含氟低介电常数有机材料研究进展

低k(介电常数)介质材料替代传统SiO_2作为互连金属介电层是集成电路发展的必然趋势。总结了低k材料性能基本要求及制备方法,重点探讨含氟低k有机材料研究进展。认为获得k值低且综合性能优异的含氟有机材料是最终目的,并对含氟低k有机材料的研究前景进行了展望。     

低温烧结玻璃/陶瓷复合材料的微结构及性能

借助钙长石陶瓷和硼酸盐玻璃良好的介电和热膨胀性能,制备了一系列玻璃/陶瓷复合材料,并对这些复合材料进行了X射线衍射分析、扫描电镜观察和性能测试.结果表明:复合材料的介电常数、热膨胀系数和显微硬度随着陶瓷含量的增加而增加,其介电损耗则随陶瓷含量的增加而减小.陶瓷含量(质量分数≥60%)高的复合材料在高于850℃烧结时析出一定量的α-石英和方石英,这增加了材料的热膨胀系数,但对其介电常数影响不大.所制备的复合材料具有高的相对密度(≥96.5%)、低的介电常数(5～6)、低的介电损耗(0.10%～0.42%)、低的热膨胀系数(4.6×10-6～6.5×10-6/℃)和低的烧结温度(≤900℃),有望用作介电材料和基板材料.     

低介电常数多孔氮化硅陶瓷材料的制备

采用有机泡沫前躯体浸渍工艺制备了低介电、低密度的氮化硅陶瓷。以氮化硅粉体为主要原料,制备粘度和流动性合适的水基料浆,并以软质聚氨酯泡沫塑料为载体,在真空状态下浸渍,然后在氧化气氛下排塑,在氮气气氛下烧结,得到了低介电常数的多孔氮化硅陶瓷材料。所制备的材料性能可达到：容积密度为0.12g/cm3、介电常数为1.15、介电...     

聚偏氟乙烯/钛酸钡高介电复合材料研究进展

介绍了介电复合材料研究现状和制备工艺,阐述了各种介电复合材料制备工艺的优缺点,以及聚合物/陶瓷复合材料介电常数预测。利用微纳多层共挤技术可以获得高介电常数、低介电损耗的介电复合材料,但是该技术应用在介电复合材料方面工艺还不够成熟,有待改进。     

低介电聚酰亚胺复合片材的结构设计与性能研究

基于夹层结构设计,在聚酰亚胺（PI）薄膜夹层间引入多孔聚酰亚胺泡沫（PIF）,成功制备具有低介电常数的PI复合片材,并研究PIF厚度对复合片材介电性能、力学性能和导热性能的影响。结果表明：介电常数随着PIF厚度的增加而增加,厚度为1 mm的复合片材的介电性能最佳,100 Hz下介电常数低至1.55。随着PIF厚度的增加,复合片材的拉伸强度降低,导热系数先降低后趋于平缓。FFF-15-5样品的导热系数最低为0.046 W/（m·K）,复合片材显示良好的隔热性能。该PI复合片材为低介电材料的设计提供新思路。     

粘结层对压电纤维复合材料机电响应行为的影响

本文从功能材料力-电耦合的角度分析了粘结层参数对压电纤维复合材料(macro fiber composites, MFC)机电响应行为的影响。通过有限元模拟计算发现,减少粘结层厚度及增大其介电常数有利于缓解MFC介电失配现象,提高有效电场加载,从而获得高压电性。试验制备了MFC并进行了驱动及传感性能表征,试验结果与模拟仿真一致。减少粘结层厚度和弹性模量,及增大其介电常数,能有效增大MFC尖端位移和输出电压,提高驱动和传感性能。该研究对驱动和传感用MFC的设计提供了指导。     

新型低介电玻璃纤维的研究与应用

通过数据回归分析方法,探索了新型低介电常数玻璃纤维的组成设计思路,并设计开发了先进新型低介电常数玻璃纤维,该纤维具有较低的介电常数(4.4～4.7)和介电损耗(＜0.001),耐水性和E玻璃纤维相当.阐述了新型介电玻璃纤维可用于高频电路板和透波材料,是高端通讯和雷达等的重要材料,具有广阔的应用前景.     

日本经济产业省推行绝缘膜开发项目计划

日本经济产业省(METI)推行名为太平盛世(Millennium)先进信息技术项目研究(MIRAI),计划于2004年3月开发出高介电常数绝缘膜(简称高K材料)和低介电常数层间绝缘膜(低K材料)。据悉,2003年3月该项目将达到比利时大学微电子     

低介电常数高分子材料

分类介绍了近年来低介电常数高分子材料研究和开发的基本情况,包括本体低介电常数聚合物、掺氟低介电常数聚合物和含纳米微孔低介电常数聚合物,其中在本体低介电常数聚合物部分详细介绍了苯并环丁烯,并对每类材料的优势与局限性进行了简要的总结.最后对低介电常数高分子材料的发展及应用进行了展望.     

巨介电材料的研究进展

随着电子工业的发展,为了满足电容器、存储器、谐振器、滤波器等重要电子器件的高性能化和尺寸微型化的需求,高介电常数材料越来越引起人们的重视。研制出新型的高介电常数材料,在宽频、宽温范围内,既具备高介电常数和低介质损耗,又有良好的频率和温度稳定性,是高容量电容器发展的需要。本文对现有的介电材料进行总结,并揭示了其巨介电机理。     

微波介质陶瓷的研究进展

微波介质陶瓷是现代通信技术中谐振器、滤波器、振荡器等重要元件的基础材料,它的研究越来越受到人们的重视。介绍了低介电常数、中介电常数、高介电常数三类微波介质陶瓷的研究现状,存在的问题及未来的发展趋势。     

低介电常数聚酰亚胺薄膜的研究进展

低介电常数的聚酰亚胺薄膜在解决超大规模集成电路所引起的RC延迟、串扰、能耗、噪声等问题中有着关键性的作用。文章综述了近几年来国内外低介电常数聚酰亚胺薄膜的制备方法,详细介绍了引入纳米多孔结构、改变聚酰亚胺本体结构以及填充低介电材料这三种研究方法,并对各种方法的优缺点做了简要评价。     

日使用超临界CO2消除残留的光刻胶

日本索尼公司最新开发成功使用超临界CO2消除在制备超大规模集成电路过程（VLSIs）中的干燥-蚀刻残留的光刻胶。据这家电子设备制造商称：上述技术能使VLSIs的低介电常数层间薄膜和底板不受损伤。     

低介电常数聚酰亚胺薄膜研究进展

依据国内外低介电常数聚酰亚胺（PI）薄膜材料的专利研究情况,综述了近年来低介电常数PI薄膜的制备方法,包括引入含氟取代基、脂环结构、嵌段结构、微孔结构、无机杂化材料等方法制备低介电常数材料。同时,对低介电常数PI薄膜的研究趋势进行了展望。     

低介电常数NaF-ZnO-P_2O_5-B_2O_3玻璃的研究

低介电常数材料分为有机和无机低介电常数材料,含氟低介电常数材料主要应用于电子行业,可以降低集成电路的漏电电流、导线之间的电容效应和集成电路发热等。选定氧化锌、氧化磷、氧化硼以及氟化钠作为低温低介电常数玻璃的原料,研究了不同ZnO、B2O3配比下的玻璃样品的介电性能和耐水性能,结果表明,随着ZnO摩尔分数的增加,材料的介电常数有所下降;随着B2O3摩尔分数的增加,材料的耐水性能有所下降。     

微波介质陶瓷的研究进展及其粉末合成方法

在现代通讯技术中,微波介质陶瓷是其微波通信电路中谐振器、滤波器、振荡器等重要元件的关键基础材料,它的研究越来越受到人们的重视.本文介绍了低介电常数、中介电常数、高介电常数三类微波介质陶瓷的研究现状,总结了其粉末制备的新方法.     

钛酸铜钙巨介电材料的研究进展

CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)材料以巨介电常数、低介电损耗等性能成为研究热点。该文主要介绍了CaCu_3Ti_4O_(12)材料的结构、巨介电机理、制备方法和掺杂改性,并简要叙述了材料的应用前景。     

低介电常数液晶聚合物材料的制备与研究

为获得介电常数低、力学性能优异的液晶聚合物材料,以介电常数极低的中空玻璃微球和增强级的玻璃纤维作为主要填料进行一系列实验,详细研究了不同组成材料的力学性能、介电常数及流动性。发现单独加入中空玻璃微球时,虽然材料密度非常小、介电常数很低,但材料的机械性能很差、流动性大幅下降。通过玻璃纤维的加入可很好地改善材料机械性能及流动性,同时保持较小的密度及很低的介电常数,最终获得了流动性保持良好、力学性能优异、介电常数低的液晶聚合物材料。     

聚偏氟乙烯/钛酸钡高介电复合材料的制备与研究

受功能梯度材料设计理念的启发,采用聚合物微纳层叠共挤装置,提出了交替多层介电复合材料的假设,设计了(聚偏氟乙烯/钛酸钡)(PVDF/BaTiO3)/PVDF交替多层介电复合材料,研究了复合材料的结构和性能。结果表明,复合材料中PVDF以α、β两种晶型共存;随着BaTiO3含量的增加,体系的结晶度逐渐降低;介电常数先增大后减小,在BaTiO3质量分数为7.5%时,介电常数达到最大61.43 F/m(25℃,1 MHz);介电损耗因数先减小后增大,但介电损耗因数都小于0.1。因此,利用微纳多层共挤技术,设计的交替多层介电复合材料满足要求。     

顺序层压法制备聚合物基复合材料及其介电性能的研究

将马来酸酐-乙酸乙烯酯共聚物与压电陶瓷粉末在溶液中进行混合并制备出单层聚合物基薄膜;将单层聚合物基薄膜进行有序层叠热压制备系列多层聚合物基复合膜或片材。采用介电频谱仪对复合材料介电性能进行研究,结果表明,复合材料介电常数最初随复合层数的增加而降低,在复合层数达到8层时,介电常数增加并达到最大值,介电损耗降至最低值。表面微观形貌分析表明复合材料随层压次数增加而分布更均匀,各相之间连接更紧密。顺序层压法可以改善复合材料内部连接和致密性,提高复合材料的介电常数并降低介电损耗。