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低静态电流低压降CMOS线性稳压器 总被引:3,自引:1,他引:3
设计了一种100 mA低静态电流、低压降CMOS线性稳压器.通过使用与一般线性稳压器相类似的频率补偿方法,这种低压差线性稳压器获得了低静态电流,很好的电源调整率和负载调整率,以及很高的PSRR值.在0.5 μm工艺下的仿真结果表明,其消耗的静态电流只有5 μA,电源调整率和负载调整率分别为0.02 mV/V和0.002 mV/mA;在100 Hz时,其PSRR值为-90 dB,负载电容只有100 pF,可以很容易地集成到电路中. 相似文献
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Michael Day 《电子设计应用》2006,(1):I0001-I0002
德州仪器(TI)TPS79918低压降线性稳压器(LDO)可为英特尔(Intel)新型StrataFlash P30嵌入式存储器提供核心动力所需的性能。Intel正在将其采用0.18微米工艺的第三代StrataFIash嵌入式存储器(J3)升级至采用0.13微米的第四代StrataFlash嵌入式存储器(P30)。 相似文献
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William Lepkowski 《电子设计技术》2006,13(6):113-114
很多低压降稳压器都带有一个使能输入脚,它可以用作一个廉价的电压监控IC。虽然使能脚通常是用于切断稳压器的输出以节省功耗,但增加几个分立元件就可以使稳压器输出控制相应输入电压下的通、断。因此,可以将此电路用作一个电压监控器或一个特性受控的线性稳压器。 相似文献
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Michael Day 《电子设计技术》2006,13(1):I0021-I0022
介绍
德州仪器(TI)TPS79918低压降线性稳压器(LDO)可为英特尔(Intel)新型StrataFlash P30嵌入式存储器提供核心动力所需的性能Intel正在将其采用0.18微米工艺的第三代StrataFlash嵌入式存储器(J3)升级至采用0.13微米的第四代StrataFlash嵌入式存储器(P30)。此新型嵌入式存储器已将所需Vcc电压降至1.8V,因此存储器从J3升级至P30可使得系统的总体工作电流消耗较低。Intel在其应用手册AP812(文档编号306667 Rev2)中建议使用LDO提供新的1.8V电压轨。 相似文献
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ManishaPandya AndyKhayat 《世界电子元器件》2004,(6):70-71
本文先分析了开关电源产生电磁干扰的机理,就目前几种有效的开关电源电磁干扰措施进行了分析比较,并为开关电源电磁干扰的进一步研究提出参考建议。 相似文献