GaAs光电阴极原位光谱响应测试技术研究

阐述了GaAs光电阴极的原位光谱响应曲线的测试原理 ,介绍了GaAs光电阴极激活和评估系统 ,该系统可在GaAs光电阴极激活过程中在线测试其在 40 0～ 12 0 0nm之间的光谱响应曲线 ,给出并分析了该系统对反射式GaAs光电阴极的测试结果。结果表明 ,利用国产材料激活的GaAs光电阴极已为负电子亲和势阴极     

微光管大面积GaAs负电子亲合势光电阴极(NEA)光谱特性测试与分析

结合微光管研制,对大面积GaAs与玻璃粘接制备的透射式光电阴极的光谱特性进行在线测试,并对测试结果进行了分析讨论。依据光谱特性的变化,分析了影响阴极发射性能的根源。当激活工艺稳定状态下,光谱性能差是因GaAs发射层表面氧化,受碳污染及玻璃粘接应力过大等因素造成。通过对发射层表面处理技术研究,确定了阴极制备工艺,制成了管内阴极灵敏度为1400μA/lm的NEA光电阴极和主要性能合格的微光管,使微光管研究有了突破性进展。     

GaAs光电阴极原位光谱响应测试技术研究

阐述了ＧａＡｓ光电阴极的原位光谱响应曲线的测试原理,介绍了ＧａＡｓ光电阴极激活和评估系统,该系统可在ＧａＡｓ光电阴极激活过程中在线测试其在４００～１２００ｎｍ之间的光谱响应曲线,给出并分析了该系统对反射式ＧａＡｓ光电阴极的测试结果。结果表明,利用国产材料激活的ＧａＡｓ光电阴极已为负电子亲和势阴极。     

三代微光管均匀性测试与分析

利用自行研制的“光电阴极多信息量测试系统”首次对国产三代微光管中的GaAs光电阴极的均匀性进行了光谱响应测试 ,结果表明该国产三代微光管存在明显的非均匀性。利用曲线拟合方法估算了GaAs光电阴极的材料性能参数 ,发现表面逸出概率不一致是非均匀性的主要原因 ,GaAs材料的少子扩散长度 (1 1 2～ 1 82 ) μm ,与阴极厚度相当 ,后界面复合速率在 (1× 1 0 5～ 1× 1 0 6 )cm/s之间 ,它限制了阴极灵敏度的提高     

核测量用光电倍增管性能测试方法

从测试的目的、原则、内容、方法、以及测试数据的处理方法5个方面,论述了核测量用光电倍增管的性能测试方法,对多种光电倍增管的性能测试结果表明,这些内容完全满足核测井仪器研制与生产的需要,在分析光电倍增管坪特性影响因素的基础上,结合了射线强度测量的具体特点,提出了改进光电倍增管性能和使用效果的一些建议。     

多碱光电阴极多信息量测试技术研究

阐述了多碱光电阴极的单色光反射比、单色光电流和光谱响应曲线的测试原理,这些参量的获得对分析、指导阴极工艺是很有价值的。介绍了多碱光电阴极多信息量测试系统,该系统可在多碱光电阴极制备过程中在线测试、处理多碱阴极的单色光反射比、单色光电流和光谱响应曲线等参量,还给出并分析了在该系统应用中玻璃阴极实验管制备过程中的测试结果。     

多碱光电阴极多信息量测试技术研究

阐述了多碱光电阴极的单色光反射比、单色光电流和光谱响应曲线的测试原理 ,这些参量的获得对分析、指导阴极工艺是很有价值的。介绍了多碱光电阴极多信息量测试系统 ,该系统可在多碱光电阴极制备过程中在线测试、处理多碱阴极的单色光反射比、单色光电流和光谱响应曲线等参量 ,还给出并分析了在该系统应用于玻璃阴极实验管制备过程中的测试结果     

双微通道板光电倍增管的研究

通过对双微通道板级联技术的研究 ,研制出脉冲上升时间小于 1ns ,增益大于 5× 10 5的微通道板光电倍增管。这种管子在天文学、高能物理实验等领域有广泛的应用前景     

NEA光电阴极的性能参数评估

利用自行研制的动态光谱响应测试系统直接实现NEA光电阴极的光谱响应在线测试,并对光谱响应曲线进行曲线拟合,间接实现了电子表面逸出几率、扩散长度、后界面复合速率及积分灵敏度的评估。对(Cs,O)激活的GaAs反射式光电阴极进行了性能参数评估,给出了测试结果。     

自然伽玛测井仪光电倍增管工作点的确定方法

自然伽玛测井仪在调试过程中的关键问题是光电倍增管工作点的确定，也是困绕测井仪的主要问题。本文给出了自然伽玛测井仪工作点确定方法以及自然伽玛测井仪的测井原理，设计出了自然伽玛测井仪的线路图，分析了影响光电倍增管工作点的主要因素，并以YXZl38型自然伽玛测井仪为例进行了说明。     

气囊对光电倍增管水下内爆影响试验研究

江门中微子试验中使用的光电倍增管需要长时间承受高静水压力作用,由于光电倍增管外壳使用膨化硅玻璃制造,受自身结构微观缺陷影响不可避免的有发生碎裂的可能,并引发光电倍增管的水下内爆(Implosion),对其周围设施造成危害。在可加压密封罐中进行带有气囊的光电倍增管水下内爆试验,使用高速摄像和压力传感器记录实验过程数据。并将试验结果与无气囊条件下的光电倍增管水下内爆相关数据进行对比,探究了使用气囊进行光电倍增管水下内爆防护的可行性,为光电倍增管的水下内爆防护提供新的思路。     

锑钾铷铯光电阴极的特性研究

给出了 Sb—K—Rb—Cs 光电阴极的制备工艺。用两种方法测量了光电阴极的积分灵敏度、光谱响应、量子产额。测出了电导率与温度的关系,并获得了在0.4～0.7eV 时干扰电平的能量。     

Cs、O激活方式对GaAs光电阴极的影响

利用自行研制的GaAs光电阴极多信息量测试与评估系统,比较了不同Cs、O激活方式下GaAs光电阴极的激活过程、光谱响应特性以及稳定性的差异,发现与传统的Cs源、O源交替断续激活方式相比,Cs源持续,O源断续的激活方式能获得灵敏度更高和稳定性更好的阴极,且阴极的长波响应能力也得到提高.本文利用双偶极层模型对实验现象进行了解释,认为Cs在整个激活过程中处于轻微过量状态有利于获得高性能的GaAs光电阴极,Cs量控制是决定GaAs光电阴极激活工艺好坏的主要因素.     

扫描仪理想的光谱响应性研究

提出了扫描仪应该是一个颜色反应器的观点,并通过颜色反应器理论探讨了扫描仪理想的光谱响应条件,为扫描仪中照明光源的理想光谱分布,滤色片以及光电倍增管的最佳光谱响应提出了理论依据。     

扫描仪理想的光谱响应特性研究

提出了扫描仪应该是一个颜色反应器的观点 ,并通过颜色反应器理论探讨了扫描仪理想的光谱响应条件 ,为扫描仪中照明光源的理想光谱分布 ;滤色片以及光电倍增管的最佳光谱响应提出了理论依据。     

三代微光器件的测试和评估技术研究

在已有的负电子亲和势(NEA)光电阴极特性评估技术的基础上,研制了三代微光器件的测试和评估系统工程样机,用于对三代微光器件的光谱响应等参数的测试和激活过程中的工艺信息监控,通过分析计算可获得三代微光器件光电阴极的表面逸出几率、载流子扩散长度和后界面复合速率等参数.利用该系统对三代微光像增强器进行了测试和评估,文中给出了测试结果并加以分析.     

8英寸MCP型光电倍增管的实验研究

研制了一套单光电子谱测试仪。对8英寸微通道板型光电倍增管(MCP-PMT)的性能指标进行了标定,包括单光电子谱的增益和峰谷比、光电阴极的均匀性。单光电子谱测试仪采用高精度QDC采集电荷谱。VME数据获取系统积分电荷谱得到单光电子谱。采用LABVIEW的电流采样系统获得光电阴极某确定位置上光电流的I-V坪曲线。单光电子谱测试仪测得MCP-PMT在高压为2100 V、脉冲发生器的设置为脉冲宽度10 ns、采样频率1 k Hz、驱动电压1.735 V驱动LED光源时,单光电子谱的增益为2.5233×107、峰谷比值为2.78,光电阴极的非均匀性小于10%。实验测得的性能指标均满足中微子探测等实验要求。同时为20英寸MCP-PMT的成功研制奠定了理论设计及测试基础。     

透射式GaN光电阴极在正面光照和背面光照下的量子效率特性研究

研究了透射式GaN光电阴极在正面光照和背面光照两种工作模式下的光电发射特性差异及影响因素,并推导了这两种工作模式下的量子效率理论公式,利用所推导的公式对实验获得的GaN光电阴极量子效率曲线进行了分析。研究结果表明,两种工作模式下光电子的表面逸出几率与光子能量具有不同的依赖关系,背面光照下,光电子将以一个一致的表面逸出几率从表面发射出去,并且短波响应会受到缓冲层及界面特性的影响,总体光电发射效率依赖于阴极表面势垒所决定的平均电子逸出几率。利用所推导的量子效率公式对实验曲线进行拟合,可实现多个阴极参量的评估,这为透射式GaN阴极材料与制备工艺水平的分析提供了重要依据。     

光电阴极的研究进展

光电阴极的材料决定了光电发射的量子效率、暗发射电流和出射电子能量分布等重要性能。本文介绍各种类型的光电阴极发射材料,包括碱金属和半导体材料。其中重点介绍半导体材料中的多碱光电阴极和负电子亲和势(NEA)光电阴极,并对多碱光电阴极的制备流程及性能测试和影响NEA光电阴极量子效率等因素进行详细的分析。     

显象管内残余气体压强的测量

一、电子管内残余气体压强测量的一般原理 电子管内因真空度不高,会引起一系列问题,例如管子噪声增加、工作电压降低、阴极寿命缩短等等。因此把电子管内残余气体压强测量出来,作为分析管子性能和合理确定管子制造工艺规范有重要意义。 运用普通热阴极电离真空计工作原理和方法,来解决电子管内真空度的测试问题,在一定条件下,对许多管种来说,是切实可行的。本文以19″黑白显象管为例,说明电子管内真空度测量的一般方法。 图1表示了19″黑白显象管电子枪部份的电极的真空计接法的原理图。图中“3”、“4”是热丝。“2”是阴极,发射电子。“1…