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相似文献
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1.
介绍了基于单电容变压器隔离及双电容变压器隔离的功率MOSFET驱动电路,并对驱动电路中各元器件的参数设计进行了详细的论述。进一步对所提出的设计方法进行了实验验证,实验结果表明该设计方法是合理有效的,驱动波形平滑无振荡,并且有较快的上升时间。  相似文献   

2.
王毅  余岳辉 《微电子学》1998,28(3):160-162
提出了一种全新思路的功率MOSFET驱动电路。该电路采用数字电路结构,分立器件少,易实现模块化,波形控制十分灵活,工作频率很高,适用于高频软开关的开关电源及DC/DC变换器。  相似文献   

3.
本文介绍了专用驱动芯片组UC3724/3725的主要特点和原理,并对其构成的功率MOSFET驱动电路进行了分析和实验。实验结果表明,该集成驱动电路具有开关速度快,且能满足驱动所需的功率,是一种性能较好的驱动电路。  相似文献   

4.
本文介绍了专用驱动芯片组UC3724/3725的主要特点和原理,并对其构成的功率MOSFET驱动电路进行了分析和实验,实验结果表明,该集成驱动电路具有开关速度快,且能满足驱动所需的功率,是一种性能较好的驱动电路。  相似文献   

5.
为减弱栅极电压过冲振荡,避免功率管在导通和关断过程中对系统以及其他电路产生的电磁干扰,提出了一种新型功率管驱动电路。该电路通过逻辑信号的分段控制,使得被驱动功率管缓慢开启和关断,研究了传统功率驱动电路的模型与工作过程,分析了功率管导通损耗的来源,提出驱动电路的要求,详细阐述了所设计的驱动电路的工作原理与工作过程,整个驱动电路采用0.18μm工艺在平台Cadence Spectre仿真并通过PCB板测量实现。理论与仿真结果表明,该设计可以有效达到减弱功率管过冲与振荡的要求,保证系统的稳定。  相似文献   

6.
提出了一种功率MOSFET驱动电路。首先介绍了MOSFET的驱动要求及驱动不足产生的影响,然后介绍了一种外置式转换驱动电压的驱动电路,最后通过仿真验证了外置式转换驱动电压的驱动电路。  相似文献   

7.
8.
《电力电子》2005,3(4):69-72
本文介绍了功率半导体器件的一个新家族,即绝缘型封装的低压沟道型MOSFET:对MOSFET和封装技术做了一个简单介绍。由此可以衍生出几种器件和功率等级和特性。另外对这些新器件的典型运用作了一个介绍:如用在作为汽车辅助驱动电路的变换器中及用电池供电的运输工具中。  相似文献   

9.
本文对SiCMOSFET的驱动电路进行了优化设计,并采用Boost主电路对该驱动电路进行验证。结果表明,SiCMOSFET具有较快的开关速度。相比SiMOSFET,工作频率为100kHz,上升时间由70ns减小到40ns,下降时间由100ns减小到10ns。  相似文献   

10.
大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术   总被引:1,自引:0,他引:1  
《今日电子》2003,(2):51-52
功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点,因而非常适合用作开关电源(switch-mode power supplies,SMPS)的整流组件,不过,在选用MOSFET时有一些注意事项。功率MOSFET和双极型晶体管不同,它的栅极电容比较大,在导通之前要先对该电容充电,当电容电压超过阈值电压(VGS-TH)时MOSFET才开始导通。因此,栅极驱动器的负载能力必须足够大,以保证在系统要求的时间内完成对等效栅极电容(CEI)的充电。在计算栅极驱动电流时,最常犯的一个错误就是将MOSFET的输入电容(CISS)和CEI混为一谈,于是会使用下面这个公…  相似文献   

11.
段德山  徐申  孙伟锋   《电子器件》2008,31(2):533-536
介绍了一种用于无刷直流电动机控制系统的MOSFET栅极驱动电路,该电路完全利用分立元件.具有结构简单、安全可靠和实用性强等特点,该电路采用自举法驱动高压侧开关MOSFET,设置了死区时间以避免桥臂导通.并利用缓冲电阻减小振荡,通过设置合适的门极驱动电压减少了损耗,使电路效率得到了提高.  相似文献   

12.
适合于PSPICE的一种精确的功率MOSFET等效电路   总被引:5,自引:1,他引:5  
建立了一种新的功率MOSFET等效电路,以便利用先进的电路模拟软件PSPICE对功率MOSFET所有特性进行模拟和分析.对IR公司的各类HEXFET进行的模拟结果与其数据手册中的实验曲线十分吻合,表明该模型具有较高的精确性.  相似文献   

13.
文中介绍了驱动电流、驱动功耗的计算方法;分析了MOSFET开关过程中电流电压的变化规律;最后对常用的驱动电路解决方案及其优缺点、设计中需要注意的问题等进行了分析总结。根据MOSFET门级驱动电路的特点及设计过程中需要考虑的影响因素,为可靠、高性能的MOSFET应用设计提供参考。  相似文献   

14.
介绍了一种性能优良的大功率晶体管隔离电路,并对所设计的电路进行了调试,对调试中遇到的问题提出了解决方案。  相似文献   

15.
三种光电隔离放大电路   总被引:1,自引:0,他引:1  
三种光电隔离放大电路许志军(攀枝花钢铁公司冶金工业学校,四川攀枝花,617000)1.概述所谓隔离,就是在信号传输电路中,在保证信号传输通畅的前提下,同时切断输出电路与输入电路之间在电气上的直接联系。隔离可以分为调制型隔离和光电型隔离两大类。调制型隔...  相似文献   

16.
《电子工程师》2002,28(10):16-16
Intersil公司最近将一种功率驱动芯片与两款MOSFET结合到同一封装设计 ,命名为 EnduraISL6571 Synchro FET,采用 QFN封装方式。该产品显著减少了面板空间 ,简化其设计结构 ,也降低了制造成本。该器件结合了补偿式 MOSFET驱动器、同步半桥转换器和肖特基二极管 ,采用小型热效能封装。其设计可将 DC/DC转换器的工作频率提升至 1 MHz/phase,从整体上减少印刷电路板的空间。ISL6571 CR采用 QFN封装 ,在 4,999~ 9,999数量范围的定购单价为 2美元。相关设计、评估板和电路设计也可提供。Intersil整合功率驱动芯片和MOSFET器件…  相似文献   

17.
基于光耦HCPL316J的大功率IGBT驱动电路研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文主要对逆变器等功率装置的IGBT驱动电路进行研究,从门极驱动电压、门极驱动电阻、驱动电路功率与IGBT的关系以及驱动保护等方面分析了驱动电路的设计。最后设计了以基于光电耦合器HCPL316J的驱动电路,计算了电路的参数。通过驱动实验和短路保护实验,验证了设计的正确性。  相似文献   

18.
基于功率MOSFET的超磁致伸缩执行器驱动电源   总被引:6,自引:0,他引:6  
在分析超磁致伸缩材料的驱动特性及超磁伸缩执行器驱动电源特点的基础上,采用连续调整型恒流源的原理,并选用功率MOSFET作为功率放大元件,研制出-3-+3A连续可调的高精度超微致伸缩执行器驱动电源。实际测试的结果表明其性能良好,可以满足驱动超微致伸缩材料的要求。  相似文献   

19.
程庆祥 《电子世界》1996,(11):22-24
<正> 美国TI公司新近推出两个系列电路,即逻辑及功率驱动电路和具有功率级的阵列电路,逻辑及功率驱动电路是由8个DMOS功率管与CMOS逻辑电路制成一体的;具有功率级的阵列电路是由DMOS功率管与阵列电路制成一体的。 逻辑及功率驱动电路既具有逻辑功能,又具有8路功率输出。当8路同时工作时,每路的连续  相似文献   

20.
陈幸琼 《变频器世界》2013,(8):63-66,59
针对IGBT驱动电路的特点,本文分析了一种新型智能集成光电隔离驱动器ACPL332J的工作原理,并详细介绍了其保护控制逻辑和驱动设计中所注意的一些问题。相比较其他传统的隔离光耦驱动模块而言,ACPL332J具有独特的有源米勒箝位特性。实验结果验证了原理分析的有效性,该设计电路已经在实际系统中得到应用。  相似文献   

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