节能LED应用需要高性能LED驱动器

背景 根据一些统计,从传统的白炽灯和荧光灯转换成LED照明可以使目前全球所需总电能节省高达10%.尽管预测各有不同,但是一个趋势是显而易见的:高亮度LED市场正在以惊人的速度增长.根据法国Yole Development公司的研究,到2012年,各种LED总的市场规模将达到103亿美元.     

从驱动LED背光向驱动固态光源转换

来自LED固体光源的大部分揭秘表明,不同的拓扑结构是针对不同应用而设定的。     

LED产业的发展概况

在今年4月LED驱动器、材料企业群访基础上,又访问了LED驱动器厂商杭州士兰微电子、台湾茂达电子、美国O2科技,还有LED制造商Cree、LED显示屏制造商兆光科技和灯具制造商奥的亮,请他们从不同角度介绍了当今LED市场和技术潮流。     

LED背光照明系统的设计方案选项

LED正成为中小型彩色显示器背光照明应用的主流器件。LED的选择是决定显示子系统设计最佳性价比的关键因素。此外,LED驱动IC能与较低成本的LED协同工作,通过多种方法提升现有LED的性能。除亮度控制外,这些驱动IC还能实现精确的亮度匹配, 或允许使用一系列具备不同VF特性的LED。本文介绍各种基于LED的背光照明设计方案选项,以及在考虑成本因素和各种设计方法利弊的前提下,如何优化系统性能。LED驱动电路设计人员为便携应用选择LED驱动电路时,一般考虑成本和性能因素。系统设计的一个约束条件是可用电池功率和电压,其它约束条件…     

LED光源的应用与发展趋势

介绍了LED灯光技术发展趋势,回顾了LED灯光在舞台照明方面的应用过程,介绍了欧司朗LED产品在电视舞台灯光照明、LED显示墙方面的应用.     

新一代LED光源令照明技术改朝换代

被视为本世纪省电环保照明之星的高亮度LED,已经成为各国厂商积极进入的领域,未来白光LED的应用市场将非常广泛,包括手电筒、装饰灯、LCD背光源、汽车内部照明市场、投影灯源等,不过最被看好以及最大的市场还是取代白炽钨丝灯泡及荧光灯。     

LED光源的应用探索

LED是英文Light Emitting Diode的简称,中文名称叫发光二极管。LED具有发光效率高、使用寿命长、不易破损、开关速度高、高可靠性诸多优点。LED光源在可见光范围的应用主要包括显示屏、交通信号、汽车工业、LED背光源、情景照明、情调照明。LED光源在红外光区域的应用主要体现在红外成像、遥感、遥测以及光纤通信方面。     

LED光源在照明中的应用

LED是21世纪令人瞩目的光源,具有广阔的照明前景。首先对LED光源的原理、发展概况、特点等做了介绍,然后重点阐述其在照明领域的应用及发展趋势,最后说明了LED在路面照明中的应用并做了总结展望。     

LED照明电源设计与应用

本文通过对LED照明驱动电源设计的分析,简单阐述了照明驱动电源在设计上应考虑的问题及设计方向,如常用电源拓扑结构选择、分类;电子元器件的选择;各类安规认证等注意事项,论证了具有市场化的LED照明电源设计方案,有助于工程设计人员对LED驱动电源设计有所了解。     

下世纪初LSI技术发展动向

详细探讨了未来１５年半导体市场及半导体核心技术的发展动向。在器件尺寸小型化方面，着重需要解决１００ｎｍ的技术课题。     

S1240专用MBLIC LSI

本文叙述了Ｓ１２４０数字程近电话交换机专用的一种用户接口电路的结构与功能。采用以双极工艺为基础的ＢｉＣＭＯＳ制造技术，使用相同的结深度，实现了高，低压双极型管与ＣＭＯＳ管的结合，制造出ＭＢＬＩＣ ＬＳＩ，并通过比利时贝尔电话公司质量认证。     

通信LSI/VLSI工艺

本文介绍通信LSI/VLSI电路制作技术中目前比较通用的工艺。总的来说,通信电路工艺是以前LSI/VLSI22艺的继续和发展。文中论述的重点是那些和过去LSI/VLSI工艺不同的方面,而这些方面主要体现在模拟电路的制作工艺上。     

通信电路LSI／VLSI发展的新领域

本文介绍了通信技术和通信电路的发展情况,论述了通信技术和通信电路与通信LSI/VLSI发展的密切关系以及通信电路技术的特点;并通过实例说明通信LSI/VLSI中典型的电路和技术。     

基于LSI403LP DSP芯片的小型VoIP网关的设计

介绍了一个基于LSl403LP DSP芯片的小型VoIP网关的设计。它可提供4路RJ11接口供传统电话机接入，1路RJ-45接口连接Internet，还有一个RS-232接口供系统程序维护与升级。使用这种VoIP网关后，可使小型企业或家庭用户方便快捷地接入Internet，直接进行语音通信，不但便捷而且经济。给出了硬件和软件的结构设计。     

群法及其在LSI/VLSI自动布图设计中的应用

本文系统、深入地研究了LSI/VLSI自动布图设计中的群法问题.引入了一系列新的概念:如稳定群、稳定群的级、绝对封闭群等.得出并证明了稳定群的一些重要性质.本文认为,历史上群法中一种非常重要的评价参量,群强度,是不可靠的,并成功地用稳定群代替.用本群法得到的结果与历史上典型群法得到的结果进行比较,结论是非常令人满意的.     

An algorithm ofk-line location for BBL in LSI/VLSI

In this paper, aK-line location algorithm for building block cells in LSI/VLSI is presented. When the relative positions of rectangular cells are given, there are 2 states according to the two orientations of a cell. It is proved that to find the optimum solution from the 2^N states can be reduced to calculate theN states inK-line algorithm. So the algorithm is shown very effective and can be used with association for cluster method in BBL placement. Under certain conditions, this method can also be used to pesudo BBL placement directly.     

AN ALGORITHM OF K-LINE LOCATION FOR BBL IN LSI/VLSI

In this paper,a K-line location algorithm for building block cells in LSI/VLSI ispresented.When the relative positions of rectangular cells are given,there are 2 states accordingto the two orientations of a cell.It is proved that to find the optimum solution from the 2~N statescan be reduced to calculate the N states in K-line algorithm.So the algorithm is shown veryeffective and can be used with association for cluster method in BBL placement.Under certainconditions,this method can also be used to pesudo BBL placement directly.     

LSI/VLSI的任意元胞K行安置的算法

本文提出一种适用于LSI/VLSI任意元胞布局的K行安置的算法。当矩形单元的拓朴位置确定后,每个单元有横放、竖放两个态共有2n个态。在K行安置时,从这2n个态中选出包络矩形面积最小的问题,可归结为求n个态中的包络矩形面积最小,所以是很有效的算法。可以和结群法混合使用;在一定条件下,还可以直接用于准BBL布局。     

An inorganic resist technology and its applications to LSI fabrication processes

An Ag/Se-Ge inorganic resist technology is applied to photolithographic processes in LSI fabrication. This paper describes exposure latitude, RIE characteristics, resist fabrication and exposure throughputs, pattern alignment, defocus tolerances and fabrication yields of Al interconnection.Lateral Ag diffusion does not effectively improve the exposure tolerance. The technology exhibits good compatibility with other equipment and technologies, offering satisfactory throughput. Excellent accuracy in pattern alignment is obtained owing to dry-deposition fabrication and the suitable optical properties of the Se-Ge inorganic film, which result in regulated and distinct alignment signals. Defocus tolerance in the resist is larger than that of polymer resist by 2 ∽ 3 μm in the submicron pattern. Al interconnections using this resist demonstrate a short-circuit failure rate of less than 1% and small variation in linewidth having a standard deviation of σ_w = 0.08 μm.In practical processes, the significant advantages of this resist are its bilayer resist structure (doped Ag-Se-Ge and underlying Se-Ge) and its dry deposition, very thin, favorable optical characteristics.