光刻胶处理系统的国内外现状

光刻胶处理技术及其在半导体器件和集成电路制造中的应用是过去十年半导体微细加工领域中最引人注目的研究课题之一。本文综述了光刻胶处理系统的基本原理、特点和处理技术,重点介绍了系统的国内外研制现状,最后对系统的发展趋势也进行了探讨。     

新产品

碳化硅处理技术；干法反应离子刻蚀设备；光刻胶剥离液／残留物去除液；桌面型加热炉；自动化清洗系统……     

VLSI线宽的自动工艺控制

描述了光刻胶喷雾显影和搅拌显影中线宽加工的工艺线自动控制方法。所使用的设备也可用于工艺诊断,评价诸如光刻胶溶解速率或显影实际开始前的初始时间一类的光刻胶参数。讨论了这种方法对于光刻胶的全自动处理的意义。     

声表面波器件制作中的一种剥离技术

介绍了一种适用于LiTaO3、LiNbO3基片的金属剥离工艺技术。该剥离技术利用碱性溶剂浸泡处理光刻胶,光刻胶顶层形成一层有利于剥离的突出遮蔽层。利用该技术可制作线宽小于0.5μm的SAW芯片。该技术无需额外设备,工艺稳定且成本低。     

FSI国际宣布将ViPR^TM全湿法去除技术扩展到NAND存储器制造

全球领先的半导体制造晶圆加工、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司宣布：一家主要的存储器制造商将FSI带有独特ViPR^TM全湿法无灰化清洗技术的ZETA清洗系统扩展到NAND闪存生产中。许多器件制造商对采用FSI的ZETA ViPR技术在自对准多晶硅化物形成过程所带来的益处非常了解。该IC制造商就这一机台在先进的NAND制造中可免除灰化引发损害的全湿法光刻胶去除能力进行了评估。客户对制造过程中无灰化光刻胶剥离法、     

光刻胶灰化技术用于同步辐射闪耀光栅制作

在分析光刻胶光栅浮雕图形缺陷成因的基础上,首次将光刻胶灰化工艺引入到全息－离子束刻蚀制作闪耀光栅工艺中,并成功地为国家同步辐射实验室光化学站制作了１２００１／ｍｍ,闪耀波长为１３０ｎｍ的锯齿槽形光栅。测试结果表明光刻胶灰化处理对制作大面积优质的光刻胶光栅非常有效和实用。     

基于光刻胶热熔法的全息光栅表面粗糙度平滑处理

根据表面热动力学原理提出了一种成本低廉、制作周期短、易于实现的光刻胶热熔法,阐述了光刻胶热熔法的基本原理,探讨了光刻胶热熔对光刻胶光栅表面刻槽形状的影响。实验中,分别对经过和未经过热熔处理的光刻胶光栅做了离子束刻蚀。结果表明,利用表面张力作用可使熔融状态下的光刻胶光栅刻槽表面变得平滑,粗糙度降低,并且成功地在K9玻璃基底上得到了槽形较好的全息光栅。     

一种新的基于水蒸气和水混合流体去胶方法

随着半导体器件尺寸越来越小,光刻胶的剥离,尤其是对硬烘后和离子注入后的光刻胶剥离,被认为是现代半导体器件制造过程中最具挑战的工艺之一。本文提出了一种新的湿法去胶技术从而可以替代现有的湿法剥离工艺和等离子灰化工艺。并针对固化后的光刻胶以及金膜和铬膜,进行了相关实验。然后给出了光刻胶的剥离图片,并分析和讨论了该过程的机理。结果表明,利用水蒸气和水的混合流体射流清洗技术可以很容易去除固化后的光刻胶和金属膜。     

微波用于抑制光刻胶纳米线条倒伏的研究

针对半导体工艺中去离子水的表面张力导致显影干燥过程中光刻胶纳米线条容易发生倒伏的问题,采用了微波干燥方法,以抑制光刻胶纳米线条倒伏。利用微波的热效应和非热效应,降低去离子水的表面张力,使光刻胶纳米线条上的去离子水均匀、快速地蒸发,有效抑制了光刻胶纳米线条的倒伏。与氮气干燥处理的传统方法相比,该方法能使高130 nm、宽15 nm的光刻胶纳米线条不发生倒伏,效果明显。这表明,该方法是可行和有效的。     

声表面波器件的工艺技术

本文讨论工艺技术,以声表面波器件用的微米和亚微米线宽的叉指电极为议题,概括了国外声表面波器件工艺技术的现状,从声表面波器件实际需要的角度分析了曝光系统、制版方法、实用光刻胶、多层掩模、无机光刻胶、干法刻蚀技术、铌酸锂的刻蚀技术及干法显影等问题,评述了发展声表面波器件的工艺技术途径。     

NOVELLUS推出两款先进表面处理设备

Novellus系统有限公司推出两种300mm硅片制造表面处理设备:GAMMA2130光刻胶清除系统和SIERRA高级干洗系统。与目前市场上同类产品相比,这两种新设备将显著降低设备的拥有成本、提高生产能力和可靠性,加工规格可满足65mm工艺产品的生产。 目前,300mm硅片制造过程中,30道工艺步骤中需要清除光刻胶和残留物。其中,大约一半步骤为前道工序。在剩余的后道工序中,越来越多地采用铜双蚀刻技术以提高互连质量。由于如此多的工艺步骤需要进行表面处理,因此所需的加工设备必须具有很低的拥有成本、相当高的加工能力和可靠性。同时,还应满足生产几代元件产品的需要。     

光刻胶处理系统

<正>半导体集成电路的大容量和高密度化异常惊人,以存储器为例,1M位的DRAM已经批量生产,而4M位的DRAM也有试制品发表。光刻技术是这些产品图形微细加工的关键之一。生产高密度器件要有高的成品率,就要提高膜和线宽的均匀性及无尘化等,所以要求改进光刻胶处理装置。在此介绍光刻胶处理装置近况并叙述今后发展的有关动向。     

诺发公司（NOVELLUS）公司推出GAMMA EXPRESS

先进的光刻胶干法去除系统可以减少fab风险为65nm和45nm节点技术、可靠性和生产力建立新基准。     

国内外光刻胶处理装置的发展概况

本文以亚微米工艺的批量生产为目的,对匀胶/显影机及有关光刻胶处理系统的一些设备的国内外的概况做一综述。     

聚合物芯片复型模具的新型制作工艺研究

AZ4620是一种广泛应用于微系统制作的正性光刻胶。高温改性后的AZ4620在紫外曝光时光照部分不再发生光化学反应,基于这样的材料特性,以220℃高温硬烘30 min获得改性的无光敏性的光刻胶,通过Plasma氧刻蚀制作出底层结构,再在底层结构表面涂胶采用多次曝光和显影制作出具有三层微结构的光刻胶模具,利用模塑法制作聚合物PDMS芯片。对光刻胶高温硬固工艺进行分析,对产生回流、残余应力、气泡等问题进行理论分析和实验研究,优化了模具加工工艺。采用多次喷涂,Plasma氧处理改善浸润性,高温硬烘0.5℃/min的升温速率得到了质量较好的多层光刻胶模具,为利用正性厚胶制作多层微结构提供了新的方法。     

用于剥离工艺的高分辨率双层光刻胶结构

本文叙述一种用于剥离工艺的制备双层正性光刻胶结构的新工艺方法。此工艺方法的关键工序是在 CF_4等离子体中处理第一层光刻胶的表面以形成一薄的缓冲层,该层对紫外线是透明的,并且在光刻胶溶剂中和碱性水显影液中是不可溶的。选用 AZ-2400和 AZ-1300系列正性光刻胶制作出“凸缘”型光刻胶剖面图形以适合剥离应用。能很干净地剥离出高1μm、宽1μm 的铝线条。制作了一个1μm×1μm 的栅格结构以证实此新双层光刻胶工艺方法的分辨能力和钻蚀控制情况。最后叙述了1μm 栅 GaAs MES-FET 的制作以证实其应用。     

光刻技术的发展与光刻胶的应用

本文根据超大规模集成电路光刻技术的不断发展对与之配套的光刻胶的不同要求，阐述了国内外光刻胶的现状、应用和发展状况等。     

S1818光刻胶工艺实验研究

详细介绍了对S1818光刻胶进行实验的数据及分析过程，总结出适合我所光刻系统的S1818光刻胶工艺参数。     

光刻胶回流技术

本文介绍了集成电路制作过程中,采用光刻胶回流技术,提高抗蚀能力和图形边缘整齐度,以获得硅片上的光刻图形与掩模版图形几何尺寸一致性很好的效果,达到电路参数一致性好和提高电路管芯成品率的目的。同时介绍了光刻胶回流的实验条件,以及如何掌握与控制好光刻胶回流的工艺技术要点。     

FSI国际宣布带有ViPR^TM技术的ZETA喷雾式清洗系统己完成200mm制造工艺验证

全球领先的微电子制造表面处理设备供应商FSI国际有限公司近日宣布其带有ViPR“技术的ZETA喷雾式清洗系统现已提供200mm晶圆工艺,并且已有一家亚洲客户将该项技术成功应用干200mm制造之中。FSI的ViPR技术起初为300mm高级技术推出,该项技术凭借一步湿法工艺成功剥离高注入光刻胶的能力,破许多300mm晶圆厂采用。