共查询到20条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
基于MOSFET亚阈值的特性,通过两个MOSFET阈值电压差与热电压VT相互补偿的原理,提出了一种全CMOS基准电压源电路。与传统带隙基准电路相比,该电路采用全CMOS器件,无需电阻和传统分立电容,具有电路结构简单、功耗低、温度系数小和面积小的特点。通过对电路的理论分析,采用SMIC 0.18μm CMOS工艺模型,利用Cadence工具对电路进行仿真验证,在电源电压为1.8 V的条件下,输出电压为364.3 mV(T=27℃),温度系数为6.7 ppm/℃(-40℃~+125℃),电源抑制比达到-68 dB@10 kHz,功耗为1.3μW。 相似文献
2.
一种低压低功耗的亚阈型CMOS基准电压源 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍一种低压、低功耗和低温度系数CMOS基准电压源,该基准电压源的核心MOSFET工作在亚阈值区,采用亚阈值型MOSFET低于某个特定偏置点时,具有负温度系数的特点.电路用标准的0.35 μm CMOS工艺设计,在-40℃~+110℃范围的温度系数为262.6 ppm/ ℃时,基准的输出电压为345.36 mV.本文也... 相似文献
3.
4.
提出一种应用于RFID芯片的低功耗、可校准基准源电路。设计采用了全MOS管以及电阻来实现,大部分管子都工作在亚阈值状态,同时可以产生基准电压和基准电流。该基准源采用了GSMC 0.13 μm 1P5M工艺来实现,其最大工作电流不超过350 nA,供电电压为1.2 V,并且在0.9 V~2.5 V电压下均可工作。在-45℃~65℃的工作温度下,电压基准源的温度系数为30.3 ppm/℃,电流基准源的温度系数为20.7 ppm/℃。 相似文献
5.
6.
7.
8.
9.
张国华 《电子制作.电脑维护与应用》2005,(2):48-49
基准电压是许多控制或应用电路所必需的,而且电路的控制精度或性能指标在很大程度上取决于基准电压的好坏。对基准电压的基本要求是:在电源电压和环境温度变化时其电压值应保持恒定不变。 相似文献
10.
11.
12.
电子系统设计的低功耗技术 总被引:10,自引:1,他引:10
根据电子系统的设计实践,分析了低功耗系统设计时要考虑的因素,并以广泛使用的MCS-51系列单片机的低耗系统的设计为例进行介绍。给出了一种电源控制电路部分的实现方案及系统低功耗控制程序的设计思路。 相似文献
13.
讨论了基于MCS-51系列单片机的低功耗测量系统的设计与实现,给出了一个系统实例及其实测功耗值,用它可以方便地设计智能便携式仪器,具有较好的通用性和实用性。 相似文献
14.
15.
设计了一种采用0.25μm CMOS工艺的高精度带隙基准电压源,该电路结构新颖,性能优异,其温度系数可达5ppm/℃,电源抑制比可达到62dB。在此基础上设计了一种基准电流源,其温度系数可达6ppm/℃,输出电流变化率仅为0.03%/V。 相似文献
16.
17.
提出了一种以MSP430F149为主控芯片、nRF24L01为无线传输芯片、AD627为前置放大器的低功耗无线应变传感器的设计方案,给出了该传感器的总体结构,详细介绍了该传感器数据采集发射子系统的软硬件设计方法,并对该传感器进行了能耗分析和测试,得出了该传感器的能耗公式。经理论计算,该无线应变传感器的平均电流消耗为32μA,比现有无线应变传感器的能耗低;测试结果与理论分析结果基本一致,且电池使用寿命可达70h以上。 相似文献
18.
19.
分析了VLSI的功耗模型,综述了多电压低功耗优化调度技术,通过对已有优化调度技术的评估,表明利用多电压调度技术能够有效地降低电路功耗,同时指出行为层的多电压综合设计会带来的一些负面影响,如物理布局等问题,针对该问题提出了一种行为层综合方案--调度分区一法,最后提出了VLSI行为层综合设计研究的新方向. 相似文献