分段线性忆阻系统的簇发振荡及其机理分析

为了研究分段线性忆阻系统的簇发振荡及其形成机理,该文在一非自治系统中引入分段线性忆阻器模型与慢变化的周期激励项,建立了一种两时间尺度的4D分段线性忆阻系统。由于分段线性忆阻器模型的引入,系统被非光滑分界面分成不同的子系统。相应子系统控制的名义平衡轨迹的稳定性与非光滑分界面均会影响系统的簇发现象,导致轨迹在非光滑分界面处的突然跃迁与非光滑分岔的产生,从而展现出两种不同机理的簇发模式。利用微分包含定理对分岔机理进行分析,并借助时序图、转换相图等,通过数值仿真与Multisim电路仿真验证了理论分析的正确性,该文对分段线性忆阻系统的动力学行为及应用研究具有重要意义。     

多频激励忆阻型Shimizu-Morioka系统的簇发振荡及机理分析

为了研究忆阻系统的簇发振荡及其形成机理,该文在Shimizu-Morioka(S-M)系统的基础上引入忆阻器件和两个慢变化的周期激励项,建立了一种多时间尺度的忆阻型S-M系统。首先研究了单一激励下S-M系统的簇发行为及分岔机制,得到一种对称型“sub-Hopf/sub-Hopf”簇发模式。然后借助De Moivre公式将多频激励系统转化为单频激励系统,结合快慢分析法重点分析了附加激励幅度对“sub-Hopf/sub-Hopf”簇发模式的影响。对应于不同附加激励幅度该文发现了两种新的簇发模式,即扭曲型“sub-Hopf/sub-Hopf”簇发和嵌套级联型sub-Hopf/sub-Hopf”簇发。借助时序图、分岔图和转换相图分析了相应的簇发机制。最后,采用Multisim软件搭建电路模型并进行仿真实验,得到的实验结果与理论分析结果相吻合,从而实验证明了忆阻型S-M系统的簇发模式。     

基于双曲正切忆阻器的Duffing系统中簇发、共存分析及其DSP实现

忆阻器作为第4种基本电路元件由蔡少棠首次提出,它的提出为混沌电路的设计和工程应用提供了新思路。该文通过在Homles型Duffing系统中引入一个双曲正切忆阻模型,得到了一个新忆阻Duffing非自治系统。利用转换相图、相图、Lyapunov指数等,揭示了该系统具有振荡尖峰数目可控簇发、非完全对称双边簇发、非完全对称的簇发共存、多种周期混沌共存等新颖动力学行为。并通过分岔图及平衡点分析,研究了其簇发产生机理。采用Multisim电路仿真与数字信号处理平台(DSP)对系统进行了硬件实现,与理论分析基本一致的实验结果证明该系统是可行的且是物理可实现的。     

基于分数阶忆阻器的混沌电路分析与设计

提出了一种新型的分数阶忆阻混沌电路.首先,建立了分数阶忆阻器的数学模型,通过数值仿真验证了分数阶广义忆阻器满足忆阻器的基本特性.然后,将分数阶广义忆阻器与蔡氏振荡电路相结合,建立了一种基于分数阶广义忆阻器的混沌电路模型.通过稳定性理论,对分数阶系统的稳定性进行了分析.为了进一步研究电路参数对系统动态行为的影响,利用相位...     

基于广义忆阻器的超混沌系统的研究与电路实现

基于通用忆阻器模型,设计了一个广义忆阻器并将其引入混沌系统,构建了一个新的四阶忆阻超混沌系统,探究了其动力学特性。首先对新型四阶忆阻超混沌系统的相图、耗散性、李雅普诺夫指数、稳定性等特性进行分析,发现其存在无穷多平衡点集,且比原系统有更高的维度、混沌性以及复杂度。通过进一步分析其动力学现象,发现随着参数和初值的变化,其分岔特性和李雅普诺夫指数反映出多吸引子共存等现象。最后通过数值仿真与模拟电路仿真的相图对比,验证忆阻混沌系统电路的可行性。新系统有着更复杂的非线性行为,因此具有更高的研究价值,同时为忆阻混沌电路的实际应用奠定了基础。     

无平衡点忆阻超混沌系统的动力学分析及电路实现

为了探索忆阻超混沌系统更加丰富的动力学行为,在一个可通过调节常数项得到对称吸引子的四维混沌系统上引入磁控忆阻器,提出一个新型无平衡点的忆阻超混沌系统。采用分岔图、Lyapunov指数谱与相图等动力学分析方法对该忆阻超混沌系统进行研究,得到如下结果：新系统存在依赖于忆阻器初值的具有对称性的隐藏超级多稳定性,随系统参数改变而呈现的复杂隐藏动力学,丰富的状态转移行为以及偏移增量控制行为等。最后,设计并实现了该忆阻超混沌系统的实物电路,验证了系统的可实现性。     

简洁无电感忆阻混沌电路及其特性

采用非理想有源电压控制忆阻器和磁通控制型光滑3次非线性忆阻器,该文设计了一种不含电感的简单(只含5个电子元器件)双忆阻混沌电路。采用常规的非线性分析手段详细研究了电路参数变化时系统的基本动力学行为,例如平衡点稳定性分析,相轨图以及李雅普诺夫指数谱和分岔图等。通过调节系统控制参数,该系统可产生多涡卷、多翼以及暂态混沌等十分丰富的动力学现象。此外,还研究了系统依赖于忆阻器初始状态的多稳态,得到了一些有意义的结果。为验证电路的可行性及稳定性,通过对忆阻器的模拟等效电路的搭建,并将该等效电路应用于所提出的混沌电路中,硬件电路实验结果以及Multisim电路仿真结果与理论分析一致。     

基于开关电流技术的切比雪夫滤波电路的实现

提出了一种运用开关电流技术实现切比雪夫低通滤波电路的方法。将双二次滤波器的传递函数由s域进双线性z变换,确立了基于开关电流积分器的双二次节电路,利用这种双二次节可以实现开关电流滤波器。文中采用双二次低通滤波器级联实现了六阶切比雪夫低通滤波器的设计与仿真,仿真结果表明切比雪夫低通滤波器的陡峭衰减特性和理想幅频特性符合设计要求,从而证实了该方法的可行性和正确性。     

高线性满摆幅输入度跨导器及其在gm-C带阻滤波器中的应用

介绍了一种利用MOS管线性区特性实现满摆幅输入的跨导器.通过分析电路中MOS管的二阶效应,利用差分放大器以负反馈形式接入偏置和输出端并联电流源的方法,对电路进行了结构优化,提高了电路的线性度,并降低了输出失调电流.模拟结果表明:跨导器总谐波失真可达到-59.2dB,输出失调电流136nA.用该跨导器组成的gm-C带阻滤波器工作在50Hz的中心频率时,陷波带宽33Hz,陷波深度-39.6dB,可应用于滤除信号中的50Hz市电干扰.     

多元红外导引头预处理陷波电路的设计与仿真

多元红外导引头为了对抗云团等大背景干扰,在预处理电路中加入了陷波器.利用Matlab进行仿真,分析了陷波器带宽对抗人工干扰和预处理电路时间响应常数造成的影响和加入陷波器后的使用效果.仿真结果表明陷波器的带宽越窄会使整个电路的时间常数变长,带宽越宽会使抗人工干扰时信号下沉.根据仿真结果设计了顸处理陷波电路,经内外场试验该电路在抗云团等大背景干扰时,大大降低了背景噪声的幅值,提高了信噪比,在目标脉冲信号提取及抗人工干扰性能方面表现出了良好的性能.     

PA-Cap在滤波电路中的应用研究

以微机开关电源的滤波电路(工作频率为64.5kHz)来研究PA-Cap(片式聚合物铝固体电容器)在实际电路中的应用情况。实验发现用实测容量28.6μF的PA-Cap代替实测容量为960μF的液体铝电解电容器,可以得到同样的滤波效果;甚至可以用60μF的PA-Cap代替原电路中的960μF的电容和350μH的电感也得到同样的滤波效果。如果用片式二氧化锰钽电解电容,则分别需要127μF和192μF。其主要原因是采用高电导率的聚合物作阴极的PA-Cap具有优异的阻抗频率特性。     

一种快速精确设计滤波器型输出回路的新方法

该文利用3维微波模拟软件中的离散端口,在输出间隙处加入一个电阻R*out,并推导出了该电阻与速调管总体设计要求的间隙阻抗实部之间的关系。只需设置驻波比小于某一定值为优化目标,设置滤波器上的电感电容钉的大小和位置等参数为需要优化确定的参数,通过计算机自动计算,即可实现快速精确设计滤波器型输出回路。     

声表面波横向滤波器的衍射计算及衍射效应的分析

本文对声表面波(SAW)滤波器衍射频响进行了计算和衍射效应分析,从工程的角度给出:可通过增大IDT声孔径结合适当改变收发IDT孔径比值的简单方法消除衍射效应影响。最佳的IDT孔径和孔径比值由计算滤波器衍射频响确定。     

整流滤波电路中谐波电流分析及其改进的研究

文章分析了单相整流滤波电路对交流侧产生谐波的情况,发现以增加滤波电容来改变滤波效果时,却对交流侧产生更明显的谐波,其THD值也越大,所以在设计整流滤波电路时应权衡考虑,并且可以通过在直流侧串入电感减小电流的冲击。