f_（max）为224GHz的异质结双极晶体管

ｆ_（ｍａｘ）为２２４ＧＨｚ的异质结双极晶体管据日本《ＮＥＣ技报》１９９４年第４期报道，ＮＥＣ公司开发了用于通信发射接收机的高性能异质结晶体管，该器件的最高振荡频率高达２２４ＧＨＺ。该器件的特点：①采用晶格不匹配形式，并将ＩｎｘＧａ；ｘＡｓ作为应变倾?..     

基区重掺杂的高电流增益AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管

研究了AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管(HBT)的电流增益和AlGaAs/GaAs异质结二极管(HD)的发光强度随偏压的变化。HBT的发射板-基极结的理想因子接近于1,这与HD中发光强度随偏压的变化关系相一致。重掺杂基区HBT电流增益的降低被认为是基区中非辐射复合电流所引起。在基区掺杂为2×10~(10)cm~(-3)的HBT中得到80的高电流增益。     

最高振荡频率f_(max)≥40GHz的异质结双极晶体管

据报导,日本电电通讯研究所试制成一种f_(max)可达40GHz以上的异质结双极晶体管.这种双极晶体管的结构是:采用分子束外延法形成5层结构,即n~+GaAs-NAlGaAs-P~+GaAs-nGaAs-n~+GaAs.形成这5层之后,进行Si_3N_4掩模,并通过腐蚀露出P~+GaAs的表面,再形成基区电极.接着,通过腐蚀电极金属,露出发射极,并形成发射极和集电极.器件的电流增益为20dB,高频特性的测量结果是:f_(max)=14GHz,通过改善发射极电阻,f_(max)可以达到40GHz以上.     

集成电路用的GaAs/AlGaAs异质结双极晶体管

利用分子束外延(MBE)和离子注入来制造隐埋宽禁带发射区的GaAs/AlGaAs异质结双极晶体管。倒置型的电流增益约为100,表明了这种技术用于I~2L型数字集成电路的可行性。     

重掺碳基区GaInP／GaAs异质结双极晶体管初探

重掺碳基区ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管初探严北平，潘静，蔡克理，章其麟，罗晋生（西安交通大学电子工程系，７１００４９）（河北半导体研究所，石家庄，０５００５１）ＡＳｔｕｄｙｏｆＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ－ＨＢＴｗｉｔｈａＨｅａｖｉｌｙＣ－ｄｏｐｅｄ...     

磷化铟基异质结双极晶体管研究的新进展

从纵向结构设计的角度，评述了磷化铟基HBT研究的新进展，介绍了几个重要的研究成果。     

磷化铟基异质结双极晶体管研究的新进展

从纵向结构设计的角度，评述了磷化铟基ＨＢＴ研究的新进展，介绍了几个重要的研究成果。     

特高频放大器用的AlGaAs/GaAs异质结弹道双极晶体管

本文介绍利用异质结注入和GaAs中电子弹道运动的AlGaAs/GaAs异质结弹道双极晶体管(简称BBT)的理论和设计。指出并讨论了成功地实现这种新型特高频(EHF)三端固体器件的主要因素。我们首次提出,发射结的理想结构要有适当的铝浓度及适当的掺杂剖面分布,并且首次提出“倒置”异质结双极器件的结构。所提出的倒置BBT结构的优点是减小基极电流和减小具有重大影响的发射极-基极电容。这种新型器件的性能使三端固体器件成为首先实现特高频范围(60GHz以上)放大和GaAs千兆赫比特逻辑组件方面十分引人注意的候选者。我们相信,BBT在模拟和数数字MMIC、M~3IC方面应用是一种有极大希望的新型三端器件。     

MOCVD制备GaAs/AlGaAs异质结和异质结双极晶体管(HBT)的研究

本文应用MOCVD技术制备出高质量的GaAs,AlGaAs外延材料以及GaAs/AlGaAs异质结和多量子阱结构.首次成功地用该技术生长了微波HBT全结构材料,并获得了较高性能的器件结果:300K时直流增益(β)为15～40,77K时为60,截止频率大于10GHz,最高振荡频率为5.5GHz.     

X波段功率AlGaAs／InGaAs p－n－p异质结双极晶体管（HBT）

Ｘ波段功率ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓｐ－ｎ－ｐ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）＝Ｘ－ｂａｎｄｐｏｗｅｒＡｌＧａＡｓ／Ｉｎ－ＧａＡｓｐ－ｎ－ｐＨＢＴ’ｓ［刊，英］／Ｈｉｌｌ．Ｄ．Ｇ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅＬｅｔｔｅｒｓ．１９９３．１４（４...     

微空气桥隔离的自对准AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管

利用微空气桥隔离和自对准技术成功地研制出了自对准结构的AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管.器件展现出良好的直流和高频特性.对于发射极面积为2μm×15μm的器件,直流电流增益大于10,失调电压(Offsetvoltage)200mV;电流增益截止频率f_T大于30GHz,最高振荡频率f_max约为50GHz.     

InP基异质结双极晶体管的性能及电路应用

本文论述了在ＩｎＰ衬底上用ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ和／或ＩｎＡｌＡｓ构成的异质结双极晶体管的现状及展望。着重强调了超高电子速度的重要性。阐述了自对准制造技术，提出了适于微波功率应用的宽禁带集电区器件和适于数字应用的低开启电压Ｖｂｅ器件。用这些器件构成的分频器可工作到１７ＧＨｚ。     

InP基异质结双极晶体管的性能及电路应用

本文论述了在ＩｎＰ衬底上用ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ和／或ＩｎＡｌＡｓ构成的异质结双极晶体管的现状及展望。着重强调了超高电子速度的重要性。阐述了自对准制造技术，提出了适于微波功率应用的宽禁带集电区器件和适于数字应用的低开启电压Ｖ＿ｂｅ器件。用这些器件构成的分频器可工作到１７ＧＨｚ。     

异质结双极晶体管直流（DC）特性的广义解析输运模型

异质结双极晶体管直流（ＤＣ）特性的广义解析输运模型＝ＧｅｎｅｒａｌｉｚｅｄａｎａｌｙｔｉｃａｌｔｒａｎｓｐｏｒｔｍｏｄｅｌｉｎｇｏｆｔｈｅＤＣｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃ－ｔｉｏｎｂｉｐｏｌａｒｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ［刊，英...     

采用分子束外延生长的高性能Si／SiGe异质结双极晶体管

采用分子束外延生长的高性能Ｓｉ／ＳｉＧｅ异质结双极晶体管＝Ｈｉｇｈ－ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅＳｉ／ＳｉＧｅｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎｂｉｐｏｌａｒｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓｇｒｏｗｎｂｙｍｏｌｅｃｕ－ｌａｒ－ｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ［刊，英］／Ｇｒｕｈｌｅ...     

集电区阶梯缓变InGaAsP层的具有超高f＿（max）、f＿T的双异质结双极晶体管

本文用不同的发射极宽度和长度与集电极电流Ｉ＿ｃ和集电极－发射极问电压Ｖ＿ＣＥ的函数关系研究了集电区含ＩｎＧａＡｓＰ层、基区为Ｚｎ高掺杂的小尺寸ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＤＨＢＴ的高性能。结果表明，减小发射极宽度比减其长度能更有效地提高，０．８μｍ发射极金属条宽的ＤＨＢＴ在Ｉ＿ｃ＝４ｍＡ的小电流时，具有超出超高的ｆ＿（ｍａｘ）和ｆ＿Ｔ，其数值分别为２６７ＧＨｚ和１４４ＧＨｚ，ｆ＿（ｍａｘ）的增加归结为基区电阻和降低了的Ｂｃ结电容乘积的降低。