WR系列数字微欧计

WR系列数字微欧计具有测量范围宽、灵敏度高、漂移小等特点,在测量过程中无需调零,可广泛应用于测量电线电缆电阻率,电机直流电阻,开关接触电阻,金属焊接接口电阻等。 WR—2型数字微欧计技术性能: 1.测量范围:1μΩ～20ΚΩ(分七档) 2.灵敏度:1μΩ 3.测量精度:±(0.05％读数+0.02％满度)(恒温室校准精度) ±(0.1％读数+0.05％满度)(工作时) 4.工作电流:1A 100mA 18mA 1mA 0.1mA     

英飞凌推出具备最高功率密度和可靠性的新款紧凑式IGBT模块PrimePACK^TM3和EconoDUAL^TM3

英飞凌科技股份公司近日在纽伦堡举行的2010PCIM欧洲展会（2010年5月4日至6日）上,推出了专为实现最高功率密度和可靠性而设计的新款IGBT模块：采用PrimePACK^TM3封装、电压为1700V、电流为1400A的PrimePACK^TM模块,和EconoDUAL^TM系列的最新旗舰产品、电压为1200V、电流为600A的EconoDUAL^TM3。     

金升阳推出3W新型表贴SOJ封装DC-DC转换器

<正>近日,金升阳公司发布了一款非常特别的3W表贴电源产品:URB-MT-3WR3,该产品采用业界罕见的SOJ封装形式,体积为19.2*18.1*10.2(mm)。相比起传统SMD电源产品,该封装耐焊接性好,不容易变形,且占板面积更小,布板更加灵活,尤其适用于空间狭     

英飞凌发布搭载EtherCAT技术的全新XMC4800

<正>英飞凌科技股份公司近期宣布推出集成片上EtherCAT(用于控制和自动化技术的以太网)节点的全新XMC4800系列32位微控制器。英飞凌是第一家在带有片上闪存和模拟/混合信号处理功能的ARMCortex-M微控制器上集成EtherCAT节点的半导体公司。XMC4800系列产品至少包括18个型号,它们在内存容量、工作温度范围和封装方面有所不同。所     

英飞凌Advantage系列模块新品助中国变频器行业转型升级

正近期,英飞凌推出全新Advantage系列IGBT产品,该系列产品针对中国企业的需求,同时对产品性能和可靠性进行了优化,为中国变频器厂家在不同场景下的差异化需求提供了高性价比的解决方案。英飞凌此次推出的5款IGBT模块涵盖了1200V以及1700V两个电压等级。1200V电压等级有200A、300A、400A三个电流等级。1700V有200A和     

英飞凌推出全球最低通态电阻OptiMOS 3系列

英飞凌科技股份公司近日推出采用SuperSO8和S308(Shrink SuperSO8)封装的40V、60V和80VOptiMOSTM3全球最低通态电阻。SuperSO8封装与标准TO(晶体管     

英飞凌开始批量生产首款全碳化硅模块

<正>效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低:这是基于碳化硅(Si C)的晶体管的主要优势。近日,英飞凌科技股份公司开始批量生产EASY 1B——英飞凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模块。在纽伦堡2017年PCIM展会上,英飞凌展出了1200 V Cool Si C?MOSFET产品系列的其他模块平台和拓扑。如今,英飞凌能够更好地发挥碳化硅技术的潜力。英飞凌工业功率控制事业部总裁Peter Wawer博士指出:"碳化硅已达到     

英飞凌推出具全球最低通态电阻、采用SSO8无铅封装的全新OptiMOS3系列可使工业、消费类和电信应用的功率密度提高50%

2008年5月23日,德国Neubiberg和中国深圳讯英飞凌科技股份公司(FSE/NYSE:IFX)今日在中国国际电源展览会上宣布推出采用SuperS08和S308(Shrink SuperS08)封装的40V、60V和80V OptiMOS口3 N沟道MOSFET,在这些击穿电压下可提供无铅封装形式下的全球最低通态电阻。SuperS08封装与标准TO(晶体管外形)封装相比,可使功率密度增大50%,特别是对于服务器开关模式电源的同步整流应用而言。举例来说,这种采用SuperS08封装的器件可以只用20%的占位空间提供与D(?)Pak封装     

国际整流器公司授权英飞凌科技使用DirectFET~封装技术

英飞凌科技股份有限公司与国际整流器公司IR宣布,英飞凌获得国际整流器公司DirectFET~的授权许可,获准使用享有专利的先进功率封装技术。DirectFET功率封装技术适用于计算机、笔记本、通信设备和消费类电子产品中的AC/DC以及DC/DC电源转换器件,是业界一流的表面贴功率MOSFET     

英飞凌推第5代固定频率700 V/800 V CoolSET~(TM)

正近日,英飞凌科技股份公司推出了第5代固定频率700 V/800 V CoolSET~(TM)。该解决方案将PMW控制器IC和最新700V和800V CoolMOS? P7 MOSFET集成到一个封装中,在单一平台上就能支持隔离型和非隔离型反激式拓扑。全新的固定频率700 V/800 V     

2013英飞凌XMC1000全国巡回研讨会圆满落幕

近日,英飞凌在全国6大城市成功举办了"2013英飞凌XMC1000全国巡回研讨会"。XMC1000是英飞凌基于ARM Cortex-M0内核的32位单片机家族,旨在用8位的价格挑战中低端的应用领域。XMC1000分为三个系列:XMC1100入门系列、XMC1200特色系列和XMC1300控制系列。XMC1000采用65nm嵌入式闪存技术、300mm晶圆,这项工艺为单片机的低价提供了可能。64MHz MATH协处理器使XMC1000缩     

DC／DC模块电源中的佼佼者——B_LXD超薄系列

广州金升阳科技有限公司(MORNSUN)最近新推出一款14PIN DIP封装的超薄产品:B_LXD系列。该新品为定压隔离非稳压系列,该产品采用超薄设计,产品厚度仅为3mm(产品尺寸:20.4mm×10mm×3mm),引脚与BB公司DCP02系列兼容,能更好的节省空间、适应PC板的性能设置。     

英飞凌针对300A的大电流应用推出全新TO-Leadless封装

2013年5月14日,德国纽必堡讯——英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX／OTCQX代码：IFNNY）今日宣布推出全新的TO-Leadless封装,该封装具备更低的封装电阻、显著缩小的尺寸和更好的EMI性能。     

厂家谈维修——电脑全自动洗衣机负载驱动电路的结构与故障检修(下)

4.具有触发器的负载驱动电路水仙XQB30-11S型、金羚XQB35-18型等洗衣机应用具有触发器的负载驱动电路,图5为其电机电路部分。IC_2是六D触发器74174,作为数据缓冲寄存器使用。单片机IC_3(8603)的⑿和⒀脚分别接IC_2的输入端⑾和⑥脚,IC_2对应的输出端为⑩和⑦脚。IC_5的⑿和⒀脚输出的控制信号是否被IC_2存锁输出,取决于IC_3⑩脚输出的写(WR)脉冲。该WR脉冲接IC_2的⑨脚(时基CLOCK输入端),只有当IC_3⑩脚输     

英飞凌CIPOS~(TM) Mini IPM助力低功率电机驱动系统提高效率

正2018年6月1日,德国慕尼黑讯——全球性能效标准通常禁止制造商进口或销售不符合这些标准的产品。为遵守最低限度的特定要求,必须通过利用最新技术来降低能耗。英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)现推出CIPOS~(TM) Mini产品家族的IM512和IM513系列。它们是率先集成CoolMOS~(TM) MOSFET的高效IPM(智能功率模块),具备出色电子性能。该     

德州仪器针对电池供电应用推出高精度、微功耗运算放大器

日前,德州仪器(TI)宣布推出Burr Brown产品线的新系列高精度、微功耗运算放大器OPA379系列。OPA379系列的工作电压范围介于1.8-5.5 V之间,并具有高性能单电源操作、超低静态电流(2.9μA)以及低静态电流噪声(80nV/rtHz)等优异特性。该器件采用微型封装,非常适用于电池供电的应用。     

采用第6代IGBT硅片的IGBT模块

从2007年开始上市的最新NX系列绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)模块,采用统一的封装和功率硅片.其端子和电路结构具有前所未有的灵活性.在NX系列开发的第1阶段,采用的第5代载流子存储式沟槽型双极型晶体管(Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor,简称CSTBTTM)硅片技术实现了高效性能.介绍在NX系列开发的第2阶段所采用的1.2 kv第6代IGBT硅片技术.新的第6代IGBT模块进一步提高了效率并降低了噪声,从而拓宽了客户的应用范围.     

第三届电工技术前沿问题学术论坛征文通知

一、会议主题1.新型功率器件和电力电子集成技术(1)SIC器件和宽禁带器件(2)高频磁元件和集成磁技术(3)功率电路封装技术(4)EMI/EMC技术(5)标准化、模块化技术(6)电力电子系统集成理论     

保德公司扩大POWERLINK驱动范围

美国保德(Baldor)电机是国际知名的电机制造商之一,该公司最近研发的新一代高性能三相交流驱动器将继续基于POWERLINK的智能驱动技术来制造。电机制造上扩展了MotiFlex e100驱动器系列,加入了3个版本,连续额定电流从21.5拓~3宽3功.5能A范。围使新型驱动器优势突显在重型应用中,     

英飞凌连续推出两款MOSFET新产品

在6月19日的中国国际电源展览会上,英飞凌科技股份公司同时推出具备适用于高能效电源转换产品的OptiMOS~(TM)3 75V MOSFET系列和下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管600V Cool MOS~(TM)C6系列两款新产品。据介绍,全新推出的OptiMOS? 3 75V功率MOSFET系列具备领先的导通电阻和品质因素特性,可降低开