晶圆双雄缠斗80nm工艺 下半年同为ATI量产

晶圆双雄90nm工艺市场争夺战延烧至80nm工艺190nm工艺价格战双方争锋相对局面恐在80nm工艺有增无减。继ATI于台积电验证80nm工艺专利问题过关，确定将于第三季度量产，联电300mm厂也以迅雷不及掩耳的速度推出80nm“半世代”工艺，同时，同1大客户ATI产品验证也已于近日内顺利通过，台积电、联电彼此你来我往，较劲意味十足。     

业界动态

台积电45nm工艺跑前头浸润式曝光显影技木新突破即将迈入量产阶段台积电指出,公司浸润式曝光显影技术所产出几乎零缺陷密度的芯片,己相当符合量产所要求参数标准,不久后可迈入量产阶段,而浸润式曝光显影技术正是台积电45nm工艺所采用主力工艺技术, 台积电不仅证实浸润式曝光显影技术的高合格率及     

Spansion扩展与台积电合作

闪存解决方案供应商Spansion公司日前宣布扩充与代工厂台积电签署的代工，增加采用φ300mm晶圆的90nm MirrorBit技术。两家公司同意，在现有服务协议基础上，即为Spansion的110nm技术提供代工生产，增加了90nm的生产能力。台积电从2006年第二季度开始生产采用110nm技术的闪存晶圆。90nm技术的目标量产时间为2007年下半年。     

IBM、特许联营策略暂不考虑中芯入列

晶圆双雄0.13μm以下工艺产出量持续提高，IBM微电子事业部晶圆代工部门在0.13μm以下工艺量产进度却无法满足客户需求，近期IBM积极与新加坡特许半导体共同开发90nm以下工艺平台，并以联合次要竞争者，打击主要对手的策略锁定亚太高阶工艺市场，力抗台积电、联电晶圆双雄在深次微米快速扩张。     

工艺制造

英特尔投资25亿美元在大连建12英寸晶圆厂；台积电55nm工艺量产就绪；     

台积电谈有关28nm工艺良率问题

正台积电(TSMC)日前回应了稍早前分析师指称该公司28nm CMOS工艺存在着良率问题的说法。台积电欧洲公司总裁Maria Marced重申她与其他台积电高层之前所强调的:减少28nm节点的缺陷密度一直在掌握中,以量产进度来看甚至快于40/45nm工艺技术。     

半导体加工工艺走向15nm转折点

世界上的巨型半导体企业如Intel和台积电等将率先从2011年后启动开发22nm以下的微细化量产技术,同时还都认为,2013年后可望量产化的15nm技术是半导体加工工艺发展道路上的一个转折点。     

65nm工艺竞争超于激烈

世界主要半导体厂商的生产领域已可应用90nm工艺技术,为确保技术优势,已把竞争推向65~70nm级工艺,计划2005年推向量产阶段。Intel去年末已采用65nm工艺试制成SRAM产品,计划2005年后投入批量生产。东芝和索尼联手开发出65nm LSI,年初已生产出试制品,2008年上半年跨入大量生产。三星已开发70nm技术,计划年末在30nm生产线上量产4GbNAND闪存。台积电决定2005年前采用65nm技术开发出SoC平台。采用65nm工艺生产芯片,可使芯片上集成的晶体管数翻一番,性能提高,成本下降。因此,后起半导体企业年底前也须进入90nm以下的超微细加工领域,也是今后…     

台积电松江厂产能将快速扩充

台积电松江厂于2004年10月实现量产，当前产能已从2004年底的15000片／月跃升到了31000片／月。随着今年年初中国台湾对大陆开放0．18μm工艺制程后，台积电松江厂现已导入0．18μm工艺，并实现了量产。     

90nm与65nm光刻工艺各有千秋

2003年下半年起英特尔等世界顶级IC公司陆续量产90nm芯片，比国际半导体技术蓝图ITRS2001／2003要求2004年实现90nm工艺的规划提前了一年。2005年底、2006年初世界半导体市场“霸主”英特尔量产65nm芯片，比ITRS2003要求2007年实现65nm工艺的规划整整提前了一年，两者如出一辙。光刻工艺是量产90／65nm芯片最重要、最关键的工艺之一，也是使用频率最高的工艺，如90／65nm铜互连需8层金属布线，那至少要进行15次光刻，因为金属互连层间还需绝缘层隔离。目前光刻工艺能量产的只有光学光刻技术，它是通过不断缩短曝光波长（λ）、增大数值孔径（NA）和降低工艺因子（k1）来提高其水平，从而达到不断缩小芯片的特征尺寸的目的，如从90nm——65nm。     

半导体工艺向14/16nmFINFET大步前进

正几乎所有继续依靠先进半导体工艺来带给自己芯片性能与功耗竞争优势的厂商,纷纷将自己的设计瞄准了即将全面量产的FINFET技术。除去已经量产两年的Intel之外,代工业的台积电(TSMC)是最可能第一个提供FINFET服务的代工厂,他们瞄准的工艺是16nm,而他们计划推出的时间     

国内要闻

大唐微电子数字电视布局内蒙古；MIPS科技指定双实科技作为中国首家MIPS授权培训中心；美芯片制造商10亿美元新建合肥生产基地；台积电80nm工艺量产；晶门科技深圳分公司喜迁新址[编者按]     

半导体工艺向14/16nm FINFET大步前进

正几乎所有继续依靠先进半导体工艺来带给自己芯片性能与功耗竞争优势的厂商,纷纷将自己的设计瞄准了即将全面量产的FINFET技术。在这一市场需求推动下,似乎20nm这一代,成为很多代工厂眼中的鸡肋,巴不得直接跨越20nm,直奔16/14nm的FINFET。除去已经量产两年的Intel之外,代工业的老大台积电(TSMC)是最可能第一个提供FINFET服务的代工     

半导体加工工艺走向15 nm转折点

世界上的巨型半导体企业如Intel和台积电等将率先从2011年后启动开发22 nm以下的微细化量产技术,同时还都认为,2013年后可望量产化的15 nm技术是半导体加工工艺发展道路上的一个转折点。其表现为逻辑电路上现用的CMOS平面体管,将转变为具有3维沟道导向的立体晶体管。这一转变势必严重     

05年台积电将大辐提升90纳米工艺产能

台积电日前表示，该公司以90纳米Nexsys工艺技术为多家客户量产芯片，并将于2005年大幅增加产能，以满足客户对此先进工艺技术的需求。台积电据称是全球唯一同时提供全铜、低介电系数(Low—k technology)以及12英寸晶圆90纳米工艺技术的晶圆代工厂商。     

90nm工艺及其相关技术

ITRS2001规划2004年实现90nm工艺,英特尔、AMD等世界顶级半导体公司将于2003年采用90nm工艺量产微处理器和逻辑器件。这样使ITRS2001整整提前了一年。90nm工艺包括193nm光刻技术、高k绝缘材料、高速多层铜互连技术、低k绝缘材料、应变硅技术和电压隔离技术等新技术。193nm光刻技术是实现90nm工艺达量产的最关键技术,为此,必须采用193nmArFstepper(准分子激光扫描分步投影光刻机)。讨论了90nm工艺达量产的难点,如掩模版成本较高、成品率较低和应用面暂时不宽等。     

矽岛观察

岛内动态90nm技术大规模应用将在2004年90nm技术大规模应用将在2004年尽管台湾各个主要的半导体制造厂都宣称自己有能力在2002年第三季度或是第四季度采用90nm技术生产芯片，但是据称从目前情况看来无论是台积电还是联华电子都还没有能力采用这样复杂的技术大规模生产产品。现在台积电又称虽然在今年第二季度末到第三季度初90nm能够被采用，但是大规模生产90nm产品会在2004年上半年。品会在2004年上半年。晶圆双雄3月营收同步增温台积电及联电9日同步公布3月营收表现，台积电自结3月业绩为138.51亿元，较2月微幅上扬约12.2％，联电则初结3月…     

日本Elpida完成90nm 512Mb XDR DRAM量产准备

日本Elpida于2005年3月开始100nm工艺XDR DRAM的出货。由于看好市场前景，当时也同时进行了90nm工艺产品的开发。日本Elpida日前表示，该公司已成功开发采用90nm工艺技术生产的512Mb XDR DRAM，并已完成量产的准备。和100nm相比较，采用90nm工艺可将生产效率提升20％以上。     

中芯国际2006年3月开始量产90nm产品

中国的半导体代工企业——中芯国际集成电路制造（SMIC：Semiconductor Manufacturing International）将于2006年3月进入90nm工艺量产体制，预计90nm工艺产品的销售额将出现在2006年第二季度（2006年4月-6月）的业绩中。中芯国际社长兼CEO张汝京表示，除了已经公开的德国英飞凌以外，还有数家公司计划委托中芯国际使用90nm工艺进行代工。英飞凌委托中芯国际使用90nm工艺制造的是DRAM产品，预定于2006年第三季度进入量产阶段；而对于在第二季度就能带来销售额的90nm产品，张汝京并没有公开委托公司的具体名称，只是表示是从两家公司接到了逻辑LSI产品的委托制造订单。     

技术动态

IBM携手TDK开发大容量MRAM芯片，三星50纳米DRAM获Intel认证，我国自主硅基液晶（LCOS）光学引擎量产,飞兆半导体设立全球功率资源中心,台积电90纳米量产Xbox绘图记忆体,英特尔计划在越南构建芯片工厂.[编者按]