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电力电子器件既是电力电子技术的基础,也是电力电子技术发展的强大动力,电力电子技术的每一次飞跃都是以新型功率器件的出现为契机的,IGBT是在功率MOSFET工艺基础上发展起来的产物,它是兼有MOSFET的高输入阻抗,高于关速度和GTR大电流密度特性优点的混合器件,在大,中功率应用场合已经逐步取代传统的GTR,GTO器件,它和MOSFET,MCT一起,成为现代电力电子技术中最具有活力的功率开关器件,本 相似文献
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MOS栅极驱动器IR2155及其在电子镇流器中的应用西安理工大学周晓军一、IR2155的结构和功能IR2155是一种高压快速自振荡功率MOSFET和IGBT驱动器,采用8脚DIP封装,如图1所示。内部功能框图如图2所示。在VCC脚和COM脚之间有一只... 相似文献
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飞利浦半导体公司开发了一种具有极低开态电阻和额定电压为200V的功率MOS-FET器件。这种“硅MAX”器件采用沟槽MOS工艺,兼有大功耗和快速开关速度的性能,其100-200V的额定电压来源于DMOS功率MOSFET。这种新器件在开关型功率源,DC/DC转换器以及负载开关应用方面,特别具有吸引力。 新的功率MOSFET的低开态电阻是利用大量制作在硅芯片上的小MOSFET单元并联获得的。在给定硅片上,由于减小了单元的尺寸,增加了单元了数目,从而降低了开态电阻。但单元间距离变近,使单元之间产生相互… 相似文献
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凹槽栅MOSFET凹槽拐角的作用与影响研究 总被引:5,自引:0,他引:5
短沟道效应是小尺寸MOSFET中很重要的物理效应之一,凹槽栅MOSFET对短沟道效应有很强的抑制能力,通过对凹槽栅MOSFET结构,特性的研究,发现凹槽拐角对凹槽栅MOSFET的阈值电压及特性有着显著的影响,凹槽拐角处的阈值电压决定着整个凹槽栅MOSFET的阈值电压,凹槽拐角的曲率半径凹槽MOSFET一个重要的结构参数,通过对凹槽拐角的曲率半径,源漏结深及沟道掺杂浓度进行优化设计,可使凹槽栅MOS 相似文献
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EEPROM单元结构的变革及发展方向 总被引:3,自引:2,他引:3
扼要阐述了电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)发展史上的各种结构如FAMOS、MNOS、SIMOS、DIFMOS、FETMOS(FLOTOX)等,比较了它们的优缺点,着重论述了EEPROM结构今后的变革方向。 相似文献
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双栅MOSFET的研究与发展 总被引:1,自引:0,他引:1
具有特殊结构的双栅MOSFET是一种高速度、低功耗MOSFET器件,符合未来集成电路发展的方向。文章介绍了多种双栅MOSFET的结构、优点,以及近年来国内外对双栅MOSFET的研究成果。 相似文献
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简要地评述了硅微波功率DMOSFET(LDMOS,VDMOS)的发展概况,叙述了硅微波功率DMOS的基本结构和一些重要的制造技术。对微波功率DMOS的性能,特点与BJT进行了比较,并对其应用,发展方向及前景进行了探讨。 相似文献
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150kHzIGBT将代替功率MOSFET张先广孟进15年前发明IGBT以来,在中等电压范围(400~600V)内,IGBT就有希望代替功率MOSFET,然而直至今日,一直未能实现,主要原因是:过去IGBT的速度较慢,不能满足某些应用的要求,另外,近... 相似文献
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深亚微米MOSFET模型研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
文中对在深亚微米MOSFET的器件模型研究基础上,提出了研究MOSFET模型值得注意的问题,并对如何建立深亚微米MOSFET模型作出了有益的探讨。 相似文献