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在物理模型的基础上,对TFSOI RESURF器件的电势和电场分布进行了解析分析,系统研究了漂移区掺杂浓度,漂移区长度,埋层SiO2厚度和SOI层厚度等结构参数同电势和电场分布的关系,并首次定量分析了在工艺加工过程中必须引入的场SiO2界面电荷密度的影响。解析计算结果同MEDICI模拟结果相符。 相似文献
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提出了基于二维Poisson方程的薄膜SOI降低表面电场(RESURF结构解析物理模型.并在该模型基础上,给出了一种分析薄膜SOI RESURF结构击穿电压的方法.利用这一方法计算了漂移区长度较长的薄膜SOI RESURF结构击穿电压与漂移区掺杂浓度的关系,并定量分析了场SiO2界面电荷密度对击穿电压和漂移区临界掺杂浓度的影响.首次提出了临界场SiO2界面电荷密度的概念,并研究了其与漂移区掺杂浓度的关系.而且计算结果与MEDICI模拟结果符合得很好.这些为漂移区长度较长的薄膜SOI RESURF结构击穿电压的优化设计提供了理论依据. 相似文献
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RESURF原理应用于SOI LDMOS晶体管 总被引:5,自引:0,他引:5
本文首次采用解析方法及二维计算机模拟讨论了RESURF原理应用于SOILDMOS晶体管.研究表明:击穿电压随埋层SiO2厚度增加而增加;击穿电压随Si层厚度变化呈现U型曲线;当埋层SiO2和Si层厚度一定时,Si层的杂质浓度存在一个临界值,在此浓度之下,可获得高的击穿电压.这个结论也适用于介质隔离的各种横向器件的击穿特性分析. 相似文献
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为了实现50~500V的击穿电压范围,本文详细讨论了6H-SiC和3C-SiC肖特基整流器和功率MOSFET的漂移区性质。利用这些数据计算了器件的输出特性,并与Si器件做了比较,结果表明,由于其漂移区电阻非常低,故5000VSiC肖特基整流器和功率MOSFET在室温下能够处理100A/cm^2的导通电流密度,正向压降仅分别为3.85和2.95V。这些数值甚至优于Sipin整流器和门可关断晶闸管。这 相似文献
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多晶硅栅光刻前后注F对MOS器件辐射特性的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
分析研究了H2+O2合成栅氧化、多晶硅栅光刻前后注F和P的沟和N沟NOSFET,在最劣γ辐照偏置下的阈电压和Ids-Vgs亚阈特性的辐射影响应。结果表明,多晶硅栅光刻前注F比光刻后注F和未注F,具有更强的抑制辐射感生氧化物电荷积累和界面态生长的能力。其辐射敏感性的降低可能归结为SiO2栅介质和Si/SiO2界面附近F的浓度相对较大以及栅场介质中F注入缺陷相对较少所致。 相似文献
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通过求解具有界面电荷边界条件的二维泊松方程,建立了埋氧层固定界面电荷Qf对RESURF SOI功率器件二维电场和电势分布影响的解析模型。解析结果与半导体器件模拟器MEDICI数值分析结果相吻合。在此基础上,分别研究了Qf对RESURF SOI功率器件横向和纵向击穿特性的影响规律。在横向,讨论了不同硅膜厚度、氧层厚度和漂移区长度情况下Qf对表面电场分布的影响;在纵向,通过分析硅膜内的场和势的分布,提出了临界埋氧层固定界面电荷密度的概念,这是导致器件发生失效的最低界面电荷密度。 相似文献
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研究了阶梯变掺杂漂移区高压SOI RESURF(Reduce SURface Field)结构的器件几何形状和物理参数对器件耐压的影响;发现并解释了该结构纵向击穿时,耐压与浓度关系中特有的“多RESURF平台”现象。研究表明,阶梯变掺杂漂移区结构能明显改善表面电场分布,提高耐压,降低导通电阻,增大工艺容差;利用少数分区,能得到接近线性变掺杂的耐压,降低了工艺难度。 相似文献
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薄外延阶梯掺杂漂移区RESURF耐压模型 总被引:1,自引:0,他引:1
提出薄外延阶梯掺杂漂移区RESURF结构的耐压解析模型。借助求解二维Po isson方程,获得薄外延阶梯掺杂漂移区的二维表面电场和击穿电压的解析表达式。基于此耐压模型研究了不同阶梯漂移区数(n=1、2、3、5)的击穿特性,计算了击穿电压与结构参数的关系,其解析结果与数值结果吻合较好。在相同长度下,阶梯掺杂漂移区结构(n=3)击穿电压由均匀漂移区(n=1)的200 V提高到250 V,增加25%。该模型可用于薄外延阶梯掺杂和线性掺杂漂移区RESURF器件的设计优化。 相似文献
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Unified Breakdown Model of SOI RESURF Device with Uniform/Step/Linear Doping Profile 总被引:5,自引:3,他引:2
A unified breakdown model of SOI RESURF device with uniform,step,or linear drift region doping profile is firstly proposed.By the model,the electric field distribution and breakdown voltage are researched in detail for the step numbers from 0 to infinity.The critic electric field as the function of the geometry parameters and doping profile is derived.For the thick film device,linear doping profile can be replaced by a single or two steps doping profile in the drift region due to a considerable uniformly lateral electric field,almost ideal breakdown voltage,and simplified design and fabrication.The availability of the proposed model is verified by the good accordance among the analytical results,numerical simulations,and reported experiments. 相似文献
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