Sol-Gel法制备PZT陶瓷超细粉的研究

以乙酸铅(Pb(CH3COO)2·3H2O)、钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)、硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)替代锆醇盐为原料,采用改进的Sol-Gel工艺,制备出结晶良好、化学组成精确、颗粒分散性好、粒径约为20～30nm的PZT超细粉。实验结果表明,Sol-Gel法制备的PZT粉末的合成温度比传统的固相反应法烧结温度低,在煅烧温度在550～700°C温度范围内,可制备出PZT陶瓷超细粉。     

用化学液相共沉法合成钛酸锶钡

用化学液相共沉淀法合成钛酸锶钡,可制得高纯、超细、高均匀性、高活性的复合材料。合成溶液pH值对材料组成及收率均有直接影响。     

固相悬浮研磨法制备纯氧化锆超细粉

为制备分散性良好的纯氧化锆超细粉,以廉价的无机盐氧氯化锆和草酸为反应原料,新型的乳液体系为液体悬浮研磨介质,开创了固相悬浮研磨法.应用X-射线衍射(XRD)、拉曼光谱和透射电子显微镜对产品进行了表征.结果表明,通过选择合适的煅烧条件,可控制常温下稳定存在的纯氧化锆四方相和单斜相之间的相对比例,且在拉曼光谱中观察到了表征纳米特性的拉曼活性振动模式,表明用固相悬浮研磨法制备出了纳米尺度的氧化锆颗粒.     

低温共烧陶瓷基板制备技术研究进展

对LTCC (低温共烧陶瓷 )技术的特点及应用作了评述。对目前已研究和使用过的低介电常数和低烧结温度基板材料及综合性能 ,流延浆料有机添加剂进行了对比分析。描述了流延工艺过程和烧结过程。由于对基板材料选择的任意性 ,现有流变学模型的局限性 ,以及低温液相烧结动力学过程机理尚不清晰 ,因此完整清晰地揭示LTCC工艺的物理化学过程仍需作很多工作。     

低温共烧陶瓷表面共烧电阻浆料制备的研究

研究了导电相和玻璃相对共烧厚膜电阻表面状况和稳定性的影响,结果表明：当厚膜电阻中玻璃相软化点接近或低于基板中玻璃相的软化点时,共烧厚膜电阻与基板保持良好的工艺匹配;当厚膜电阻的热膨胀系数接近基板的热膨胀系数时,电阻具有较好的常温、高温等稳定性,X射线衍射分析表明,厚膜电阻与基板之间的不良反应降代电阻的稳定性。     

液相法制备GaN单晶体研究进展

回顾了GaN单晶体的液相生长法研究进展,主要介绍了高压氮气溶液法(HPNSG)、Na助溶剂法以及氨热法的原理、生长条件及其研究进展。液相法可以制备相比于气相法更高质量的GaN晶体。其中HPNSG可以制备位错密度低于102cm-2的GaN晶体,氨热法可以生产出高质量的2英寸(1英寸=2.54 cm)GaN晶体,重点介绍了Na助溶剂法的生长设备及最新研究成果,目前该方法已经可以生长直径超过2 cm、高度约为1.2 cm的无位错块体GaN晶体。对液相法生长GaN晶体的应用前景进行了预测,认为液相法制备的高质量GaN晶体作为大功率、高可靠性GaN电子器件理想衬底,会发挥越来越重要的作用。     

颗粒包覆法制备BZT-CT复合陶瓷

采用预合成的方法,分别用得到的单斜类锆钙钛矿相Bi2(Zn1/3Ta2/3)2O7(β-BZT)和钙钛矿相CaTiO3(CT)的粉末作为正负温度系数组元,用sol-gel法制备的ZnO-B2O3-SiO2玻璃,包覆两组元颗粒以阻止其相互反应,从而制备复相零温度系数微波陶瓷。结果表明:预合成及颗粒包覆法可抑制两相固溶反应,有效降低复相陶瓷的烧结温度,调节温度系数。特别是900℃烧结的w(CT)为4%的样品,其εr约为47,αε为2.8×10–6℃–1。     

液相法制备ZnO压敏电阻的研究

利用化学共沉淀法和Sol-Gel法制备,ZnO压敏电阻器的部分添加剂粉料,经过成份验证后与其他添加剂和ZnO主料混合制备压敏元件.元件在烧结后,经过热处理和电老练,其性能较传统的固相球磨制备元件提高很多.液相法制备压敏元件,元件内部晶粒大小分布均匀、气孔率低,而经过电老练,气孔再一次减少,因此得到了高性能的ZnO压敏元件.     

液相法制备ZnO压敏电阻器粉料

用液相法制得ＺｎＯ压敏电阻器粉料。与用传统粉料制备的ＺｎＯ压敏电阻器相比,用该粉料制成的ＺｎＯ压敏电阻器的一致性更好、耐电流冲击能力更强、压敏场强更高。     

钛酸锶钡压电陶瓷超细粉体的水热法合成

采用水热工艺制备不同组成的钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,简称BST),利用傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、X-射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)等技术分析了水热反应转变机理及相结构转变情况,同时对影响合成的工艺参数及不同组成材料的居里温度变化进行了研究。结果表明,获得的BST粉体颗粒粒径为20~40 nm,其最佳的工艺参数为r(Ba/Ti)=3(摩尔比)、r(Sr/Ti)=1/4或r(Ba/Ti)=1/3、r(Sr/Ti)=4/5,c(KOH)=1.5~2 mol/L,制得不同组成粉体的居里温度呈规律性变化。     

Sol—Gel法制备PbTiO3陶瓷

用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备了ＰｂＴｉＯ３陶瓷，观察了结晶情况，并测定了某些电性能。实验表明，用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备的ＰｂＴｉＯ３陶瓷纯度高，致密性好、晶粒均匀，且有良好的介电性能和铁电性能。     

液相法制备氧化镁晶须的SEM研究

氧化镁晶须 (熔点 30 73K)具有优良的耐热性、绝缘性、热传导性、补强性和很高的抗拉强度 ,很适合用做多种复合材料的增强剂。氧化镁晶须的制备方法大多采用气相法 ,工艺条件控制苛刻 ,生产成本高 ,大大限制了氧化镁晶须的工业生产与应用。本文以MgCl2 ·H2 O和NH3 ·H2 O为原料 ,借助纤维状碱式氯化镁中间体 ,运用“假象”技术获得了由纳米微粒烧结而成的氧化镁晶须状材料。利用SEM研究了制备条件对产物微观形态的影响。1　实验方法以精制卤水和氨水为原料 ,采用浓度适中的氯化镁溶液和较小的 [OH-] [Mg2 + ](0 15 ) ,控制反应温度…     

激光液相烧蚀法制备纳米粒子研究进展

纳米材料具有特殊的化学特性,在光电子、催化、医药、军事等领域展现出了广阔的应用前景。激光液相烧蚀法(PLAL)是当前纳米粒子制备领域的研究热点之一,其利用脉冲激光在液相中创造出超高温、超高压的环境,通过改变脉冲激光的波长、脉宽、频率以及溶剂、靶材的种类等,来达到控制纳米粒子形态和尺寸的目的。本文介绍了激光液相烧蚀法的基本原理,综述了激光液相烧蚀法制备金属纳米粒子、金属氧化物纳米粒子、合金纳米粒子以及非金属纳米粒子的最新研究进展,总结了纳米粒子制备过程的影响因素和产物的性能。基于国内外研究进展,提出了激光液相烧蚀法制备纳米粒子的改进方向。     

连续与脉冲激光诱导气相反应制备超细粉

用连续以及脉冲的CO2激光诱导三甲基氯硅烷的气相化学反应，制备SiC超细粉．脉冲激光以及高的激光功率密度有助于减少副反应，得到高纯度、圆形、粒度小而均匀，疏松不团聚的超细粉。     

电磁波带隙材料的低温共烧陶瓷技术制备及性能

根据共面紧凑型光子晶体的原理和 HFSS 仿真结果设计了禁带位于超宽带(UWB,3.1 ～ 10.6 GHz)范围的EBG(电磁波带隙)结构,然后采用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺制备出了设计的EBG结构.利用光学显微镜和扫描电子显微镜观察了所制EBG结构的微观结构,结果显示烧结体中陶瓷与银电板结合良好.另外,经HP8720ES矢量网络分析仪测试发现其电磁波禁带位于4.0～5.5GHz,深度大于20 dB.     

Bi、Cu共掺杂钛酸钡基压电陶瓷的制备与研究

采用溶胶-凝胶自燃烧工艺成功制备出(Ba0.99Bi0.01)(Cu0.005Ti0.995)O3微细粉料,并烧结成瓷.利用X线衍射(XRD)和电镜扫描(SEM)分析了样品的物相及显微形貌,发现样品为四方钙钛矿结构,晶粒大小均匀.研究了不同烧结温度的(Ba0.99Bi0.01)(Cu0.005Ti0.995)O3陶瓷居里温度的变化、介电温谱、压电特性及其温度稳定性.实验表明,以Bi、Cu进行掺杂可降低钛酸钡的烧结温度,且有效改善了其电性能,居里温度从不掺杂时的120℃提高到155℃,温度1 240℃烧结样品表现出最佳的综合压电性,压电常数(d33)为80 pC/N,机电耦合系数(kp)为12.6％,品质因数(Qm)为310,压电常数(d31)为－ 16.8 pC/N,且其压电性的温度稳定性有了很大提高.     

均匀沉淀法制备SBN50陶瓷及其介电性能研究

以硝酸盐和NbF5为原料,尿素为沉淀剂,采用均匀沉淀法合成了Sr0.5Ba0.5Nb2O6(SBN50)前驱体。对前驱体及SBN50陶瓷的结构及介电性能进行研究。结果表明:前驱体经900℃煅烧可合成纯相SBN50粉体,颗粒平均粒径为100~200nm,较固相法低100~200℃。1400℃烧结制备的陶瓷相对密度达93%,无晶粒异常长大,在60℃附近有一明显弥散介电峰,tanδ峰值温度随频率增加移向高温。室温10kHz下,其εr为1500,tanδ为0.025。