烧结温度对ZrB2-SiC超高温陶瓷致密化的影响

利用放电等离子烧结技术（SPS）在不同的烧结温度下对ZrB2-SiC超高温陶瓷进行烧结，研究了烧结温度对烧结体致密化的影响。结果表明，在烧结温度分别为1650℃、1750℃、1850℃和1950℃，升温速度为200℃／min，保温时间为1min，压力为50MPa时，随着烧结温度的提高，烧结体的致密度呈上升趋势。当烧结温度高于1850℃时，烧结体的致密化过程明显加剧；通过对不同烧结温度下制得的试样的XRD谱图分析发现，当温度高于1850℃时ZrB2-SiC陶瓷中的SiC相会发生3C相到4H相的转变，这可能就是当烧结温度高于1850℃时烧结体致密度会急剧上升的原因。     

烧结方法对AlN陶瓷微观形貌及热导率的影响

采用真空烧结、N2保护无压烧结、放电等离子烧结等方法对AlN粉末进行烧结,研究烧结方法对粉体烧结行为以及产物物相组成、微观形貌及热导率的影响。结果表明:真空烧结会显著降低AlN材料的脱氮分解温度,无法实现其致密化;而通过N2保护无压烧结和放电等离子烧结的方法均能得到结构致密、热导率较高的AlN陶瓷,其中后者的烧结温度更低、制得陶瓷样品的致密度和热导率更高,在1650℃保温10min即可烧结得到热导率为121.5W·m-1·K-1的AlN陶瓷。     

放电等离子烧结可加工Ti2AlC陶瓷的研究

以自蔓延高温合成（SHS）的Ti2AlC粉体为原料，利用放电等离子烧结技术（SPS）研究了Ti2AlC陶瓷的烧结制备。结果表明：烧结温度1250℃，压力20MPa，真空烧结，保温5min，可获得相对密度98．6％，维氏硬度为4．3GPa的致密烧结块体；烧结样品的维氏硬度随烧结温度升高而增大，但高于1250℃后随温度升高反而减小，SPS方法烧结Ti2AlC陶瓷的最佳温度为1250℃，当烧结温度≥1350℃时Ti2AlC分解；SEM分析表明，SPS技术烧结制备的Ti2AlC陶瓷片层尺寸随烧结温度的升高而增大。     

放电等离子烧结温度对钨合金的组织及动态力学性能的影响

以纳米93W-4.9Ni-2.1Fe 合金粉末为原料,研究放电等离子烧结温度对钨合金组织和动态力学性能的影响。结果表明,采用放电等离子烧结方法可制备出组织均匀的细晶钨合金。当烧结温度在950~1400 ℃时,随着烧结温度的增加,钨颗粒平均尺寸由2 μm增大到10 μm,试样动态抗压强度随之降低;动态压缩过程中,烧结温度在1000~1200 ℃的试样塑性均较好,而当烧结温度超过1300 ℃时,试样的塑性很低,表现为明显的脆性状态     

烧结温度对放电等离子烧结Nb/Nb5Si3复合材料显微结构的影响

采用放电等离子烧结技术,分别在1500、1600、1680℃下对Nb-20Si试样进行烧结,研究了烧结温度对Nb/Nb<,5>Si<,3>复合材料显微结构的影响.结果表明,烧结温度高于1500℃时,烧结试样由Nb和Nb<,5>Si<,3>两相组成;随烧结温度的升高,烧结试样中Nb颗粒尺寸减小,试样致密度逐渐增大;烧结温度为1680℃时,显微组织中出现大量Nb+Nb<,5>Si<,3>共晶组织.     

CaF2助剂放电等离子烧结透明AIN陶瓷的微观结构和光学性能

采用放电等离子烧结技术，添加质量分数为3％的CaF2作为烧结助剂，制备了透明氮化铝（AIN）陶瓷。样品在烧结温度1800℃，30MPa压力下保温15min，达到了99．5％的相对密度和52．7％的最大透过率。SEM、XRD、TEM和EDX结果表明，烧结体具有很高的致密度、纯度，良好的晶粒形貌和微观晶体结构，晶界和三角晶界处观察不到第二相的存在。CaF2的添加引入液相烧结，促进AIN晶粒的生长和烧结体的致密化，并且与AIN颗粒反应生成的氟化物和Ca-Al-O化合物能够从烧结体中逸出，进一步净化烧结体，是制备透明AIN陶瓷的有效助剂。放电等离子烧结技术具有烧结快速、烧结体致密度高的特点，是制备透明AIN陶瓷的有效方法。     

CoSb3纳米晶块体热电材料的制备研究

采用机械合金化．放电等离子烧结工艺(MA-SPS)，在200℃～600℃之间制备了纳米晶CoSb3合金块体材料。采用XRD和TEM对材料的相组成和微观组织进行了测试分析。实验结果表明，烧结前粉末为高能球磨得到的平均晶粒尺寸为20nm～35nm的纳米晶CoSb3粉末，SPS烧结后CoSb3合金块体的平均晶粒尺寸小于100nm，其致密度达到了91．3％～99．6％。CoSb3块体的晶粒尺寸随着烧结温度的降低而减小，而密度却随着烧结温度的升高而增加。CoSb3纳米晶块体热电材料的制备机理是MA使粉末晶粒细化到纳米级，放电等离子烧结的快速、短时、低温和特殊烧结机理显著抑制了烧结时的晶粒长大。     

高致密CuO-SnO2陶瓷的液相烧结

利用无压烧结制备含CuO的SnO2高致密陶瓷材料。研究表明，CuO的掺杂对SnO2烧结致密度有很大的提高，烧结致密度与CuO添加量以及液相烧结工艺有着密切的关系，掺杂0．5％（摩尔分数）CuO的SnO2基陶瓷样品密度为6.88g·cm^-3，相对密度达到98.97％，最佳的烧结温度为1250℃。其烧结机理为高温下生成共晶CuO—Cu2O液相大大促进了陶瓷体的烧结性能。     

放电等离子烧结制备纯T′相YSZ陶瓷的研究

采用经过等离子喷涂处理的8%(质量分数,下同)YSZ纯T′相陶瓷粉体,经过高能球磨和高能搅拌磨处理后分别在1400、1450、1500、1600℃下进行放电等离子烧结,保温5～15min,得到不同显微结构的陶瓷样品。XRD分析结果显示其仍保持纯T′相。通过对其粉体和烧结后样品显微形貌的分析,探讨晶粒长大与烧结条件的关系,从而得到最优的YSZ纯T′相陶瓷制备工艺为1450℃/5min。     

CaF2助剂放电等离子烧结透明AlN陶瓷的微观结构和光学性能

采用放电等离子烧结技术,添加质量分数为3%的CaF2作为烧结助剂,制备了透明氮化铝(AlN)陶瓷.样品在烧结温度1 800℃,30 MPa压力下保温15 min,达到了99.5%的相对密度和52.7%的最大透过率.SEM、XRD、TEM和EDX结果表明,烧结体具有很高的致密度、纯度,良好的晶粒形貌和微观晶体结构,晶界和三角晶界处观察不到第二相的存在.CaF2的添加引入液相烧结,促进AlN晶粒的生长和烧结体的致密化,并且与AlN颗粒反应生成的氟化物和Ca-Al-O化合物能够从烧结体中逸出,进一步净化烧结体,是制备透明AlN陶瓷的有效助剂.放电等离子烧结技术具有烧结快速、烧结体致密度高的特点,是制备透明AlN陶瓷的有效方法.     

Low-temperature sintering process for UO2 pellets in partially-oxidative atmosphere

Low-temperature sintering（LTS） experiments of UO2 pellets and their results were reported. Moreover, a routine process of LTS for UO2 pellets was primarily established. Being sintered at 1 400 ℃ for 3 h in a partially-oxidative atmosphere, the relative density of the pellet can be up to around 94%. Pellets with such a high density are of benefit for following-up reduction-sintering processes. Orthogonal test indicates that the importance of factors affecting the density decreases in the sequence of partial-oxidative sintering temperature and time, reduction-sintering time and temperature, and sintering atmosphere. It is found that it is helpful to introducing a small amount of water vapor into the sintering atmosphere during the latter stage. It is believed that it is the key factor to raise the O/U ratio of original powder in order to improve the properties of the low-temperature sintered pellets.     

烧结工艺对超细WC-6%Co-0.6%(VC/Cr_3C_2/TaC)硬质合金性能的影响

硬质合金的性能随烧结工艺的不同而会发生变化,本文在1 380℃,经真空烧结和压力烧结(4 MPa)制备超细WC-6%Co-0.6%(VC/Cr3C2/TaC)(质量分数)硬质合金,分别采用SEM分析、XRD检测、钴磁检测、矫顽磁力检测、洛氏硬度检测、抗弯强度检测等方法,对比研究了真空烧结和压力烧结对合金显微组织和力学性能的影响。结果表明:与真空烧结相比,压力烧结提高了合金的相对密度,降低了孔隙度,从而提高了合金的综合性能。本次实验中,压力烧结条件下制备的合金相对密度为99.4%,孔隙度为A02B00,硬度为93.8 HRA,TRS为1 830 MPa。     

中等品位铝土矿强化石灰烧结机理及溶出试验研究

针对我国资源特点,本文提出不同干传统的石灰烧结法的强化石灰烧结法机理,采用铝硅比为3.84的矿石,按照钙铝比为1.2～1.6进行配矿,配料以生成铝酸-钙和钙铝黄长石为目的,在烧结温度1290℃和烧结时间90min条件下进行熟料烧成.实验结果表明,强化石灰烧结法烧姑熟料的溶出性能较好,烧结熟料氧化铝溶出率达到了82.8%.物相分析表明,熟料主要物相为铝酸一钙和钙铝黄长石,赤泥中的主要物相为钙铝黄长石.     

制备铜铝梯度功能材料的烧结工艺研究

烧结工艺是影响铜铝梯度功能材料电导率的较为重要的因素。运用粉末叠层的方法制备了Cu-Al梯度功能材料试样，在氮气密封罐中分别进行520、535、550、565及580℃烧结3h；并在温度不变的条件下烧结不同的时间。研究发现对铜铝梯度功能材料导电性能影响较大的是烧结温度；在550℃烧结3h时，电导率最高；铜铝梯度功能材料电导率随烧结时间的延长而升高，但较为有效的烧结时间为3h。     

烧结参数对粗粉注射成形件性能的影响

研究了烧结气氛和烧结温度对粗粉烧结件性能的影响。结果表明：烧结件的性能随烧结气氛中氢的含量的变化而变化。随着混合气氛中H2/N2比的增加，烧结收缩率、密度增加，而碳含量却随之降低；烧结件的性能随烧结温度的升高表现为先增高后降低。     

烧结助剂对Salon常压烧结的影响

研究了以Y2O3和Y2O3＋La2O3为烧结助剂的Sialon陶瓷的常烧结过程及其相结构。结果表明：添加6％Y2O3在1750℃常压烧结1h可获得相对密度大于99％的Sialon陶瓷;La2O3可部分或大部分取代Y2O3,混合烧结助剂的最佳烧结温度（1800℃）略高于单纯以Y2O3为烧结助剂的最佳烧结温度（1750℃）。加入La抑制了α′相和YAG相的生成,选择合适的工艺条件,可制得α′ β′复相陶瓷。探讨了用Col-Gel化学法混料替机械法混料的可能性,由于γ－Al2O3转变成α－Al2O3等原因,化学混料法的效果不如机械法。     

纳米块体材料烧结技术进展

综述了压力烧结、微波烧结、场辅助烧结、激光烧结、锻造烧结、热挤压、冲击波烧结等纳米块体材料烧结新技术以及每种技术的特点和应用。     

烧结气氛对合金性能的影响

主要研究在多气氛真空烧结炉中 ,通入不同的气氛对合金烧结后性能的影响 ,从而为烧结工艺的改进提供参考     

纳米Cu粉末的放电等离子烧结

利用放电等离子烧结装置考察了纳米铜粉坯体的升温过程,研究了烧结速度和烧结温度对烧结等效电阻、烧结体相对密度及晶粒尺寸的影响。结果表明：在烧结过程中存在着最佳的烧结速度,当烧结速度为150℃／min时,样品致密度达到峰值88％左右,晶粒的平均尺寸接近200nm,且烧结的等效电阻随升温速度的增加而降低;纳米Cu粉末在250℃时开始烧结成块,随烧结温度提高,烧结致密度不断提高,电阻降低;但是当升温速度过快,烧结温度过高时,出现反致密化现象。     

用掺碳活化烧结技术制取碳化硼材料

研究了 3种烧结活化剂 (葡萄糖、酚醛树脂和硬脂酸 )和不同的掺碳量对碳化硼烧结的影响。发现活化剂葡萄糖优于其它两种活化剂 ,以葡萄糖为活化剂 ,掺碳 3%,在 2 2 70℃氢气中常压烧结 1h获得的碳化硼材料密度为 2 .0 6 g/cm3 (相对密度 82 %) ,这一密度高于文献中报道的采用相同粒度粉末制得的结果。