表面贴装MLCC

HVArc Guard表面贴装X7R多层陶瓷芯片电容器（MLCC）现可提供可选聚合体端子。该器件专为耐受较高机械应用而设计,旨在减少机械破碎相关的电容器故障。凭借可选聚合体端子,VJ0805、VJ1206、VJ1210、VJ1808和VJ1812 HVArc CGuard MLCC可减少电容器故障,并通过限制电容器故障节约保修成本,从而进一步减少电路板上受损元件的数量或减少对整个设备的损坏。     

表面贴装元件的一些进展

简要论述近年来表面贴装电子元件与相关工艺的一些进展及今后的发展方向。     

高压表面贴装MLCC的新进展

高压表面贴装MLCC（多层陶瓷电容器）的额定值通常设定在500VDC或更高。这些MLCC广泛应用在电源当中,用来隔离和滤波DC和AC电压。它们在减少纹波噪声和消除开关稳压器所引起的潜在的不安全瞬变方面作用尤为重要。其他值得注意的应用是在灯镇流器中作为缓冲电容器;最近MLCC也已经集成在可植入医疗器械当中,以保护低电压电路免受外部去心脏纤颤引起的瞬变的影响。不过,当电压升高至750VDC以上时,在接线端之间以及安装在电路板上的其他器件之间就会出现比较严重的表面弧问题。     

Vishay发布用于快速放电的具有集成电阻的新款表面贴装MLCC

日前,Vishay Intertechnology,Inc．宣布,推出采用一个集成电阻和低电致伸缩陶瓷配方的新款陶瓷多层片式电容器（MLCC）——VJCDC。对于高脉冲电流应用,VJ受控放电电容器（CDC）提供了出色的稳定性,可承受1000～1500VDC的高电压,容量为33～560nF。     

表面贴装元件与工艺的新进展

本文简要叙述了近年来表面贴装电子元件与相关工艺的一些进展，今后的发展方向。     

Vishay提高VJ HVArc Guard表面贴装X7R MLCC的最小容量

宾夕法尼亚、MALVERNVishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布,提高其VJ HVArc Guard表面贴装X7R多层陶瓷片式电容器（MLCC）的最低容值。对于更低的容值,公司会提供C0G（NP0）电介质,电压范围1 000～2 500 V,及采用0805～2225的5种外形尺寸。     

HVArc Guard MLCC：表面贴装多层陶瓷电容器

随着Vishay在高压多层陶瓷电容器（MLCC）技术上的一系列突破,Vishsy制造出了一种新的表面贴装MLCC,比以往任何类型的电容器都更适合镇流器应用。这些新的HVArc Guard电容器采用NP0和X7R电介质,电压等级从直流250V到直流1000V。     

表面贴装元器件产业发展综述

表面贴装元器件(又称片式元器件)产业正在全球范围内讯速增长,促进电子技术和整机向短小轻薄、集成化、智能化和多功能化方向发展。为振兴电子信息产业,使其成为国民经济支柱产业和新的经济增长点,我国的《国民经济和社会发展“九五”计划和2010年远景目标纲要》中明确提出将表面贴装元器件等新型元器件做为电子工业的发展重点。这对于加速实现我国国     

表面贴装元器件产业发展综述

表面贴装元器件（又称片式元器件）产业正在全球范围内迅速发展，促进电子技术和整机向短小轻薄、集成化、智能化和多功能化方向发展。为振兴电子信息产业，使其成为国民经济支柱产业和新的经济增长点，“九五”计划和２０１０年远景目标纲要中明确提出将表面贴装元器件等...     

VJ Safety：MLCC

Vishay推出用于安全认证应用的新系列表面贴装多层陶瓷片式电容器（MLCC）VJ Safety。该系列器件采用COG（NP0）和X7R电介质,每款器件提供X1／Y2和X2安全分级,电压达到250VAC。     

采用水基黏合剂制作MLCC工艺的研究

采用水基PVA黏合剂为主要原材料,研究了水基PVA黏合剂在瓷浆制备、流延、生坯层压等关键工艺,制作出MLCC,并与溶剂型PVB黏合剂MLCC比较.结果表明:采用水基PVA黏合剂能够制作出性能良好的MLCC.     

发泡胶在MLCC生产中的应用

选用一种发泡剂材料A,通过配方比例的调整,制作出一种可应用于MLCC生产的发泡胶.该发泡胶可替代现有生粉膜固定方式,并且产品切割后,在一定温度时间条件下,发泡胶发泡失去粘性,产品自动脱落,分散良好,获得性能外观合格的MLCC芯片.     

高Q值铜内电极MLCC的研制

以铜为内电极和端电极,制备了NPO MLCC.研究了陶瓷粉体成分、内电极材料和烧结工艺对所制MLCC性能的影响.结果表明:选用Mg-Si-O3系瓷粉匹配纯铜内电极浆料,在弱还原气氛保护下进行低温(900～1 020℃)烧结,所制MLCC样品电性能良好,成本低,其中,0603规格10pF样品在1 GHz下的Q值高达60、...     

表面贴装型微波器件

介绍了表面贴装型微波器件的最新进展状况,如陶瓷/铁氧体叠层共烧元件、微波陶瓷介质谐振器器件、SAW和FBAR器件、薄膜器件、RF宽带器件以及无源/有源集成功能模块等。     

BME MLCC用水溶性粘合剂的研究

采用两种不同聚合度的丙烯酸(PAA)乳液,通过向其中添加自制的乙醇胺类增塑剂,再辅以相应的助剂,制得了水溶性粘合剂。实验发现,这种粘合剂具有较宽的分子量分布范围,较低的黏度及平缓的热失重曲线,配制的瓷浆不易产生气泡而且分散性好,流延膜片平整无针孔无气泡并有良好的弹性强度,适合于贱金属MLCC的制造。     

银迁移对PMZNT基独石电容器电性能的作用机理

研究了内电极中银的迁移对ＰＭＮ－ＰＺＮ－ＰＴ（ＰＭＺＮＴ）基的多层陶瓷电容器电的作用机理。通过微量的银掺杂来探讨在共烧过程银元素由内电极渗透到陶瓷介质中对多层器件造成的影响。借助扫描电显微镜来观察烧成后电极和陶瓷界面处的显微结构。结果表明：银迁移到陶瓷介质中导致介电性能的变化,具体表现为居里点的移动,介电峰值的下降,但并不是简单的单调上升或下降的关系。此外,陶瓷介质的绝缘性能下降,利用缺陷化学方法     

大面积高密度多层厚膜表面组装件的研制

介绍了研制大面积高密度多层厚膜表面组装件的概况及组装设计与制造工艺上所采取的措施。该组装件尺寸为９５ｍｍ×６７ｍｍ×１ｍｍ，布线密度为１２．５根／ｃｍ，介质通孔密度７．８个／ｃｍ２，元器件总数为１２２只，显示了该组装件的组装工艺水平。     

片式高压多层陶瓷电容器击穿问题的研究

根据实验数据分析了引起片式高压多层陶瓷电容器击穿的机理,结果表明:在静电场中节瘤的凸点电场强度,是电极平面节点电场强度的3倍;端头尖端电荷密度远大于周围电荷密度;空洞和分层中的空气在高压下电离,造成的介质变薄,是MLCC被击穿的重要原因。据此提出改进措施。通过提高膜和印叠质量控制电极厚度、排粘时间和升温速率、调整端浆比例等措施,控制相关因素,使高压产品的耐压性能提高1.5倍左右。     

低损耗因数MLCC在RF电路中的应用

分析了在RF电路中采用低损耗因数MLCC的优势,讨论了此类电容器的精度、额定电压、电容量、串联谐振频率、等效串联电阻、品质因数、并联谐振频率和功率负荷等技术指标,介绍了它在RF电路中的有关频率特性。提出了在选取和装配过程中应注意的问题,以提高整机的可靠性,达到最佳的性价比。     

MLCC的发展趋势及在军用电子设备中的应用

对多层陶瓷电容器在大容量、小型化、集成化和电极贱金属化等方面的最新技术动态、发展趋势进行了综述;推导出了功率随电容和电压变化的计算公式;分析了国内外多层陶瓷电容器的市场现状及其在高技术军用电子设备中的应用。