逻辑集成电路的发展预测和对策

介绍了国外逻辑集成电路的发展状况，预测了２０００年前逻辑集成电路的主要技术及发展差距，阐明了逻辑集成电路在微电子产业及军工中的地位，提出加速发展我国逻辑集成电路的对策建议。     

总线功能模型在集成电路功能验证中的设计和应用

随着集成电路的设计规模不断增大，功能验证逐渐成为整个设计过程中的瓶颈。文章在对传统的验证方法进行分析的基础上，介绍了使用总线功能模型的验证方法，并对总线功能模型设计的策略和方法进行了探讨。     

超大规模集成电路中互连结构的逻辑模型

本文首次提出一种新观点，超大规模集成电路中互连结构的等效模型应具有层次性，对于底层的电路设计，应将互加看作一种具有分布参数的多端口网络，而对于高层次的模块设计，则应将互连看作一种逻辑元件，基于这种观点，本文提出了一种表格型的逻辑模型，它可以将互连产生的三种主要负效应：串扰、延迟和信号变形人武部考虑在内。     

VME总线接口逻辑分析和电路设计

本文介绍了VME总线接口逻辑芯片的逻辑分析和电路设计。通过这些工作,对用户利用CY7C964芯片构造通用的总线接口,或根据实际情况在CY7C964电路构成的基础上进行VME接口的简化或优化设计,以及对开发基于VME总线协议的接口芯片有所帮助。     

WZJ01天线馈线防盗报警器设计

文章探讨了WZJ01天线馈线防盗报警器的设计运筹,总体方案设计及电路设计、PCB电路板设计等分项设计。     

可编程逻辑器件上嵌入专用集成电路的设计和实现

本文叙述了专用集成电路嵌入在可编程逻辑器件上实现应用的一些实例，分析这类应用的背景、特征、优点以及所面临的一些挑战。     

IM模型研究和系统设计的基本要求

本文对当前最流行的一种聊天软件做了介绍，研究了其模型，并对设计和实现此系统时所必须考虑的最基本要求做了探讨。     

基于遗传算法的Kriging元模型及其在模拟集成电路优化设计中的应用

提出了建立电路Kriging元模型,并与遗传算法相结合确定电路参数,优化电路的方法.相对传统多项式回归模型,Kriging模型更适合电路仿真的实验类型;利用遗传算法,解决了基于Kriging元模型电路系统的全局优化问题.最后将该方法应用于带隙基准电路设计,取得令人满意的结果.     

基于遗传算法的Kriging元模型及其在模拟集成电路优化设计中的应用

提出了建立电路Kriging元模型,并与遗传算法相结合确定电路参数,优化电路的方法.相对传统多项式回归模型,Kriging模型更适合电路仿真的实验类型;利用遗传算法,解决了基于Kriging元模型电路系统的全局优化问题.最后将该方法应用于带隙基准电路设计,取得令人满意的结果.     

基于多服务渠道的电力客户满意度调查模型和系统设计

为分解、明确各部门在提升产品和服务过程中的职责与目标并将满意度研究结果纳入绩效考核,深化“客户导向”的服务理念,广东电网珠海供电局以服务流程中的客户服务体验关键触点入手,全面调查用电客户在95598、营业厅、网厅、掌厅、微信中的各项服务体验感知。为全面发布问卷,统计海量调查结果数据,首先应探究用于多渠道的调查模型及系统,以作为调查结果统计的技术支撑。     

基于多服务渠道的电力客户满意度调查模型和系统设计

为分解、明确各部门在提升产品和服务过程中的职责与目标并将满意度研究结果纳入绩效考核,深化“客户导向”的服务理念,广东电网珠海供电局以服务流程中的客户服务体验关键触点入手,全面调查用电客户在95598、营业厅、网厅、掌厅、微信中的各项服务体验感知。为全面发布问卷,统计海量调查结果数据,首先应探究用于多渠道的调查模型及系统,以作为调查结果统计的技术支撑。     

首届国家集成电路设计产业化基地和香港科技园“孵化创新产品”竞赛颁奖仪式在京隆重举行

2月1日，首届国家集成电路设计产业化基地和香港科技园“孵化创新产品”竞赛颁奖仪式在京隆重举行，共有科技部、信息产业部、中国半导体行业协会、863计划超大规模集成电路设计重大专项专家组的领导和专家及来自北京、上海、深圳等7个国家集成电路设计产业化基地和香港科技园的有关主管领导、产业化基地负责人和获奖单位代表共计100多人参加了颁奖仪式。     

我校“数字逻辑与系统”课程的总体改革和实践

数字领域新技术、新概念、新方法的不断涌现,使数字技术基础课的教学内容发生变化,这些变化要求教学方法亦有革命性变革。本文简要介绍了我校8年来对数字逻辑与系统课程的教学内容、教学方法、教学手段的改革实践。     

首届国家集成电路设计产业化基地和香港科技园“孵化创新产品”竞赛颁奖

2月1日，首届国家集成电路设计产业化基地和香港科技园“孵化创新产品”竞赛颁奖仪式在京隆重举行。此次竞赛活动，由科技部高新司、信息产业部科技司、中国半导体行业协会、科技部高技术中心和863计划超大规模集成电路设计重大专项专家组联合主办。     

信息产业部今后将重点扶持软件和集成电路业

日前由信息产业部、财政部联合主办的电子信息产业发展基金“十五”成果汇报展示会上，信息产业部有关人士表示，“十五”期间，电子发展基金在软件产业的投入近10亿元，占全部基金的四成以上。“十一五”期间，软件和集成电路继续列为电子发展基金投入主要领域，并将追加基金投入。     

基于ADL描述的ASIP模型体系架构

为了获取ASIP(专用指令集处理器)体系结构可执行模型,实现自动化设计,研究遵循描述-综合设计方法学,采取了ADL(体系结构描述语言)手段,构建了对象的功能-结构-物理三层描述,将复杂的ASIP系统划分为不同的模型视图.ADL允许设计者以纯行为形式描述抽象复杂系统,且语言本身很容易被软件捕捉执行,因此ADL规约将驱动整个ASIP设计流程.     

一种新的集成电路互连线串扰模型和估计公式

建立了一个考虑分布电阻,分布电容的互连线混П模型,在这个模型的基础上,分析了终端在最坏条件下的串扰响应,并推导了三阶S域系数的精确表达式,最终,获得了一个新的互连线串扰响应的估计公式,通过与SPICE模拟的结果相比较,该文的模拟结果非常接近实际电路的串扰响应,与相关文献所发表的结果相比较,该模型更符合实际情况,结果也更精确。     

器件参数宏模型的精确建立及其在模拟集成电路性能建模与优化中的应用

Techniques for constructing metamodels of device parameters at BSIM3v3 level accuracy are presented to improve knowledge-based circuit sizing optimization. Based on the analysis of the prediction error of analytical performance expressions, operating point driven （OPD） metamodels of MOSFETs are introduced to capture the circuit＇s characteristics precisely. In the algorithm of metamodel construction, radial basis functions are adopted to interpolate the scattered multivariate data obtained from a well tailored data sampling scheme designed for MOSFETs. The OPD metamodels can be used to automatically bias the circuit at a specific DC operating point. Analytical-based performance expressions composed by the OPD metamodels show obvious improvement for most small-signal performances compared with simulation-based models. Both operating-point variables and transistor dimensions can be optimized in our nesting-loop optimization formulation to maximize design flexibility. The method is successfully applied to a low-voltage low-power amplifier.     

高压集成电路中的HV MOS晶体管BSIM3 I-V模型改进

针对SPICE BSIM3模型在对大量应用于高压集成电路中的轻掺杂漏高压MOS(简称HV MOS)晶体管建模上的不足,提出了基于BSIM3的高压MOS晶体管I-V模型改进.研究中使用Agilent ICCAP测量系统对HVMOS晶体管进行数据采集,并分析其源漏电阻受栅源、源漏和衬底电压的影响及与标准工艺低压MOS晶体管的差异,针对BSIM3模型源代码中源漏电阻R ds的相关参数算法进行了改进,保留BSIM3v3原有参数的同时增加了R ds的二次栅压调制因子Prwg2和有效Vas参数δ的栅压调制因子δ1,δ2,在开放的SPICE和BSIM3v3源代码上对模型库文件进行修改并实现了优化.仿真结果表明采用改进后的模型,在ICCAP下的测量曲线与参数提取后的I-V仿真曲线十分吻合,该模型大大提高了BSIM3 I-V模型模拟HV MOS晶体管时的精确度,对于高压集成电路的设计与仿真有着极其重要的意义.