掺杂对CdSe-TFT稳定性影响的研究

利用蒸发和溅射工艺,研究了CdSe-TFT的制作,特别对掺In的CdSe-TFT的电性能进行了研究。实验中观察到CdSe掺In后,TFT的I－V特性明显得到改善,得到了性能稳定的TFT器件,利用半导体掺杂理论对此现象进行了解释。     

聚合物薄膜晶体管的制备及性能

以硅材料衬底作栅电极,在衬底上依次制备二氧化硅栅介质层、聚合物MEH-PPV薄膜半导体层和金源、漏电极,成功地得到了聚合物薄膜晶体管.器件的制备和测试都是在空气环境中完成.该薄膜晶体管呈现出较好的场效应晶体管饱和特性,器件的载流子迁移率为5.0×10-5 cm2/(V·s),开关电流比大于2×103.通过在氮气氛下对聚合物薄膜进行退火处理以及聚合物薄膜沉膜前对二氧化硅表面修饰可以适当地提高器件的载流子迁移率.     

溶液法制备环保型高分子聚合物薄膜晶体管

基于一种新型的稠合噻吩-吡咯并吡咯二酮聚合物半导体(PTDPPTFT4),采用溶液法工艺制作了高性能环保型、空穴型有机薄膜晶体管。通过尝试不同的半导体层退火温度及退火时间,优化了有机薄膜晶体管的性能。当采用对二甲苯溶剂,退火温度为190℃,退火时间为60min时,迁移率为2.1cm2·V-1·s-1,电流开关比大于106。通过X射线掠入射角衍射法测试,得到高温退火后聚合物薄膜的结构特点,进而揭示了退火条件改变后,薄膜晶体管拥有高迁移率的原因。     

高场效应迁移率非晶硅薄膜晶体管

台湾大学电气工程系报道了他们制作的a-Si∶H TFT,其场效应迁移率高达3～5cm~2/V·s;在阈值附近,电压仅变化0.28～0.5V,电流即变化一个数量级.据称,这是至今报道的最佳TFT性能.图1示出了TFT的剖面图.制作过程如下:首先,在一块康宁7059     

CdSe纳米团簇的透射电镜研究

在沸石分子筛中组装ＣｄＳｅ而形成半导体纳米团簇材料，并将组装ＣｄＳｅ后的沸石微粉制成完整的透射电镜薄膜，结合能谱测试，在透射电镜下观察所制得的材料的微观结构和形貌．结果表明在沸石中形成了尺寸单一、分布均匀的团簇材料     

CdSe的相互作用势研究

提出了一种用于表征硒化镉(CdSe)性质、形式上类似于玻恩-迈耶模型的相互作用势,并用其研究了由压力引起的CdSe从四近邻的纤维锌矿向六近邻的岩盐矿结构的相变.利用该作用势得出了六配位数碱卤化物晶体的性质,并描述了CdSe的三种晶体结构:纤锌矿(Wurtzite)、闪锌矿(Zinc blende)和岩盐矿(Rocksalt)型结构.相变压强和得出的物态方程与实验数据十分吻合.利用新提出的势中的色散项,计算了Hamaker常数.经计算,CdSe的Hamaker常数为0.388 eV.利用Lifshitz理论和微观尺度理论对多种碱卤化物进行了计算和比较,计算结果表明,Lifshitz理论中离子化合物中的多体相互作用项已经被包含在了文中新提出的简单形式的势中,从而证实利用该方法处理"离子"间的势是足够精确的.同时表明,对于离子化合物可忽略多体效应;由晶格动力学给出的范德瓦尔斯相互作用项,同样很好地描述了长程的色散作用.     

CdSe的相互作用势研究

提出了一种用于表征硒化镉(CdSe)性质、形式上类似于玻恩-迈耶模型的相互作用势,并用其研究了由压力引起的CdSe从四近邻的纤维锌矿向六近邻的岩盐矿结构的相变.利用该作用势得出了六配位数碱卤化物晶体的性质,并描述了CdSe的三种晶体结构:纤锌矿(Wurtzite)、闪锌矿(Zinc blende)和岩盐矿(Rocksalt)型结构.相变压强和得出的物态方程与实验数据十分吻合.利用新提出的势中的色散项,计算了Hamaker常数.经计算,CdSe的Hamaker常数为0.388 eV.利用Lifshitz理论和微观尺度理论对多种碱卤化物进行了计算和比较,计算结果表明,Lifshitz理论中离子化合物中的多体相互作用项已经被包含在了文中新提出的简单形式的势中,从而证实利用该方法处理"离子"间的势是足够精确的.同时表明,对于离子化合物可忽略多体效应;由晶格动力学给出的范德瓦尔斯相互作用项,同样很好地描述了长程的色散作用.     

CdSe／HgSe／CdSe量子点量子阱（QDQW）的HREM研究

我们应用胶体化学合成方法制备出具有核壳结构的CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱(QDQW)纳米晶,由于QDQW中载流子的量子限制效应,其光致发光谱(PL)出现了明显的蓝移现象,谱峰也有明显增强。本文中,我们通过对CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱核壳结构进行HREM的研究,并对包裹层这种异质外延生长及PL谱进行分析,获得了有意义的结论。胶体CdSe纳米晶是在水溶液中加以生长[1]。其化学反应式为:Cd2++2OH-+SeSO32-→CdSe+SO32-+H2O(1)通过改变Cd2+、SeSO32-的浓度及溶液中pH值,对CdSe纳米晶的尺度加以控制,并加入化学稳定剂阻止CdSe纳…     

量子点薄膜晶体管的研究

溶液加工法制备的胶体半导体量子点(QD)具有低成本和广泛应用于多种电子和光电器件的潜在优势,但是QD表面用作防止团聚的长链配体反而大大降低了QDTFT的载流子迁移率.论文介绍了量子点的制备和量子点TFT的制备,总结了以硫醇、胺或金属硫族化物对QD表面的长链配体进行交换,向QD活性层掺杂In或Sn以增加载流子,以卤族元素...     

并五苯有机薄膜晶体管电学性能研究

制作了以并五苯为半导体有源层材料的有机薄膜晶体管。用热氧化的方法制备了一层230nm的二氧化硅栅绝缘层并用原子力显微镜(AFM)分析了表面形貌。研究了器件的电学性能,得到的并五苯有机薄膜晶体管器件载流子迁移率为8.9×10-3cm2/V.s,器件的阈值电压和开关电流比分别为-8.2V和1.0×104。     

Organic thin film transistors with a SiO2/SiNx/SiO2 composite insulator layer

We have investigated a SiO₂/SiN_x/SiO₂ composite insulation layer structured gate dielectric for an organic thin film transistor（OTFT） with the purpose of improving the performance of the SiO₂ gate insulator. The SiO₂/SiN_x/SiO₂ composite insulation layer was prepared by magnetron sputtering.Compared with the same thickness of a SiO₂ insulation layer device,the SiO₂/SiN_x/SiO₂ composite insulation layer is an effective method of fabricating OTFT with improved electric characteristics and decreased leakage current.Electrical parameters such as carrier mobility by field effect measurement have been calculated.The performances of different insulating layer devices have been studied,and the results demonstrate that when the insulation layer thickness increases,the off-state current decreases.     

高场效应迁移率铁电栅二氧化锡薄膜晶体管的研究

采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)制备了以n型Si为栅极、二氧化锡(SnO2)薄膜为沟道层、(Bi,Nd)4Ti3 O12 (BNT)薄膜为绝缘层的薄膜晶体管.晶体管呈现出n沟道增强型性能,其开态电流I.n=25 μA,场效应迁移率μsat=0.3 cm2·V-1·s-1.BNT铁电薄膜的自发极化以及载流子与极化的耦合作用是晶体管具有较大开态电流和较高场效应迁移率的主要原因.     

a—Si：H TFT自对准工艺的研究

实验研究了自对准结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ的制备工艺，对其中关键的底部曝光和顶胶工艺进行了详细的研究和分析，对制备工艺和结构参数进行了合理的优化，成功地制备出自对准结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ。对影响自对准结构ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ特性的主要因素进行了详细的分析，提出了一种新颖的双有源层结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ，可以有效地改善ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ的开态特性，其通断电流比ＩＯＮ／ＩＯＦＦ〉１０＾５。     

具有SiO2/SiNX/SiO2 复合绝缘层的有机薄膜晶体管

We have investigated a SiO_2/SiN_x/SiO_2 composite insulation layer structured gate dielectric for an organic thin film transistor(OTFT) with the purpose of improving the performance of the SiO_2 gate insulator. The SiO_2/SiN_x/SiO_2 composite insulation layer was prepared by magnetron sputtering.Compared with the same thickness of a SiO_2 insulation layer device,the SiO_2/SiN_x/SiO_2 composite insulation layer is an effective method of fabricating OTFT with improved electric characteristics and decrease...     

具有双绝缘层和修饰电极的薄膜场效应晶体管

研究了具有OTS/SiO2双绝缘层结构及MoO3/Al电极结构的有机薄膜晶体管.器件是以热生长的Si02作为有机薄膜晶体管的栅绝缘层,酞菁铜作为有源层的.OTS/SiO2双绝缘层的结构提高了器件的场效应迁移率和开关电流比,降低了阈值电压.实验表明在同样的栅极电压下,具有MoO3/Al电极的器件和金电极的器件有着相似的源漏输出电流.结果显示具有OTS/SiO2双绝缘层及MoO3/Al电极结构的器件能有效改进有机薄膜晶体管的性能.     

具有双绝缘层和修饰电极的薄膜场效应晶体管

研究了具有OTS/SiO2双绝缘层结构及MoO3/Al电极结构的有机薄膜晶体管.器件是以热生长的Si02作为有机薄膜晶体管的栅绝缘层,酞菁铜作为有源层的.OTS/SiO2双绝缘层的结构提高了器件的场效应迁移率和开关电流比,降低了阈值电压.实验表明在同样的栅极电压下,具有MoO3/Al电极的器件和金电极的器件有着相似的源漏输出电流.结果显示具有OTS/SiO2双绝缘层及MoO3/Al电极结构的器件能有效改进有机薄膜晶体管的性能.     

Graphene flakes at the SiO2/organic-semiconductor interface for high-mobility field-effect transistors

We demonstrate that high-transconductance organic thin film transistors can be achieved by depositing electrochemically exfoliated graphene flakes at the gate-dielectric/organic semiconductor (OS) interface. This effect is applicable to both, solution processed, polymer-based and vacuum-evaporated small-molecule OS-based transistors. Poly(3-hexylthiophene) (P3HT) transistors exhibit a factor of seven higher charge carrier mobility, while pentacene transistors exhibit a fourfold increase in charge carrier mobility, if graphene flakes are present at the dielectric/OS interface.