简讯

日本松下电器产业公司研制出一种隔行传输(IT)1/3英寸CCD摄像器件,它采用了变速电子开关。在3lx(F/1.2)低光照下,变化范围为1/6～1/10,000s。PAL型含21万个像素。此项技术还将应用于1/2英寸CCD摄像器件,该器件甚至可在1lx(F/1.2)光照下工作,预计可占领世界市场的50％,并将在1/3英寸CCD市场发挥主导作用。     

200万像素HDTV用的CMD摄像器件

日本奥林匹斯光学工业公司已研制成 HDTV200万像素2.54cmCMD(电荷变调器件)图像传感器。CMD 与目前成为主流的 CCD 相比较,具有易达到多像素、高密度,在高速驱动下发热小,耗散功率小等特点。该公司正在独立研究代替 CCD 的图像传感器,并努力实现实用化。     

使用200万个象素CCD三板式彩色图象摄象机

日本电气公司已开发采用有效象素数约200万(水平1920×垂直1035)CCD型固体摄象器件的三板式彩色摄象机。标准摄象条件(2000lx,F2.8,色温3200K)的信噪比为54dB。采用相关双重取样电路,以降低噪声。饱和被摄体亮度为8000lx。最小被摄体亮度为250lx,其信噪比为36dB。斑点范围为0.1％～1％(1/10v测量),现在正在研究控制斑点的方法,预计1990年实用化。另外,200万个象素数的CCD东芝也在制作。     

简讯

长波焦平面红外器件和CCD 美国无线电公司在美国高级研究规划局赞助下成功地制成用肖特基势垒探测器制造的红外焦平面传感器,它用CCD移位寄存器作多路传输,已用300℃的背景辐射测量。已做成的实验器件是25×50(1250)元阵列和62位线列,探测器均匀性<1％,温度分     

简讯

J904062 商品化的0.85cm 27万像素CCD 摄像器件日本松下电子工业公司最近研制成功0.85cm27万像素的 MN3715型 CCD 摄像器件,实验表明该器件灵敏度高,电子快门连续可变,从1990年2月起开始批量生产。最近,对固体摄像器件提出了超小型、高性能化的要求,并迫切要求开发缩小包括透镜光学尺寸的CCD,上述器件符     

高性能数码相机CCD技术趋势

数码静止照相机(DSC)又简称数码相机,是近几年来出现在市场上的高新技术电子产品。自1996年日本卡西欧公司推出第一台 QV-10型数码相机以来,DSC的高性能化在短暂的时间内便取得了引人注目的进展。首先是关键的摄像器件,1997年上半年以35万像素的产品为中心大量普及化。下半年开始,使用100万像素以上CCD     

日本录像技术的现状与未来的展望（中）

一、最新高清晰度、高灵敏度CCD 1.1/2英寸CCD是今后摄像机发展的主流固体摄像器件CCD的作用是将通过镜头的被摄体光学像变换成电视信号。这种CCD,根据光学成像面积的大小,称为2/3英寸或1/2英寸CCD。最后,随着半导体技术的进步,摄录机小型化的发展趋势是,逐渐淘汰2/3英寸CCD,代之以高性能的1/2英寸小型CCD。这种1/2英寸CCD,在仅4.8×6.4(mm)的硅基片面积中,以与D-RAM存储器类似的半导体技术,整齐排列着9×1(μm)大小的像素约40万     

CCD图象传感器

CCD固态摄象器件以家用摄象机及磁带录象机(VTR)为中心的市场迅速扩大.CCD固态摄象器件由两部分组成;(1)光电转换部(光电二极管),也就是把光信号转换成电信号的部分.(2)传输部(CCD),即把信号输送到外部的部件.CCD结构方式可分为行间线型传输式和帧场转换传输     

2/3英寸CCD摄像器件

松下电子公司和日本广播局(NHK)的科学技术研究所合作,研制出一种高清晰度电视(HDTV)手提式摄像机用的2/3英寸CCD摄像器件. 这种CCD采用FIT方式,集成了130万个像素.该器件的特点是动态范围70dB,拖尾-100dB,固定图形杂波-65dB。该器件可使采用1英寸CCD摄像机的重量减轻1/3。余像低于测量界限。由于采用FIT方式,拖尾寄生信号降到-100dB以下。 1英寸CCD采用1.2μm工艺,2/3英寸CCD则采用0.8μm工艺,这相当于4兆比特DRAM。     

最新高清晰高灵敏度CCD摄像机的发展

一、前言CCD摄像器件首先由美国贝尔实验室在六十年代后期提出，于1973年研制成功。1974年美国RCA公司采用512X320的CCD阵列制造出世界上第一台达到广播级水平的固体电视摄像机。70年代后期，CCD器件已作为定型产品用于西德波希公司生产的FDL－60电视电影设备中。从此，世界上生产摄像机的各大公司相继推出了各种类型的CCD摄像机。CCD摄像机近几年发展很快，但像素数在60万个上趋于饱和，根据CCD的发展史可知，70年代初期，1巳gmm画格芯片仅有5万个像素。到了1986年像素数就达到40万个，10年间像素增加8倍，到1993年又实现了60万…     

140万像素的CCD固体摄像器件

美国柯达公司电子研究所采用独特的超净处理技术,于1985年5月29日研制出世界最高像素(140万)的高灵敏度埋沟面阵CCD固体摄像器件。该器件性能如下:     

英国在CCD摄象器件方面的新进展

据日本《日经》杂志1980年3月3日刊报导: 英国在CCD摄象器件的研制方面,目前已经达到相当高的水平,已跃入能制作特大CCD摄象列阵的美、日先进国家的行列。通用电气公司(GEC)的赫斯特研究中心已有CCD摄象器件商品出售。最近,GEC-赫斯特研究中心与GEC-马可尼通讯股份公司正合     

高性能肖特基势垒IR-CCD摄像传感器(特邀)

研制了32×63和64×128像素高性能PtSi和Pd_2Si肖特基势垒IR-CCD摄像传感器。80K下工作的PtSi肖特基势垒探测器(SBD_S)在3～5μm光谱区内具有百分之几的量子效率,截止波长6.0μm。工作在120～140K之间的Pd_2Si SBD_s在1.0～2.5μm光谱区的量子效率为1.0～8.0%,截止波长3.6μm。用64×128像素PtSi肖特基势垒IR-CCD摄像器件在60帧/秒的与IR兼容的TV摄像机中已经摄出了高质量的热像。用Pd_2Si肖特基势垒IR-CCD摄像传感器还得到了质量良好的SWIR反射红外摄像。     

透明电极FT转移CCD摄像器件

已经制成摄像区第二层电极为透明电极的帧转移CCD摄像器件。器件的像素数为512(垂直)×340(水平),电极腐蚀图形良好。制作过程中存在的一个问题是铟一锡一氧化物透明薄膜(ITO)的腐蚀速率比SiO_2层低,采用新的CCD结构解决了这一问题。该器件在可见光波段的量子效率为0.5～0.75,特别是对兰光的灵敏度高于普通二层多晶硅电极CCD。     

1600万像素的大型CCD摄像元件

美国柯达公司正积极外销 CCD和 CMOS摄像元件。同时共发售 5种 CCD和 CMOS摄像元件。其中 KAF- 1680 1型是用于摄影室的数字照相机的大型摄像元件 ,具有 160 0万 ( 4 0 80× 4 0 80 )像素的甚高清晰度。为实现多像素数、低噪声和宽动态范围 ,采用了 9μm的大型像素。1600万像素的大型CCD摄像元件     

红外图象传感器

三菱电机公司应用具有专利权的电荷扫描器件(CSD)方法和灵敏的探测器工艺制成的红外图象传感器,可提供1百万象素(1040×1040)的极好分辨率,1.7μm~2的4象素面积仅为常规象素面积的一半。探测器阵列为:水平1040行,垂直1040列。CSD 工艺减少了电荷     

索尼超高速CMOS传感器颠覆传统数码相机概念

2006年2月8日,索尼在“ISSCC2006”上发布的CMOS传感器给数码相机开发者带来了巨大冲击。该公司此次主要发布了2款产品:一款是640万像素、最高帧速率达60f/s的样品A,另一款是276万像素、最高帧速率达180f/s的样品B。据日本某摄像元件厂商的技术人员介绍,这些产品的像素数据输出速率快得超出想象,令数码相机开发者感到相当震惊。索尼此次发布的C M O S传感器的输出速率是现有300万～600万像素家用CCD相机的20倍～60倍。与4K数字电影相比,样品A的输出速率为其1.5倍,样品B的输出速率为其2倍(见图1)。该技术人员还表示:“我们曾经以为C…     

日电200万像素的超高分辨率CCD图像传感器——日本CCD图像传感器中的一颗明珠

据日刊《电子材料》1988年3月的最新消息报导,日本电气公司已研制成功单芯片200万像素超高集成化的CCD图像传感器。该器件的分辨率竞高达1000×1000TV线,是迄今为止报导的日本CCD图像传感器中像素数集成第一个接近200万的器件,是世界上第二个集成度最高的,仅次于美国Tektronics公司     

小型CCD摄像器件

松下电子工业公司半导体研究所,开发了MN8232(NTSC用)和MN8240(PAL用)两种小型CCD摄像器件。MN8232摄像面与8毫米影片尺寸相当,具有垂直490×水平404个像素。MN8240摄像面为1/2吋,具有垂直579×水平449个像素。这与原2/3吋器件比较,虽芯片面积小于其一半,但性能比其优越。这是由于采用NPN结构、降低输出电路的噪声、开发新的驱动方式等的结果。     

超大动态范围的摄像器件研制成功

日本米诺尔塔公司和罗姆公司共同研制成功超大动态亮度范围的摄像器件。该器件具有普通的 CCD摄像器件约 10 0 0倍时 10 5 以上的动态范围。如果头灯光进入画面内 ,即使有极不同的明亮部分也不会发生“白光耀眼”和“一片黑暗”,而可进行摄影。光学尺寸为 1/2英寸 ,具有 32 0× 32 0个象素。这种摄像器件不是 CCD,而是采用 MOS型晶体管 ,被称为 CMOS图像传感器的一种。CMOS型可采用普通的 LSI生产线 ,廉价生产 ,在一个芯片上 ,可混载其他电子线路 ( A/D转换电路和信号处理电路等 )。新研制的摄像器件的秘密是在每个象素上安装了对…