具有极低暗电流的光电二极管

<正> 在1～1.65μm波长范围内工作的光波通讯系统,需要高速、低噪声的InGaAs光电探测器。与在相同波长范围工作的雪崩光电二极管相比,p-i-n光电二极管具有暗电流低、频率带宽大等优点。最近美国贝尔实验室针对光波通讯的需要,已研制成具有上述优点的p-i-n光电二极管。这是一种平面的、Zn扩散的InP/InGaAs     

Ge雪崩光电二极极管

日本电电公社武藏野通研最近报导了对于1.0～1.6μm 波段光纤通信使用的锗雪崩光电二极管的研究结果。为了实现长波长光纤通信,长波长光源,光探测器等光学器件是必不可少的。关于长波长光探测器,使用 InGaAs,InGaAsP,AlGaSb 等化合物混晶的雪崩光电二极管比较引人注     

长波长InGaAs／InP APD光接收组件

在理论分析与计算的基础上研制了一种用于140Mb/s长波光纤通信的新型高灵敏度光接收组件,组件采用混合集成电路技术制成,由InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管和硅双极晶体管互阻型前置放大器组成.工作波长为1.3μm时,理论计算的灵敏度为-48.6dBm,实际测量值为-47dBm,优于现有的PIN/FET光接收组件或Ge雪崩光电二极管.     

在半绝缘InP衬底上制作用于单片集成的InGaAs PIN光电二极管

用LPE方法在半绝缘InP衬底上制作适用于光电单片集成的InGaAs PIN光电二极管。这种光电二极管具有低的暗电流和高速响应的特点。这种光电二极管在-10V工作电压下,暗电流密度为2.5×10~(-6)A/cm~2。这个值是目前在这种材料系中所报导的最低值。在-5V工作电压下测得光电二极管的外量子效率在1.3μm波长处大于90%。在1.5μm波长处的外量子效率大于83%,这些器件的上升时间小于35PS,半峰值处全宽(FWHM)小于45PS。     

长波长光纤系统的改进型雪崩光电二极管

本文评述了长波长光纤系统的改进型Ge雪崩光电二极管(Ge-APD)和InGaAs/InP雪崩光电二极管(InGaAs/InP-APD)。P~ -n型和n~ -n-p~ 型锗雪崩光电二极管在1.0～1.5μm波长区比通常的n~ -p型Ge-APD的倍增噪声低。吸收区和倍增区分开的InGaAs/InP—APD在1.0～1.6μm波长区比Ge—APD有较低的暗电流和较低的倍增噪声。这种雪崩光电二极管与Ge雪崩光电二极管相比能改进3～4dB的最小可探测功率。     

InP/InGaAs p-i-n/HBT单片跨阻抗型光电接收器

<正>《IEEE Photonics Technology Letter》1990年7月号报道了首次研制的长波长InP/InGaAs p-i-n/HBT光电单片集成电路跨阻抗型(Transimpedance)光电接收器.该接收器将pin光电检测器和低噪声前置放大器集成在一个单片上,电路包含一个pin管,3个HBT(异质结双极晶体管)和5个电阻.pin光电二极管的电信号由2个HBT跨阻抗放大,     

低暗电流InGaAs PIN光电二极管

本文研究了1.0～1.6μm 波长范围低暗电流 InGaAs/InP PIN 光电二极管。阐明了造成通常 InGaAs/InP 光电二极管暗电流的原因是通过 InGaAsp-n 结不稳定表面的漏电流。制造了一种新式结构的光电二极管,并对其光电特性进行了研究。在这种结构中,p-n 结的边缘露在 InP 表面,结果得到了暗电流低于1nA 的稳定的 InGaAs/JnP 光电二极管,此值约为锗光电二极管的1/1000。     

1.54μm APD光电探测器组件的研制及应用

主要从长波长人眼安全测距方面讨论和研究了InGaAs雪崩光电二极管的前置放大器的电路原理和参数的设计以及光电探测器组件混合集成.着重从激光测距方面的应用探讨了由InGaAs雪崩光电二极管组成的激光接收器的应用电路的选择和设计.从测距使用的角度对InGaAs雪崩光电二极管的光电特性与偏置电压的关系进行了测试,从而了解该器件与硅雪崩二极管的光电性能的差异,从而为更好的应用InGaAs雪崩光电二极管提供参考和依据.研制的InGaAs雪崩光电二极管探测器组件及接收器在激光测距机中进行了测距应用,在激光能量为7毫焦耳测距集中进行测距,初步达到了要求.     

长波长PIN—双极晶体管光接收模块

本文报导一种用于长波长光纤通信的光接收模块。该模块由一个 InGaAs/InP PIN 光电二极管和硅双极晶体管组成。应用厚膜电路技术,将电路所用器件装在-10mm×15mm 的氧化铝基片上。尽管模块输入电容较大,但它却有高的响应速度。     

CO2激光器线偏振光输出腔内起偏器的研究

混合InGaAs光电二极管阵列ETX128FPA是16384元InGaAs焦平面阵列,供1.0～1.7μm波段内的近红外成象使用。这种128×128元的二维光电二极管阵列是使用钢冲击结合技术把InGaAs材料结合到高级的CMOS倍增管上而制成的。     

基于InP/InGaAs HBT技术的单片集成长波长光接收OEIC

采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收光电集成电路(OEIC)的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究.基于自对准InP/InGaAs HBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收OEIC.发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率和最高振荡频率分别为45和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55/μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制的HBT/PIN单片集成光接收OEIC在2.5和3.0Gb/s速率非归零223-1伪随机码传输工作时可以观察到张开的眼图,灵敏度≤-15.2dBm@BER=10-9.     

用汽相外延法生长的高速平面结构InP/InGaAsP/InGaAs雪崩光电二极管

<正> 据日本 NEC 光电研究窒报导,他们采用汽相外延生长方法和 Be~+离子注入保护环结构,实现了平面结构的 InP/InGaAsP/InGaAs 雪崩光电二极管。在1.3μm 和1.3Gbit/s 条件下进行了灵敏度的测量。在10~(-0)误码率的情况下所需的最小平均接收功率为-31.3dBm,此值比     

基于InP/InGaAs HBT技术的单片集成长波长光接收OEIC

采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收光电集成电路(OEIC)的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究.基于自对准InP/InGaAs HBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收OEIC.发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率和最高振荡频率分别为45和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55/μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制的HBT/PIN单片集成光接收OEIC在2.5和3.0Gb/s速率非归零223-1伪随机码传输工作时可以观察到张开的眼图,灵敏度≤-15.2dBm@BER=10-9.     

长波长光纤通讯用的InGaAs/InP PIN光电二极管

<正>由于石英光纤在λ=1.0～1.7μm范围有低损耗和低色散的优点,因此长波长光通讯技术是近年来发展较快的领域.InGaAs/InP PIN光电二极管的研制成功,克服了Ge光电二极管的暗电流大和温度特性差的缺点,为光通讯的长中继传输和多重波长传输技术提供了一个质量良好的关键器件.     

InGaAs/Si雪崩光电二极管

采用Si/InP低温晶片键合技术,设计并制作了InGaAs/Si雪崩光电二极管.器件利用InGaAs做吸收层,Si做增益层,光敏面大小50μm×70μm;测试结果表明器件有正常的光响应特性,击穿电压为41 V,暗电流为99 nA,此时光电流比暗电流高3个数量级.     

近红外光谱仪

由StellarNet公司生产的NIRX-SR系列光谱仪采用512元的InGaAs光电二极管列阵和高速USB 2.0接口,其工作波长范围为0.9μm至2.2μm。这种坚固防     

具有低暗电流的全金属化耦合封装InGaAs/InP平面PIN光电二极管

本文报导了一种具有先进结构的InGaAs/InP平面PIN光电二极管。该器件的响应度最高可达0.95μA/μW,结电容一般小于1pF,暗电流在室温-5V下最低为0.02nA。     

小面积InGaAsP/InPPIN光电二极管和PIN/FET光接收器

<正> 最近美国贝尔实验室研制成功背照射结构小而积锌扩散同质结 InGaAsP/InP PIN光电二极管。器件基本参数为:波长λ=1.65微米,-10伏偏压下,器件电容 C=0.3微微法,暗电流 I_d=5毫微安,无防反射涂层条件下量子效率η=65%。当用波长为1.31微米的此种 PIN 组成 PIN/FET 混合集成光接收器时,给出的光接收灵敏度为:     

InAsSb应力层超晶格长波红外光电探测器

用InAs__(1-x)Sb_x/InSb(x=0.82-0.85)应力层超晶格(SLS＇s)制备了长波红外光电二极管。这些探测器具有的宽光谱响应扩展到≥10μm波段,在10μm处的可探测率为1×10~9cm·Hz1/2/W。本文介绍的光电二极管是迄今报导的波长最长的Ⅲ-Ⅴ族光电器件。     

用于制作长波长光电探测器的Ga_xIn_(1-x)As/GaAs异质结多元汽相外延

采用Ga-In(InAs)-AsCl_3-H_2系统,在衬底材料GaAs单晶片上,生长出了适合于制作长波长光电探测器的、晶格匹配的Ga_xIn_(1-x)As外延层,并成功地制造出了GT301型p-i-n光电探测器。该探测器已正式通过定型鉴定。光敏面为φ100μm的探测器,反向击穿电压典型值在50伏以上;在-5V的偏置下,暗电流小于10nA,最小低于3nA;采用同轴二型管座带光纤耦合封装,二极管电容一般在1.2pf以下。在1.28μm波长下,光电灵敏度典型值在0.5μA/μW以上,最高达0.76μA/μW;响应时间为:上升时间t_r≤60ps,下降t_f>100ps。