一种改进的基于BCD工艺的UVLO设计

基于CSMC 0.5 BCD工艺,设计了一种改进型无需基准电压源的欠压锁定(UVLO)电路.该欠压锁定电路在传统带隙比较器的基础上,引入高阶温度补偿和正反馈机制,使得该欠压锁定电路结构简单、温漂小、速度快、迟滞效果好、稳定性高.使用cadence spectre仿真,得到带隙比较器产生的带隙电压为1.183V,且在-6...     

一种自适应迟滞性比较器的设计

设计了一种由滤波器和迟滞比较器构成的传输频率信号电路。设计使用滤波器将输入信号改变适当的相位作为迟滞比较器标准端的信号,而原信号输入比较器的另一端。那么由于迟滞比较器标准端的电压同时随输入信号改变。电路对不同的信号有一定的适应能力。即对不同的输入信号,不需要另外确定标准端的电压。简化了电路,提高了可靠性。同时滤波器的加入使电路同时获得频率选择的能力。仿真证明了电路的可行性。     

一种基于带隙比较器的过热保护电路

设计了一种基于带隙比较器的过热保护电路。该电路可用于功率集成电路和电源管理芯片中。采用0.6μmBiCMOS工艺对电路进行了仿真。结果表明,该电路对温度灵敏度高,关断和开启温度点受电源电压和工艺参数变化的影响很小。通过比较器的迟滞功能防止了热振荡现象的发生。     

一种高性能欠压封锁电路

基于0.6μm BiCMOS工艺设计了一种无需基准电压源和比较器的高性能欠压封锁电路(UVLO)。利用带隙基准电压源的原理,实现了欠压封锁的阈值点和迟滞量;而且带隙基准电压源结构自身的稳定性决定了欠压封锁能够稳定工作。仿真验证结果表明,该欠压封锁电路的翻转阈值点几乎不随温度变化。     

双极工艺下一款高共模输入电平迟滞比较器的电路设计

设计了一种基于双极工艺的迟滞比较器,具有高共模输入电平、低功耗和低成本的优点,通过设计可以方便的调整迟滞电压。迟滞比较器的上门限电压为7.4V,下门限电压为6.9V,迟滞电压为0.5V,功耗约为0.74mW。此外,还对迟滞比较器中两级运算放大器放的稳定性和频率补偿原理进行了介绍,并对对电路的稳定性进行了仿真测试,得到了约60度的相位裕度。     

一种电机驱动芯片的欠压保护电路设计

基于先进的0.35um BCD工艺,对传统欠压保护电路缺点进行分析,设计实现了一种可应用于电机驱动芯片的欠压保护电路。电路结构简单,不需要额外的带隙基准电路,同时也省去了电压比较器电路。特别地,电路考虑了器件的温度特性,减少温度变化对电路的翻转阈值和迟滞量的影响。通过使用Cadence Spectre工具进行电路仿真,结果表明电路工作正常,当电源电压降低到2.7V时,输出低电平,当电压重新上升到2.83V时,输出恢复到高电平,迟滞量为0.13V,具有迟滞功能。     

一种高转换速率衬底电位选择电路的设计

本文基于0.5μm 5V DPTM CMOS工艺设计了一款用于LED驱动芯片的衬底电位选择电路。该电路采用峰值电流镜作为偏置,使其在低电压下能够正常工作,并运用源端输入带正反馈的比较器,使得电路具有一定的迟滞和高的转换速率,最后巧妙的设计了输出级,使输出结果尽可能的与芯片中的最高电压相等。仿真结果显示,比较器的转换速率为55.7V/μs,并且具有0.2V的迟滞,满足设计要求。     

基于０.２５μｍＢＣＤ工艺的一种新型低温漂欠压保护电路

本文提出了一种结构简单并且具有低温度敏感性的新型欠压保护电路。该电路避免了传统欠压保护电路的基准电压产生模块和比较器模块,利用带隙基准结构和高阶温度补偿的方法减小阈值电压和迟滞电压随温度的变化量,提高了UVLO电路的独立性和可靠性。基于 0.25um BCD 工艺设计实现的新型欠压保护电路芯片面积为0.04mm2,功耗为0.14mW。在温度为25时,新型欠压保护电路的上升阈值8.625V,下降阈值8.145V,迟滞量为0.48V,能够满足电源管理芯片的应用要求。在-40~125温度变化范围内,该电路的阈值电压和迟滞电压的最大变化量分别为53 mV和 50 mV,具有低温度漂移特性。     

低功耗精密电源监控电路设计与开发

电源监控电路的主要功能是上电或电源电压低于设门限时产生复位输出，保证单片机在电源电压、系统时钟稳定可靠的前提下工作。设计了一种以低温票带隙基准为核心的电压检测电路，包括电源比较电路、带隙比较器、可调电压失效比较器、振荡器、计数器和数字控制逻辑，用于实现上电复位和欠压保护。经过仿真证明该电路阈值电压随温度变化小，性能稳定可靠，并且具有低功耗和高精度的特点。     

一种利用比较器实现可靠启动的带隙基准电压源

提出一种在启动电路中使用比较器配置的带隙基准电压源,解决了带隙基准电压源由于使用双极型晶体管而存在的潜在启动失败问题.该带隙基准电压源通过启动电路的比较器来正确判断启动和关闭点以保证电路启动到理想的工作点,并在电路启动后正常关闭启动电路以缩减功耗消耗,同时避免了其它启动电路存在的问题:引起电路抖动或者求助一些系统中很少使用的上电复位信号等.该带隙电压基准电路提供0.9V的带隙基准电压时,可以工作的电压范围和温度范围分别是1.2V～3.6V和-40～110℃,而且该输出电压在给定的电压和温度范围内仅有5％的变化.     

一种用于马达驱动芯片的过热保护电路

设计了一种应用于马达驱动芯片的过热保护电路。该电路主要由使能电路、基准电压源、温度检测电路、比较输出电路四部分组成。其中,温度检测电路利用PNP晶体管的发射极-基极电压具有负温度系数的特点;为了防止热振荡发生,比较输出电路采用具有磁滞功能的电压比较器。HSPICE仿真结果表明,该电路温度灵敏度高,关闭和开启温度点受电源的影响很小。     

高共模输入电平的迟滞比较器设计

提出了一种新颖的基于双极工艺的迟滞比较器,该电路在保持了传统电路的高共模输入电平和低功耗的优点的同时,在电路结构上比传统的电路节省了一级射随器。此外,为了保证该迟滞比较器中两级运算放大器的稳定性还进行了频率补偿的研究,并对该电路的稳定性进行了仿真,其仿真结果保证了60°的相位裕度。该迟滞比较器的电路使用华润上华1μm双极晶体管工艺实现,芯片测试结果表明,其上阈值点为7.4 V,下阈值点为6.92 V,迟滞电压约为0.48 V,输出高电平约为0.76 V,电路工作稳定。     

基于迟滞比较器的过热保护电路设计

为了防止芯片过热,提高芯片可靠性和稳定性,采用0.5μm CMOS工艺,设计了一种具有迟滞比较器的过热保护电路。由于采用了折叠式运放,使得比较器输入范围更大,灵敏度和迟滞性能更好。利用Cadence Spectre仿真工具对电路进行了仿真,结果表明电源电压为4.5～7 V时,过温保护阈值变化量极小,表现出输出信号对电源的良好抑制。当温度超过130℃时,输出信号翻转,芯片停止工作;温度降低至90℃时,芯片恢复工作。此电路可以通过调整特定管子的尺寸而控制两个阈值电压的大小,从而避免热振荡的发生。     

基于Protues的集成运放非线性应用仿真

集成运算放大器是电子系统中最重要的模拟器件。它的应用主要分为线性应用和非线性应用。在非线性应用中,运算放大器构成的单门限电压比较器、迟滞比较器是构成矩形波、三角波和锯齿波等信号产生电路的核心模块。在此主要讨论利用Protues平台对集成运放的非线性应用设计及仿真。     

CMOS音频功率放大器的旁路电压控制电路

基于CSMC0．5umCMOS工艺设计一种带滞回功能的高稳定性电压控制电路,利用迟滞比较器对旁路电压和基准电压进行比较并控制电容的充放电,提高了电压的稳定性。Cadence Spectre仿真结果表明,该电路产生的电压稳定性高,功耗低,且其滞回功能能有效抑制噪声。与普通的旁路电压控制电路相比,具有更高的稳定性和抗噪声能力,可广泛用于各种功率放大器内部。     

一种新型低电压极限电流检测电路

为磁滞电流控制的DC-DC开关稳压器设计了一种新型的极限电流检测器。该电路不借助于专门的电流检测电路,只使用一个检测MOSFET和一个电压比较器来实现极限电流检测,减小了电路的复杂度。针对电流检测器的要求,设计了一种低电源电压、高共模电压的比较器。使用TSMC 0.18μm CMOS混合信号工艺,对电路进行设计。结果表明,电路具有很好的容差特性,并且电路可工作在1.2 V的低电源电压下。     

SW3424电源电压监控保护电路的设计与应用

本文介绍并分析了一种电源电压监控保护电路的工作原理及应用。该保护电路采用了双通道输入／双通运输出。输入比较器有较宽的共模电压范围，有可编程磁滞输入和可编程输入／输出延时。输出采用了大电流驱动输出和显示输出。本文给出了其主要性能指标、典型应用连接图及需注意的问题。该电路可广泛用于航空、航天、雷达、通信及精密仪器等领域。     

适用于D类音频功放的动态迟滞PWM比较器

系统介绍了基于PWM（Pulse Width Modulation）调制的D类音频功率放大器的原理及特点。针对传统比较器迟滞固定的不足,通过引入两路电流反馈,设计了一种新颖的动态迟滞PWM比较器。同等分辨率下,其抗噪声能力远好于传统的比较器。电路的设计基于TSMC 0.6umBCD工艺。Spectre仿真结果表明,在载波以及输出的不同状态下,比较器的迟滞在20mV与80mV之间切换,并且其增益高达79dB,单位增益带宽大于10MHz。