简明消息

甚大望远镜首次观测到图像智利帕拉纳耳４台８．２ｍ望远镜中的第一台已于１９９８年５月２５～２６日首次观测到图像。运行该计划的欧洲南部天文台宣布，甚大望远镜第一单元（ＶＬＴＵＴＩ）第一个晚上的运转便获得对科学有用的图像。该望远镜有一个８．２ｍ的主镜和一个...     

InGaAs／GaAs垂直对准量子点超晶格的正入射红外吸收

利用分子束外延技术，生长了３０周期的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子点超晶格，透射电镜表明各层量子点沿生长方向呈现很好的垂直对准，红外吸收测试观察以明显的垂直入射红外吸收，吸收范围为８．５～１０．４μｍ之间，峰值波长为９．９μｍ第一次实现了响应８～１２μｍ大气窗口的量子点的垂直入射红外吸收，这一结果预示了量子点超晶格结构在红外探测领域的潜在应用。     

能动光学,自适应光学和激光导星

天文光学观测对于人们了解宇宙至关重要，但地基望远镜的能力受到望远镜误差和光通过大气时各种效应的严重限制，制在已能建造内装矫正器件，使得在进行观测时可补偿上述两类效应造成的成象质量恶化，为充分发挥刚刚问世的８级望远镜的潜力，这种为能动光学或自适应光学的能动矫正能力极其重要，自适应光学领域中某些物理限制可以通过人工建造参考星－激光导星而克服，这些新技术最近已成功地应用到中型和特大型望远镜上。     

低高度远距离红外成象系统带通的最佳选择

在距离近地表面较远距离的大气辐射是造成弱信噪比的主要原因。这些辐射的发射主要是由大气成分如水及二氧化碳所引起的。大多数商用红外成象器利用蹄镉汞扫描型探测器作远距离水平路径研究时，达不到最佳效果。由于大气效应使探测的信噪比衰变，可选用在大气衰减效应最小的给定波长范围内敏感的探测器。利用有适宜掺杂的探测器和冷指滤波，能增大被探测目标的辐射量和一个更好的直接影响图象质量的目标与路径辐射比。我们介绍一种计算机算法，用于预测最佳系统响应条件。初步结果表明，在８～１２μｍ内的相当短路径处，目标与背景间表现温差△Ｔ可增大５％～１０％。     

一种填晶型的隔离介质浆料

在玻璃中加入氧化铝，制成填晶型隔离介质的相对介电常数８～１０，绝缘电阻率大于１０１２Ω·ｃｍ，耐电压强度大于ＡＣ５００Ｖ／２５μｍ，损耗角正切小于５×１０（－３），接近进口同类产品性能指标。     

航空热红外多光谱扫描仪（ATIMS）数据发射率信息分析和提取

提出了一种提取热红外图像发射率信息的比值加权法，研究表明，本区石灰岩光谱由ＣＯ３弯曲振动控制，发射谷在Ｈ．３μｍ附近，石英砂岩的光谱在８．６－９．０μｍ和９．８－１０．６μｍ为低发射率，而杂砂岩由于含有硅酸盐矿物和一些碳酸盐矿物，在９．８－１０．６μｍ和１０．６－１１．４μ呈相对低发射率。结果显示比值加权法对于航空热红外多波段扫描仪ＴＩＭＳ数据地物发射率信息提取是有效的。     

一种耐环境性能极好的复合光学窗口材料

一种耐环境性能极好的复合光学窗口材料多晶硫化锌，在０．６～１４μｍ的波长范围内具有透光性能，特别对８～１０μｍ的红外光具有良好的透光性能，多晶硫化锌，用粉末烧结法制造时并不具有透光特性。但用热压法或ＣＶＤ法制造时，却可显示出很接近于单晶的透光特性。用...     

用PECVD法在金属衬底上沉积氮化硅薄膜

采用等离子体增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法在４０Ｃｒ钢（含Ｃｒ０．８％～１．１％）或铜等金属基片上沉积氨化硅薄膜。沉积温度为２５０℃时，制备的薄膜厚度为０．２～０．４μｍ，电阻率为８×１０￣（１６）Ω·ｃｍ，介质击穿场强达到１×１０￣７Ｖ／ｃｍ。用ＸＰＳ谱研究了薄膜的结构和成分，并分析了沉积时不同的工艺参数对薄膜绝缘耐压性能的影响。     

二种单频自稳频高输出功率的长腔He－Ne激光器

作者用高气压加纵向非均匀磁场获得了二种单频自稳频高输出功率的长腔Ｈｅ－Ｎｅ激光器，其相干长度均大于１４ｍ，１ｍ放电管长（腔长为１１４０ｍｍ）单频激光器功率输出为１８～２５ｍＷ，在没有采取任何稳频措施的情况下，用这种激光器与碘稳定的Ｈｅ－Ｎｅ激光器拍频，经计算机自动采样，并进行阿仑方差（ＡｌｌａｎＶａｒｉａｎｃｅ）处理，测得其频率非稳定度为６．１７５×１Ｏ￣（－９）（≤１０ｓ）和３．３８×１０￣（－９）（≤１ｓ）．１．８ｍ放电管长（腔长为１９００ｍｍ）单频激光器功率输出为４０～５０ｍＷ，用测ｌｍ激光器同样的方法，亦在没有采用任何外加稳频措施的情况下，测得频率非稳定度为１．１×１Ｏ￣（－８）（ｒ≤１ｓ）和２×１０￣（－８）（≤１０ｓ），所有测试数据由中国计量科学院测定。     

对讲机快速充电器

对讲机快速充电器关大路，白华飞手持式无线对讲机的使用存在着一个突出问题就是镍镉电池块的充电，每给对讲机所用的６～８节镍镉电池块（５００～７００ｍＡｈ）充电一次，需长达１０～１４个小时，充电速度的迟缓，直接影响着对讲机的使用。本文介绍的充电器充电一次仅...     

低能离子束成结制作10．6μm碲镉汞光伏探测器

制作光伏型碲镉汞（ＭＣＴ）探测器ＰＮ结常用的方法是离子注入法。近几年的研究发现，低能离子束成结更适合制作长波光伏型ＭＣＴ探测器。本文报导了低能离子束成结的１０．６μｍ光伏型碲镉汞探测器的性能，衬底为载流子浓度在０．８～６×１０￣（１６）ｃｍ￣（－３）范围的Ｐ型ＭＣＴ材料，离子束能量范围为１００～６００ｅＶ，通过离子束处理，可在Ｐ型ＭＣＴ表面形成一薄层较低载流子浓度的Ｎ型区，而制成ＮＰ结，利用该技术成结制作的大面积、四象限１０．６μｍＭＣＴ探测器，在－２０ｍＶ的偏压，８０Ｋ的温度下，器件的峰值响应率和峰值分别为３２４．５Ｖ／Ｗ和１．１３×１０￣（１０）ｃｍＨｚ￣（１／２）／Ｗ，每元光敏面积为６．８８×１０￣（－３）ｃｍ￣２。     

一种适于条纹相机的新型组合红外阴极

利用电子俘获材料的快速红外上转换特性，将其制成红外上转换屏与可见光阴极耦合构成了一种适用于条纹相机的新型组合红外阴极，测量表明：它能将可见光条纹相机的波长响应范围延伸至０．８～１．６μｍ，而且时间分辨率优于２４ｐｓ、红外最小可探测能量密度优于４．８×１０－９Ｊ／ｍｍ２．     

宽带GaAs MMIC放大器

Ｍ／Ａ-ＣＯＭ研制的ＭＡＡＭ２８０００-Ａ１型宽带ＭＭＩＣ放大器的工作频率为２～８ＧＨｚ,它采用２级放大,单电源１０Ｖ供电,具有较好的增益平坦度,输入输出阻抗均为５０Ω,增益为１７ｄＢ,增益平坦度为±０．５ｄＢ,在２～４ＧＨｚ、４～６ＧＨｚ和６～８ＧＨｚ时的最大噪声分别为８．０ｄＢ、６．５ｄＢ和６．０ｄＢ,输入和输出驻波比分别为１．６和１．５,输入ＩＰ３为+７ｄＢｍ,输出１ｄＢ压缩为+１．４ｄＢｍ,反向隔离为３５ｄＢ,最大偏压电流为１００ｍＡ。该器件采用廉价的小型８脚陶瓷封装,不需要任何外部元件,可用于卫星通…     

二种单频外腔式He－Ne激光器的自稳频原理再分析

作者用高气压加纵向非均匀磁场获得了二种单频、自稳频高输出功率的外腔式Ｈｅ－Ｎｅ激光器，１ｍ激光器的频率非稳定度为６．１７５×１０￣（－９）（τ≤１０ｓ）和３．３８×１０￣（－９）（τ≤１ｓ）；１．８ｍ激光器的频率非稳定度为１．１×１０￣（－８）（τ≤１ｓ）和２×１０￣（－８）（τ≤１０ｓ），所有数据由中国计量科学院测定。本文是继文献［１］，［８］，［９］和［１０］发表后，对这两种激光器的自稳频原理的再分析。     

多元多色HgCdTe红外探测器

简要介绍利用不同波段的微型滤光片和不同响应波段的多元ＨｇＣｄＴｅ红外探测器,叙述了通过精密镶嵌技术组合而成的四波段２１５～２２５μｍ、８４～８９μｍ、１０３～１１３μｍ和１１５～１２５μｍ８８元多元多色探测器的设计原理和特性,以及多元多色探测器的组合工艺,并给出了各个通道的响应光谱特性和探测器的工作性能。研制成功的８８元多色红外探测器每个通道的平均探测率和响应率分别为：Ｄ２．１５～２．２５＝１．２×１０１２ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ２．１５～２．２５＝５．０×１０６Ｖ／Ｗ,Ｄ８．４～８．９＝７．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ８．４～８．９＝１．６×１０４Ｖ／Ｗ,Ｄ１０．３～１１．３＝４．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ１０．３～１１．３＝４．３×１０３Ｖ／Ｗ,Ｄ１１．５～１２．５＝３．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ１１．５～１２．５＝３．３×１０３Ｖ／Ｗ,文中对这些结果进行了分析和讨论。     

单模光纤全金属化耦合封装1.3μm侧面发光二极管

阐述了１．３μｍ侧面发光二极管（ＥＬＥＤ）到单模光纤的耦合和实验结果。获得了在１００ｍＡ的驱动电流下，对于芯径为８～１０μｍ的标准单模光纤，最大尾纤输出功率大于５０μＷ，典型值２０μＷ的同轴式、扁平式、１４针双列直插式的全金属化耦合封装器件具有较高的可靠性和温度稳定性。     

He－Ne激光治疗腮腺炎72例报导

１　一般资料本组病例均属门诊病人，经检查确诊为腮腺炎。在７２例病人中，男女比例基本上各占５０％，年龄多为少儿，个别人激光治疗前受过其它治疗。２　治疗方法仪器：采用长春中长光电公司生产的２ＪＺ－Ｂ型多功能激光治疗仪，功率为８ｍＷ，波长为６３２－８ｎｍ，照射距离６０ｃｍ，患者取坐位，原光斑直径１－５～１０毫米，可加散光镜头照射患处或分区轮流照射，每区１５分钟，每日一次，１０天一个疗程，疗程间隙７～１０天，治疗中注意患者带防护眼镜，忽变动体位，并随时注意观察，使光束对准患处，一般需一个疗程可痊愈。３　…     

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ＡＤ５２６软件可编程增益放大器特点·数字化可编程二进制增益１～１６·双片级联可实现二进制增益１～２５６·增益误差最大值０．０１％，Ｇ＝１，２，４（Ｃ级）最大值０．０２％，Ｇ＝８，１６（Ｃ级）温度漂移０．５ｐｐｍ／℃·快速建立时间１０Ｖ信号阶跃；在４．５μｓ内达０．０１％（Ｇ＝１６）增益变化：在５．６μ８内达０．０１％（Ｇ＝１６）·低线性误差；最大±０．００５％ＦＳＲ（Ｊ级）·优良的直流特性失调电压最大值：０．５ｍＶ（Ｃ级）失调电压漂移：３μＶ／℃（Ｃ级）·ＴＴＬ兼容数字输入；可提供ＳＭＤ军品ＡＤ…     

2×8元列阵高温超导探测器研制

选用高Ｔｃ超导薄膜ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－８，引用半导体集成工艺，制出２×８元列阵红外探测器，其探测率Ｄ均达到１０＾８￣１０＾９ｃｍ·Ｈｚ＾１／２·Ｗ＾－１，工作温度为８９Ｋ。     

8～16GHzGaAs单片宽带分布放大器

报道了８～１６ＧＨｚＧａＡｓ单片宽带分布放大器的设计与制作。单级ＭＭＩＣ电路采用三个栅宽为２８０μｍ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ作为有源器件，芯片尺寸为１．１ｍｍ×１．６ｍｍ。在８～１６ＧＨｚ频率范围，用管壳封装的两级级联放大器增益Ｇ＿ａ，为１１．３±１ｄＢ，噪声系数Ｆ＿ｎ＜６ｄＢ，输出功率Ｐ＿（１ｄＢ）＞１６ｄＢｍ。