有LED驱动电路存在电解电容限制寿命的不足,提出了一种无电解电容的LED驱动电路的设计方法。该方法采用Panasonic松下MIP553内置PFC可调光LED驱动电路的芯片,与外部非隔离底边斩波电路合成作为基本的电路结构,输出稳定的电流用以满足LED工作的需要。同时设计保护电路来保护负载。实验结果表明,控制器芯片能稳定工作,并且可以实现27 V的恒压输出和350 mA的恒流输出。  相似文献   

16.
文中介绍了一款高亮LED驱动芯片HV9931,对HV9931的特点及性能作了详细说明,用Cuk变换器为主电路,以HV9931为控制芯片,设计了一款高亮LED驱动电路,给出了实验结果。该电路能在较宽的输入电压范围内保持输出电流的稳定,实现了LED的可靠照明。  相似文献   

17.
发挥LED的高效率、长寿面等诸多优点需要可靠、高效率的LED驱动电源,而恒流LED驱动电源是未来发展的趋势。基于TOP222设计了一款反激式恒流LED驱动电源,重点设计了恒流驱动电源的变压器和恒流反馈回路。实验结果表明:该电源输出额定电流为1 A,额定功率为10 W,低负载情况下以恒压方式输出。具有较好的稳定性,恒流特性和较高的效率,能够作为稳定、高效的LED驱动电源。  相似文献   

18.
LED(Light Emitting Diode)作为新一代绿色光源,具有节能、环保和光转换效率高等特点,在照明应用方面已广泛展开.尤其是大功率LED光源更是备受喜爱,由于LED光源不能直接用市电220v电压直接供电,需特殊电压供电,因此,需要专门的驱动电路来点亮LED.本论文主要介绍一种LED恒流驱动电路,其采用恒流芯片PT4115来实现对大功率LED的高效恒流驱动.此电路具有效率高、成本低,可靠,安全等优点,适合当今大功率LED驱动电路的市场发展前景.  相似文献   

19.
Owing to the fact that the LED drive circuit must have constant output current control, we propose a controlled current driver with a high precision for the white light LED. Three discrete constant current settings are available and may be selected at the supply voltage from 2.9 V to 4.4 V, which is up to 1 A. An autozero transconductance amplifier is proposed, which effectively improves the precision, reduces the offset voltage and the noise. The variation in the ratio of the external resistor current to the LED load current is less than 2.3%, when the LED load current changes from 200 mA to 800 mA.  相似文献   

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