超薄荫罩式等离子体显示屏的工艺研究

超薄荫罩式等离子体显示屏(Plasma Display Panel,PDP)相对于传统荫罩式PDP(SMPDP),采用极薄的D263T玻璃作为前后基板,且该基板玻璃可充当介质层,因此超薄荫罩式PDP重量轻,体型薄.但由于基板玻璃非常薄,使得封接难度增大.为了验证超薄SMPDP制备的可行性及提高其封接成功率,有必要对超薄SMPDP制备工艺进行深入研究.基于超薄SMPDP的结构特点,重点关注它与普通SMPDP不同的工艺处理,如荫罩处理工艺、封接固定装置设计、封接框制作工艺、封接温度曲线等方面的研究.实验结果表明,经过上述工艺改进后,超薄SMPDP的封接成功率接近80%.     

超薄柔性等离子体显示板的研究

超薄柔性等离子体显示板(Plasma Display Panel,PDP)的概念是在目前电子纸技术的出现和现有荫罩式PDP(SMPDP)的技术基础上提出的,超薄柔性PDP采用超薄玻璃取代荫罩式PDP中的钙钠玻璃,使柔性显示有了可能性.因为超薄玻璃本身的柔性,在制作工艺过程中可能会引起机械形变,进而对电场分布,以及放电特性方面产生一定的影响.因此有必要对超薄玻璃的机械形变进行研究.本文主要从超薄玻璃的机械形变和放电特性两方面对超薄柔性PDP的可行性进行了研究.     

不同PDP放大单元放电性能的研究

基于放大单元实验研究了不同等离子体显示板(PDP)结构的放电特性.设计并制作了不同结构的放大单元实验屏,在相同条件下比较了不同放电单元的放电延时、红外强度和放电效率.结果表明,荫罩式PDP结构在放电性能上与传统的PDP结构相比有一定的优越性.这些结果对于优化荫罩式PDP结构、改善其性能有一定的指导作用.     

低温共烧玻璃陶瓷基板材料的研究

在多层互连基板中，基板材料的介电常数直接影响器件信号的传输速度。研究了低温共烧多层基板中玻璃陶瓷材料的填充介质、玻璃介质与基板介电常数、烧结温度、收缩率等性能的关系     

SMPDP中荧光粉层制备方法的对比与研究

荫罩式等离子体显示器（SMPDP）是一种由金属荫罩板代替传统障壁的新型PDP。针对SMPDP结构的特殊性，讨论了丝网印刷法和喷涂法制备荧光粉层的制作工艺，并对比其优劣。实验结果表明：采用喷涂方法可以在SMPDP的荫罩孔内壁制备致密、均匀的荧光粉层，与掩膜配合使用，可在荫罩上制备三基色荧光粉，满足SMPDP实现彩色的需要。因此，喷涂方法是制备SMPDP三基色荧光粉层行之有效的最佳途径。     

荫罩式PDP高质量视频显示系统的研究

本文介绍了具有自主知识产权和专利的荫罩式PDP显示屏以及34″荫罩式PDP多制式数字视频显示系统的设计实例。其主要功能实现了VGA全彩色显示，性能指标达到了国际先进水平。     

荫罩式等离子体复合放电驱动波形的研究

提出了一种适合三电极荫罩式PDP结构的新型高效复合放电驱动波形.采用二维流体模型研究了三电极荫罩式PDP结构复合放电驱动波形的放电过程,分析了空间电位、壁电荷及带电粒子分布的演变情况.讨论了复合放电驱动波形维持期寻址电极电压对放电特性的影响,计算了维持期真空紫外辐射功耗、放电效率的变化趋势以及电子平均浓度随时间的变化关系,并与传统表面放电驱动波形比较.结果表明复合放电驱动波形在响应频率、放电强度和放电效率等方面均优于传统表面放电驱动波形.     

低温共烧玻璃陶瓷基板材料的研究

在多层互连基板中，基板材料的介电常数直接影响器件信号的传输速度。本文研究了低温共烧多层基板中玻璃陶瓷材料的填充介质及玻璃介质与基板介电常数以及烧结温度等性能的关系。     

PDP用玻璃基板的开发

1．前言 PDP（等离子显示屏）市场,近几年来急速的扩大,PDP用玻璃基板的需求也随其大幅度地增长。本文将对日本中央硝子公司开发出的高应变点玻璃[CP600V],就其研发、构成、物性、制造方法进行说明,并对有关PDP用玻璃基板今后的课题加以论述。     

PDP 显示单元三维网格产生

网格发生是计算机数值模拟PDP放电的重要准备。本文使用Visual C 语言开发的网格发生软件,可以产生各种PDP结构的三维网格。该网络发生器不仅能处理常见的对向放电式结构和表面放电式结构,还能对文中所介绍的新型PDP结构做较好的处理,具有较强的通用性。对各种结构,可以不断改变障壁的形状、厚度,电极的电压、宽度,以及介质层的厚度、介电常数等等,研究网格的产生情况,利用网格信息及流体力学近似模型对显示单元的放电情况进行模拟,对显示单元的结构不断进行优化。该网格发生器不仅记录了后续计算中需要用到的各种有用的数据信息,还对网格产生情况进行了可视化输出。     

柔性显示衬底的研究及进展

柔性显示作为下一代显示,由于其具有超薄,质量轻,耐用等优点,已经引起了广泛的关注。为了制备柔性显示,柔性薄板如塑料和金属薄片作为衬底已被研究。在过去十几年中,柔性衬底大规模替代传统的玻璃衬底具备很大的潜力,其被认为是柔性显示发展的关键。文章综述了柔性衬底如聚合物、不锈钢、超薄玻璃、纸质和生物复合物的最新进展,并针对柔性衬底的缺点介绍了改善方法。最后,为了推进柔性显示的发展,概述了卷对卷技术,其在柔性显示应用中有着广阔的市场。     

真空镀膜中基底预应力的有限元分析

真空镀膜过程中,基底因支撑、温度梯度造成的应变会对最终的薄膜-基底系统的面形产生影响。用有限元方法对不同支撑方式下不同尺寸基底的预应力以及烘烤过程中基底内部温度梯度造成的热应力进行了分析和计算,得到基底表面变形的峰谷值,并给出了不同工况下基底形变的等值线图。对于尺寸超过200 mm的基底,自重变形量和热应力变形量比较大,是影响最终薄膜面形的重要因素;装夹时随着基底倾角的增大,基底的形变与应力呈减小趋势;同样结构尺寸情况下,熔融石英基底的自重变形量略大于BK7基底,热变形量远小于BK7基底;热应力对基底预应力的贡献较大。     

Polysilicon thin-film transistors on polymer substrates

Different approaches to fabricate low-temperature polycrystalline silicon (LTPS) thin film transistors (TFTs) on polymer substrates are reviewed and the two main routes are discussed: (1) standard fabrication of LTPS TFTs on glass substrates followed by a transfer process of the devices on the polymeric substrate; (2) direct fabrication of the devices on the polymeric substrate. Among the different techniques we have described in more detail the process we have recently developed for the fabrication of LTPS TFTs directly on ultra-thin polyimide (PI) substrate. LTPS TFT technology is particularly suited for high performance flexible electronics applications, due to the excellent device characteristics, good electrical stability and CMOS technology. Flexible display application remains the most attractive application for LTPS technology, especially for AMOLED displays, where device stability and the possibility to integrate the driving circuits make LTPS technology superior to all the other competitive TFT technologies. Among the other applications, particularly promising is also the application to flexible smart sensors, where integration of a front-end electronics is essential. Some examples of flexible gas sensors and pressure sensors, integrated with simple readout electronics based on LTPS TFTs and fabricated on ultra-thin PI substrate, are presented.     

矩阵排列型SMPDP等效电路模型的改进

现有荫罩式等离子体显示屏(SMPDP)等效电路模型的建立,是基于所有像素特性一致,同时工作状态相同的假设,因此在其仿真应用中存在局限性。文章在原模型基础上进行了改进设计,提出了多放电单元矩阵排列式等效电路模型。该模型在原电路模型的基础上增加了寻址电极驱动IC和数据电极驱动IC电路,同时复制了多个放电单元等效电路模型。该模型在实现原等效电路模型各项仿真功能的基础上,还能实现原模型所不及的仿真功能,例如寻址期工作特性仿真、像素单元特性不一致对整屏性能的影响、相邻像素之间相互影响等。通过在PSpice环境下对矩阵排列型等效电路模型的系统工作特性仿真,所得结果与实验测试结果基本一致,因此该模型具有良好的等效替代性,适用于今后对SMPDP的系统设计与优化。     

基于石墨烯的喇曼基底稳定性改良方法

为了减缓银颗粒氧化从而提高稳定性并维持高信号强度, 采用石墨烯包裹银颗粒, 利用超薄的石墨烯来减缓银颗粒氧化的速度的方法进行了试验研究。试验中, 基底在放置一个月后仍能检测到浓度低至10-11mol/L的R6G溶液。结果表明, 石墨烯的存在使得石墨烯/银颗粒复合结构兼具电磁增强机制和化学增强机制, 提高了基底的检测灵敏度; 基底的增强效果随时间的衰减速度下降了近1倍, 提高了喇曼基底的稳定性。该方法经济简捷, 可以广泛适用于各种银基喇曼基底, 并且不会对基底原本的结构造成破坏。     

Deposition of aluminum oxide-doped zinc oxide transparent nano-films on glass substrates for electrostatic discharge applications

Aluminum oxide-doped zinc oxide (ZnO:Al₂O₃) transparent thin films were deposited by DC magnetron sputtering on glass substrates; film thickness can be correlated with deposition time. The effect of ZnO:Al₂O₃ film thickness on electrical properties, ultraviolet (UV) transmission, surface morphology and structure, solvent resistance, and scratch hardness was investigated. The surface roughness and crystallite size of deposited films increased from 0.75 to 2.22 nm and from 14 to 57 nm, respectively, as the film thickness was increased from 18 to 112 nm. In contrast, the percent UV transmission (% T) of ZnO:Al₂O₃ deposited glass plates at a wavelength of 365 nm increased when the film thickness was decreased. The electrical properties of nano-film deposited glass plates such as electrical resistance, tribo-charge voltage, and decay time were in the range of electrostatic discharge (ESD) specifications. The ZnO:Al₂O₃ nano-film deposited glass substrate possessed good acetone and iso-propanol resistance as well as high scratch hardness. This work opens up the possibility of using the ZnO:Al₂O₃ transparent ultra-thin film on glass substrate in ESD applications based on their excellent properties in terms of the relatively thin and adjustable ZnO:Al₂O₃ film thickness needed.     

热丝化学气相沉积制备多晶硅薄膜的研究

采用热丝化学气相沉积技术制备了多晶硅薄膜。利用Raman、XRD、SEM等检测手段,系统研究了沉积气压、衬底温度、衬底与热丝间距离、衬底种类等实验参数对多晶硅薄膜晶态比、晶面择优取向、晶粒尺寸的影响。得出优化条件:沉积气压42 Pa,衬底温度250℃,衬底与热丝间距离48 mm,在玻璃衬底上制备出晶态比Xc>90%,择优取向为(111),横向晶粒尺寸为200~500 nm,纵向晶粒尺寸为30 nm左右的优质多晶硅薄膜。     

不同衬底沉积Ti-Al共掺杂ZnO薄膜的性能对比研究

利用直流磁控溅射法,在玻璃衬底和Si片衬底上分别沉积出了Ti-Al共掺杂ZnO透明导电薄膜(TAZO),并对这两种衬底上的薄膜的应力、结构和光电性能进行了对比研究.结果表明:玻璃衬底和Si片衬底上沉积的TAZO薄膜均为具有c轴择优取向的六角纤锌矿结构多晶薄膜,Si片衬底的TAZO薄膜的导电性能优于玻璃衬底上的TAZO薄...