MOCVD法制备薄膜型Fe2O3气敏元件

本文采用ＭＯＣＶＤ技术制备了薄膜型Ｆｅ２Ｏ３气敏元件。测定了元件的物理性能和气敏特性。该气敏元件对乙醇、丙酮和液化石油气有较高的灵敏度，响应时间快，对甲烷、管道煤气、硫化氢等气体不敏感，具有一定的选择性。还考查了元件的稳定性。     

MOCVD法制备薄膜型SnO2气敏元件

本文报道了ＭＯＣＶＤ技术制备的ＳｎＯ２薄膜型气敏元件。这种方法沉积的ＳｎＯ２薄膜耐酸碱性强，膜厚易控制，具有负温阻特性。测定了不同温度和不同气体条件下元件的特性发现该元件对乙醇、丙酮气体具有较高的灵敏度，响应时间快；而对氢气、乙烯、煤气、液化石油气等不敏感，因而具有一定的选择性。元件的稳定性较好。     

稀土掺杂薄膜型气敏元件

介绍稀土掺杂薄膜型气敏元件的制作工艺和敏感性能，测试结果表明，掺Ｅｕ２Ｏ３的元件对丙酮敏感性高，而掺Ｎｄ２Ｏ３的元件对乙炔气敏感性高，文中对这类元件的气敏机理作了简单的讨论。     

掺杂离子对O3气敏元件的影响

在WO3中掺入杂质离子，制成傍热式厚膜元件，结合升温脱附（TPD）和半导体分析，研究了掺杂离子对元件性能的影响。     

Fe2O3气敏材料的制备及掺杂研究

作者以不同铁盐与ＮａＯＨ反应，用共沉淀法磷选出较好的γ－Ｆｅ２Ｏ３气敏材料；再通过多种掺杂，研究杂质对材料灵敏度的影响，寻找γ－Ｆｅ２Ｏ３对ＣＯ，Ｈ２，ＬＰＧ灵敏的适宜掺杂剂，以促进γ－Ｆｅ２Ｏ３气敏元件的实用化。同时，作者又通过对掺杂物热力学数据的研究，初步发现了一条选择合宜掺杂剂的规律。     

Fe2O3的CO气敏特性的研究

本文研究了γ-Fe_2O_3材料的制备和掺杂对CO气敏特性的影响。实验表明用硫酸盐制备的γ-Fe_2O_3材料具有相对高的灵敏度,进行适当的Ti-Rh复合氧化物掺杂又明显提高了γ-Fe_2O_3材料对CO的灵敏度。讨论了该掺杂的量对CO灵敏度的影响,及相应元件的基本性质。     

掺杂CNT的Fe2O3气体传感器对乙醇气敏特性的研究

采用酸化后的碳纳米管（CNT）对Fe2O3进行不同比例的掺杂,利用扫描电镜（SEM）对气敏材料进行表征,制作成旁热式气体传感器后在乙醇气氛中与Fe2O3气体传感器进行对比。重点分析了掺杂量,工作温度及气体浓度对传感器灵敏度及响应恢复时间的影响,并对气敏机理进行了详细研究。结果表明碳纳米管的适量掺杂有效的提高了传感器的灵敏度并缩短了响应恢复时间,其中在216℃时对50×10-6的乙醇气体灵敏度达3.4。     

γ—Fe2O3超微粉的制备及气敏掺杂效应研究新进展

本文综述了近年来γ－Ｆｅ２Ｏ３超微粉在制备方法上的新进展,作为气敏材料时,通过掺杂不同化合物可提高其相变温度和气敏性的效应。     

掺杂对MOCVD—SnO2薄膜气敏性能的影响

本文在小瓷管上用ＭＯＣＶＤ技术沉积ＳｎＯ２气敏薄膜，研究了Ｐｄ，Ｔｈ掺杂对该ＳｎＯ２元件气敏性能的影响。掺杂Ｐｄ使元件对乙醇，汽油的灵敏度均增大，而掺杂Ｔｈ则仅提高对了对乙灵敏度，对汽油的灵敏度反有所降低。因此有希望开发为不肥汽油干扰的乙醇敏感元件。     

表面涂层对掺杂α—Fe2O3烧结型气敏元件敏感特性的影响

本文对掺杂α－Ｆｅ２Ｏ３烧结型气敏元件的表面涂上混合α－Ａｌ２Ｏ３和Ｍｎ２ｏ３的浆料，干燥烧结而成新型半导体气敏元件，测试了该气敏元件对甲烷，丁烷，乙酵气体的敏感顺序，阻温特性和长期稳定性。     

掺杂对WO_3基气敏元件敏感特性的影响

在WO3粉体材料中加入质量分数为4%的瓷粉和不同质量分数的金属氧化物(SnO2,SiO2,Al2O3),以恒温600℃烧结1 h制成旁热式厚膜可燃性气敏元件。采用静态电压测量法,研究了元件的加热电压与元件灵敏度的关系。实验结果表明:WO3基元件掺入一定量的金属氧化物在加热功率为600mW时能提高元件的灵敏度。     

SnO2超微粒薄膜气敏元件的研制与测试

用射频磁控反应溅射法在Si基片上沉积SnO_2超微粒薄膜,溅射过程中适量掺Pd,用IC技术制成气敏元件.实验结果表明:该元件在90℃左右时对氢气有极高的灵敏度,是一种薄膜化、集成化、高选择性的气敏元件.本文介绍薄膜制备、微观结构分析、元件设计及气敏特性测试.     

掺Sb2O3 的SnO2与Fe2O3厚膜的 电学行为及气敏特性

介绍掺入Sb_2O_3后的SnO_2和FeO_3(由γ-Fe_2O_3-热处理得到)气敏厚膜元件电阻和灵敏度的变化规律:对于SnO_2基元件,Sb_2O_3具有低掺杂(<4%wt)电阻变小,高掺杂电阻增大的作用,但气敏性降低;对于Fe_2O_3基元件,掺入Sb_2O_3后不但能降低电阻、提高气敏性,而且对丙酮的选择性也增强.指出Sb~(3+)→Sb~(5+)变化对上述效应起着重要作用,并探讨了Fe_2O_3基元件表面化学吸附增强的原因.     

MQLQ—11型气敏元件的研制

本文介绍了ＭＱＬＱ－１１型硫化氢气体传感器，论述了元件的材料制备，制作 工艺及性能。     

利用SnO2中的稀土掺杂制作乙炔气敏元件

本文以ＳｎＯ２为基体材料,通过几种稀土元件的掺杂,研制了乙炔气敏元件,大量的实验表明,掺入稀土元素钐对于Ｃ２Ｈ２的选择性和灵敏度有明显的提高。     

金属氧化物掺杂对TiO2气敏特性的影响

掺杂金属氧化物可显著提高TiO2的气敏这一特性，正逐渐成为研究的热点。本文综述了掺杂金属氧化物对TiO2气敏特性的主要影响及机理；总结了目前研究中所掺杂的十多种金属氧化物，并就各种掺杂物对TiO2气敏特性的作用进行了具体分析。