一种基于照明目的的有机白光发光二极管

研制了一种以照明为目标的有机白光发光二极管(WOLED),该二极管在8V时的色度坐标为(x=0．319,y=0．337),对应的显色指数(Ra)为85．4,色温(Tc)为6151K。该二极管是含NPB和CBP两个基质的多层掺杂型结构器件;此外,NPB{4,4‘-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]bipheonyl}除了用作绿光和黄光基质外,还用作空穴传榆材料,CBP{4,4‘-N,N‘-dicarbazole-biplaenyl)用作红光磷光配合物的基质材料。3个掺杂层分别提供白光发射的红、黄和绿光成分,而蓝光成分则来自于空穴传榆层NPB本身的发射。该器件在直流电流密度为0．1mA／cm^2时最大白光发光效率可达5．6cd／A(3．9lm／W),在15V时达到的最大亮度为5100ccl／m^2。其性能参数达到了白光照明光源的要求。     

我国研制成功大面积白光OLEDs

国家高技术研究发展计划（863计划）新材料技术领域重大项目“半导体照明工程”的支持下,中国科学院长春应用化学研究所马东阁研究员领导的研究小组最近研制出了20cm^2的白光OLEDs照明板,该器件显示了很好的照明质量,可满足室内照明灯应用的要求,其研制成功标志着我国白光OLEDs向实用化更迈进了一步。     

基于Ⅲ-Ⅴ族材料制备的高效多结太阳电池最新技术进展

基于Ⅲ-Ⅴ族材料制备的多结太阳电池由于优越的性能,在空间电源领域和地面聚光方面的应用越来越受到重视.介绍了多结太阳电池的高光电转换效率机理,并从材料选择、结构设计、优化生长工艺等方面讨论了研发Ⅲ-Ⅴ族高效多结太阳电池的实现方案和最新技术进展.重点探讨了采用GaInNAs(Sb)新材料、倒置生长、半导体键合等技术方法.其中,采用半导体键合技术制备的GaInP/GaAs//GaInAsP/GaInAs四结太阳电池光电转换效率为46％,也是目前实验室最高效率.此外,分析了Ⅲ-Ⅴ族高效多结太阳电池的发展方向,并对其前景进行了展望.     

国内外白光LED封装胶发展现状分析

<正>近年来,在全球节能减排的大趋势下,白光发光二极管(LED)照明基于半导体封装技术和材料的发展呈现了快速增长的势头。与传统光源相比,LED照明具有寿命长、体积小、节能、高效、响应速度快、抗震、无污染等优点,被称为第4代照明光源或绿色光源。2014年诺贝尔物理学奖就颁给了因发明"高亮度蓝色发光二极管"的赤崎勇、天野浩和中村修二等3位科学家,是对原创技术的肯定,也是对照明市场发展方向的肯定。正是在市     

“Si”关注与化合物半导体集成

历来以Si的CMOS工艺为主的逻辑应用中“加入”Ⅲ-Ⅴ族化合物材料的可能性日益增大;英特尔公司及许多新的研究项目中都出现了这样的动向。在半导体工业协会的一次会议上提出,2015年将选用Ⅲ-Ⅴ族材料所制晶体管。     

Ⅲ-Ⅴ族化合物与CMOS：逻辑的选择？

如果你想了解SiCMOS工艺的将来，那么IEDM（国际电子器件会议）是值得一去的“地方”。IEDM每年12月份交替在华盛顿和旧金山举行，已有50多年的历史了。一些关键性的半导体工艺常常在该会议上“出现”。2007年会议的与会者又在共同关注微电子工艺中的一个最大的问题——如何为Si逻辑（工艺）寻找一个“替代品”。此次会议上化合物半导体受到极大关注。     

InP是很有希望的极短波长QCL基础材料

许多小有机分子在2-4μm波段有强的吸收线。目前的Ⅲ-Ⅴ族量子激光器（QCL）尚不能延伸到这一“领域”。但在InP上制备的ZnCdMgSe化合物家族有应用于此的潜力。     

Ⅲ-Ⅴ族MOSFET用于将来的CMOS晶体管

CMOS“享受”了几十年的繁荣,是依靠作为晶体管“本体”的Si这一核心材料以及SiO2栅电介质。近十年来,研发的焦点关注到引入新材料,如SiGe（作为P沟道晶体管的欧姆接触区）和铪基栅电介质以提高器件性能和能量效率。用别的材料作为沟道材料可能使CMOS发生革命性变化,如选用Ge材料,甚至石墨烯。     

日本用GaP进行单一光子发生获得成功

日本物质材料研究机构半导体材料中心和日本筑波大学利用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaP在结晶时形成的称为等电子陷阱的能级上的电子-空穴对，从各个等电子陷阱发生能量非常一致的单一光子。这在世界尚属首次。