4互补金属——氧化物——半导体集成电路

互补金属——氧化物——半导体集成电路(Camplementary Mos Integrated Circuits),它是把P型沟道及N型沟道MOS晶体管制作在同一片子上来构成的电路。单沟道(P型或N型沟道)MOS集成电路多半是使用MOS晶体管作为负载电     

初学者知识园地

它是以金属—氧化物一半导体场效应晶体管为主体构成的集成电路,简称为MOS集成电路。以N型沟道MOS晶体管构成的集成电路,称为N沟MOS集成电路,以P型沟道MOS晶体管构成的集成电路称为P沟MOS集成电路,二者统称单沟MOS电路。 N沟器件的多数载流子是电子,P沟器件的多数载流子是空穴。场效应器件是多数载流子工作的器件,电子比空穴的有效质量小,迁     

1986年南京工学院硕士研究生入学试题及题解

试题名称:线性电子线路一、1.在接成共发组态的晶体三极管中,基区宽度调制效应如何影响它的输入特性曲线(i_B～u_(BE))和输出特性曲线(i_(?)～u_((?)E))。2.试画出 N 沟道结型场效应管、N 沟道增强型 MOS 场效应管和 N 沟道耗尽型 MOS 场效应管的转移特性曲线(i_D～u_(GS))。二、用 N 沟道增强型 MOS场效应管构成的放大器(图1),T_2和 T_1均工作在饱和区,并有相同的特性,其中 T_2为 T_1的有源负载,E_G=5V。试画出它的交流等效电路,并求:1.输出静态工作点电压 U_0;2.T_2和 T_1管的跨导 g_(m1)和 g_(m2);3.电压增益 K=(u_0)/(u_i)。已知两管的特性均为如 i_D=k(u_(GS)-V_T)~2,式中 k=0.05mA/V~2,V_T=3V。三、一反馈放大器的环路增益为     

一种无隔离区的DYL MOS混合集成新电路

本文实现了一种无隔离区的DYL MOS混合集成的新电路。考虑到多元逻辑电路的主要基本单元线性“与或’门和MOS集成电路的自隔离特点,只要对它的工艺过程稍加调整,即可在同一芯片上制成了互相隔离的适合线性“与或”门需要的大,小β晶体管和P沟道MOS晶体管。用这种集成技术,在N型硅片上试作了由双极晶体管和P沟道MOS晶体管组成的反相单元。这种电路工艺简单,可与DYL线性“与或”门在工艺上兼容,具有输入阻抗高、输出阻抗小,并可和DYL电路与TTL电路相容等优点。     

硅的局部氧化器件

说明硅的局部氧化技术可用于制造许多新的或改进了的器件结构。在双极集成电路中可以用氧化壁隔离来代替通常的隔离扩散,这有可能导致高的包装密度。另外,在双极晶体管的制备中这个方法能自对准,这使工艺过程简单了。在MOS集成电路中可以制作自对准的栅氧化区以及自对准的扩散沟道截断环。这样用比较简单的工艺可以实现P型沟道以及N型沟道MOS电路。通过氧化物-氮化物夹层结构的控制钻蚀(LOCOS-Ⅱ工艺)可更好的制作沟道截断环。     

一种降低氧化物表面态电荷密度的新方法——C_2HCl_3氧化技术

本文介绍一种降低硅氧化物表面态电荷密度的新工艺——三氯乙烯(C_2HCl_3)氧化技术。采用本工艺能较稳定地将表面电荷密度N_(ss)控制在10~(10)数量级,在10～12Ω-cm的P型衬底上制作出N沟增强型MOS器件。经过系统的实验,在研制N沟MOS大规模集成电路的栅氧化工艺中已用C_2HCl_3氧化取代了HCl氧化,成功地研制出了N沟MOS大规模集成电路。     

超高频大功率MOS场效应晶体管

尽管小信号用的硅 MOS 场效应晶体管已经大量生产和大量使用,但功率用的硅MOS 场效应管除了二、三篇报告以外还没有别的报道。高频大功率 MOS 场效应管所以出现较晚的原因,一方面是由于出自 MOS 场效应管的工作原理而使管芯面积增大,也就是说因为 MOS 场效应管的电流通路是在表面极薄的沟道层,所以为了流过大电流,管芯的面积就要增大,以取得电流通过的面积。同时,作为高频功率用的场效应管沟道长度要短,沟道宽度也要显著地加宽,就工厂生产技术水平而言,能否稳定地成品率较高地     

高耐压MOS场效应晶体管

MOS 场效应晶体管是一种高集成度低功耗器件,以前主要作为数字 MOS 集成电路、大规模集成电路的构成元件而得到发展。由于这种原因,其研究重点主要集中在高集成度、低功耗和高速上。至于高耐压、大功率等方面就没有那样充分地研究。MOS 场效应管其本身的性能上的主要特点是具有高输入阻抗、平方律特性、电流的负温度系数。这些特点应用于 MOSFET 模拟电路能得到更充分发挥.应用于模拟电路的情况下,在降低 MOS 场效应管特有的阈值电压的误差和低频噪声的同时,实现 MOS场效应管的高耐压化、大功率化也是主要的课题。     

采用耗尽型作负载的高性能N型沟道MOS大规模集成电路

采用耗尽型MOS场效应晶体管(MOSFET)作为负载元件的含意已有认识,且提出了某些器件结构。然而在一个片子上同时制作增强型及耗尽型两种MOSFET是难行的。本文描述采用N型沟道增强型及耗尽型MOSFET的新颖的高速集成电路。集成电路的剖面图示于图1。增强型MOSFET具有一覆盖在热生长二氧化硅的三氧化二铝层来作为栅绝缘物。其阈值电压可由改变二氧化硅与三氧化二铝层的厚度比(SiO_2/Al_2O_3)来控制,直到+1伏、+5伏电源电压均能工作时,这些增强型MOSFET的电     

6N沟道金属-氧化物-半导体

一般的金属-氧化物-半导体集成电路(MOSIC),都是由P沟MOS晶体管构成的,但是P沟MOS集成电路有下述缺点: (1)传导载流子是空穴,所以迁移率低,开关速度慢; (2)由于电源电压是负的,所以不易与双极集成电路混用。与此相反,所用的器件都用N沟MOS晶体管构成的N沟MOS集成电路时有下     

装联工艺中防静电措施

一、概述通常讲的MOS集成电路,它是由金属—氧化物—半导体场效应晶体管组成。其作用与五极电子管特性相似;另一方面它又有一般晶体管的许多优点,除此之外,还具有一系列更突出的优点,即集成变高,制作工艺简单,功耗低,输入阻抗高(达10~(12)以上),而CMOS集成电路还具有供电范围宽,工作频率高f(?)3M以上,所以被广泛应用于数字控制电路及模拟开关电路等方面。二、MOS集成电路中主要问题的分析 1.栅击穿电压在MOS晶件管中,栅极与沟道之间隔着一层氧化膜,这种结构与电容器的结构一样。当栅源电压或栅漏电压超过一定限度,就会引起氧化膜的击穿,使栅极与氧化膜下面的硅发生短路现象。P—N结加上反向电     

一种新型场效应器件—隐栅场效应晶体管

这篇文章讨论了一种正在发展中的新型场效应晶体管,它是从另一种场效应管——Tecnetron 发展过来的。它利用了向心收缩原理,并具有多道沟结构。由于这一发展有可能把双极晶体管和场效应管的优点综合起来。在文章的理论部分讨论了向心收缩的特性。因为隐栅场效应晶体管是多沟道结构,它克服了自由度的限制。消除了向心收缩的缺点,而保留了它的优点。对于隐栅场效应晶体管的各种几何形状和实现这种器件的工艺已进行了讨论,特别注意到它们适合于集成电路。简单地给出了所获得的结果,简述了对于未来的展望。     

考考您

1.试说明场效应管开启电压的意义。2.试说明场效应管夹断电压的意义。3.试画出N沟道增强型场效应管的转移特性曲线。     

国外MOS集成电路发展概况

MOSD晶体管自1962年发明以来,在短短十年中,经历过MOS晶体管、MOS集成电路、MOS大规模集成电路这样三个阶段。实际上由于MOS集成电路工艺与MOS晶体管相同,所以可以说MOS集成     

600伏垂直沟结栅高速场效应晶体管

<正> 随着高速毫微秒脉冲技术的迅速发展,原有的电真空器件由于体积大、功耗大、寿命短、可靠性差等缺点,已不能适应当前高速毫微秒脉冲技术发展的需要。整机单位迫切要求实现高压高速脉冲源的固体化、小型化。这就推动了高压大电流高速半导体功率器件的发展。经过多年的努力,取得了很大进展,并已成为当前大功率半导体器件发展的一个引人注目的研究方向。 目前大力推广应用的器件主要有垂直沟道硅MOS场效应管,而高压垂直沟道结栅场效应晶体管的开发研制则近几年才开始。由于结栅场效应管是一种耗尽型器件,极间电容小,器件的开关速度优于MOS器件。在需要产生极窄宽度的高压脉冲场合下,垂直沟道结栅高压场效应晶体管是理想的固体器件。其优越的开关性能、温度特性不是双极型或MOS器件可以轻易取代的。     

三次掩蔽自对准金属-氧化物-半导体工艺

引言近来,出现了一种制造自对准金属—氧化物—半导体(MOS)集成电路的新工艺,该工艺只需要三次掩蔽,应用离子注入工艺来获得自对准栅结构。采用氮化硅膜来消除接触掩蔽以及降低场氧化物顶部至接触区和栅区的高度。这种工艺能制造N沟或P沟MOS集成电路。在N沟MOS集成电路中,应用低阻率P型衬底材料或用离子注入提高场表面浓度能避免场反型的问题。为简单起见,本文叙述制造工艺步骤和P沟MOS集成电路的器件特性。     

在互补对称MOS集成电路中工艺和性能的相互关系

引言在一单片上集成象图1所示的有 P 型和 N 型沟道的 MOS 晶体管的工艺业已形成。它提供良好的电性能和稳定性。互补 MOS 电路的速度在很大程度上取决于电路复杂度、工艺技术和硅片的布局。本文将讨论目前的工艺和技术对性能的限制并且叙述新的实验工艺,此工艺虽然复杂,但改进了互补 MOS 电路的速度和功耗。     

宽长比对CMOS反相器开关时间影响的分析

互补金属氧化物半导体（CMOS）反相器是集成电路的基本单元,其开关时间影响集成电路的传输延迟。文章针对金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS）的宽长比对CMOS反相器开关时间tr和tf的影响,分析N型金属氧化物半导体晶体管（NMOS）和P沟道耗尽型场效应晶体管（PMOS）宽长比对开关时间的影响,通过多次模拟分析,得出对称开关时间对宽长比的要求。     

XC9242／XC9243系列：DC／DC转换器

XC9242／XC9243系列产品是输出电流为2A的降压同步整流DC／DC转换器,其内置晶体管的导通电阻小。对应陶瓷电容、内置0．11Ω（TYP．）P沟道MOS驱动晶体管及0.12Ω（TYP．）N沟道MOS开关晶体管。     

MOS器件的10keV X射线辐照效应

我们用10keV X射线对MOS晶体管、MOS集成电路进行了辐照,观察了用不同工艺条件制造出的MOS晶体管,MOS集成电路在X射线辐照下阈值电压的漂移和特性变化。本文给出了实验结果并进行了初步的讨论。