恩智浦突破性地提升LDMOS基站的功率效率

日前,恩智浦半导体（NXP Semiconductor,由飞利浦成立的独立半导体公司）推出BLC7G22L（S）-130基站功率晶体管,这是恩智浦应用其业界领先的第七代横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术的首款产品,专为高功耗和Doheay放大器应用进行了优化。恩智浦的第七代LDMOS技术可以实现目前功效最高的LDMOS解决方案,与上一代产品相比,功率密度提高了20％,     

恩智浦双极晶体管推动能量效率

恩智浦半导体(由飞利浦创建的独立半导体公司)日前发布了最新一代低VCEsat晶体管,与普通晶体管相比,其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS(小信号击穿)晶体管具有超低饱和电压(1A时低于60mW)、高电路效率和更低的能源消耗,并能减少便携式电池供电产品(如笔记本电脑、PDA和数码相机)的发热量。先进的BISS双极晶体管还可用于需要低等效导通电阻的工业及汽车领域。