多孔硅室温光致发光研究

采用电化学和化学溶蚀法在体单晶硅上制备了高孔度多孔硅;室温下测量了蓝光激发的光致可见光谱,发现样品在大气环境中保存时光致发光谱随时间有显著“蓝移”,并渐趋稳定,谱峰位置“蓝移”约40nm;文中给出了发光膜的平面透射电镜形貌和电子衍射照片。“蓝移”和电镜照片的结果能用量子尺寸效应说明。文中还给出了喇曼谱仪上测得的光致发光谱和多孔硅的喇曼位移峰。     

多孔化PECVD硅薄膜的室温光致发光

本文采用阳极氧化腐蚀技术对等离子ＣＶＤ方法制备的微晶硅薄膜进行了多孔化处理．在室温下用Ｎ２激光激发，在多孔化微晶硅薄膜上观测到了强的可见荧光，其荧光谱中包含１．９４ｅＶ和２．８６ｅＶ两个峰．我们还对其激发谱进行了研究，发现除与跃迁有关的吸收峰（３．４ｅＶ）外，在２—３ｅＶ间还有新的吸收峰．此结果与Ｆ．Ｂｕｄａ等人最近对硅量子线的理论计算相符合．     

1999年度微波分会工作总结(详细摘要)

在分会正、副主任委员的领导下和中国电子学会总部的指导、关怀下,通过分会全体委员的努力,1999年度微波分会在各方面都取得了一些成绩。一、学术交流活动1、国际学术交流为配合总部统一行动,99年分会为召开中日双边微波会议做准备工作。这一会议已历经四届,是中日两国微波学会共同组织、活动效果较好的学术交流活动。2000年中日微波会议由中国电子学会主办、东南大学承办,分会内部已作了动员,会议筹备工作做得很细,进展顺利。2000年要召开《2000′国际微波毫米波技术学术交流会》,这是总部采纳分会建议建立的一个全新架构的系列会议。由中…     

高性能热释电摄象管(详细摘要)

用厚度为12μm的薄靶、低束温层流枪及合适的二次发射层等新技术、新工艺,已制出温差0.5℃时空间分辨率为220线/象高的高性能热释电摄象管,并投入批量生产。     

GaAs中缺陷的光致发光研究

用光致发光技术研究了未掺杂半绝缘砷化镓中的深能级缺陷,观察到一系列与其有关的光致发光.其中0.69eV发射带是源自EL2的辐射复合发光,0.77eV带是由导带至As_(Ga)施主能级的跃迁.认为1.447eV和1.32eV荧光带系分别对应于与Ga_(As)的两个电子态(38meV和203meV)有关的辐射复合.     

硅中碳含量对缺陷成核的影响

本文研究了直拉硅单晶的氧内吸杂(IG)工艺中,单晶的碳含量对缺陷形成的影响.实验表明,碳含量较高的硅片虽然在750℃热处理时,氧的沉淀速率较高,但是经IG处理后,硅片体内仅观条到较少的缺陷.本文详细地研究了导致上述现象的原因,指出碳含量较高的硅片,在750℃处理时氧、碳同时沉淀,并以C-O复合体的形式存在.但是该类氧沉淀在高于900℃,将因分解而消失,因此对IG 硅片中缺陷的形成没有贡献.本文提供了有关实验结果,指出450℃下形成的SiO_x复合团,是IG硅片体内缺陷的主要成核部位.碳含量对低温形成SiO_x复合团的抑制作用,是高碳含量硅片在IG处理中,仅形成较少缺陷的直接原因.     

硅中微缺陷及器件特性(上)

前言 由于集成电路技术的发展,使256K位超大规模集成电路存储器的研制工作获得了成功,但器件微细化、高集成化目前正由于其中心技术——曝光技术和腐蚀技术等进一步发展而发展着。 在上述情况下,作为该工艺所用的基本材料——硅单晶或硅片,是在假定它是完美无缺的情况下而言的。但如果损坏了它们的完美性,那么就     

高温快速热处理对硅中热施主的影响

研究了不同气氛(N2 、O2 、Ar)下高温快速热处理(RTP)对热施主形成和消除特性的影响.研究发现无论在何种气氛下进行高温RTP ,对热施主的形成均无影响.扩展电阻的分析结果表明,热施主在硅片纵向的分布是均匀的.根据高温RTP后硅片的空位特征,认为点缺陷对热施主的形成特性无影响.同时研究了高温RTP预处理对热施主消除特性的影响,发现氧气和氩气高温RTP的样品其生成的热施主经过6 5 0℃退火即可消除,和普通的热施主消除特性相同.而N2 气氛下高温RTP的样品,6 5 0℃退火后仍有部分施主存在,经95 0℃退火才能彻底消除,这可能是由于RTP处理中发生氮的内扩散     

高温快速热处理对硅中热施主的影响

研究了不同气氛(N2、O2、Ar)下高温快速热处理(RTP)对热施主形成和消除特性的影响.研究发现无论在何种气氛下进行高温RTP,对热施主的形成均无影响.扩展电阻的分析结果表明,热施主在硅片纵向的分布是均匀的.根据高温RTP后硅片的空位特征,认为点缺陷对热施主的形成特性无影响.同时研究了高温RTP预处理对热施主消除特性的影响,发现氧气和氩气高温RTP的样品其生成的热施主经过650℃退火即可消除,和普通的热施主消除特性相同.而N2气氛下高温RTP的样品,650℃退火后仍有部分施主存在,经950℃退火才能彻底消除,这可能是由于RTP处理中发生氮的内扩散,在后续热处理中形成氮氧复合体浅施主中心所致.     

硅中注入氮的光致发光研究

以10~(10)～10~(16)/cm~2的剂量向硅晶体中注入氮。700℃热退火后在1.1223eV处(A线)观察到光致发光,而这种效应以前仅在体掺杂晶体中报导过。详细研究了它对复合中心的退火特性及注入剂量的依赖关系。我们发现电活性的N_2不是产生缺陷结构的原因,但是与空位一填隙式氮复合物有关。     

热处理硅中的新施主(Ⅰ)

本文研究了LSI常用的p型CZ硅单晶经700℃热处理后产生的新施主。它与经450℃热处理后产生的热施主相似,都与杂质氧有十分密切关系。但是,新施主又具有很不相同的热处理特性,它的生成率比热施主慢。经长时间(100小时)热处理后,新施主的最高浓度为10~(16)cm~(-3),而且杂质碳能促进新施主的产生。关于新施主产生的机理问题也进行了扼要讨论。     

热处理硅中的新施主(Ⅱ)

本文继续研究了LSI常用的p型CZ硅单晶经700℃热处理后产生的新施主。在n型样品中,同样观察到新施主,其性质与p型的相同,但生成率和浓度较p型的低。新施主与热施主有密切关系,在300～800℃间预热处理都可以促进新施主的产生,其中450℃预热处理的促进作用最大。大于800℃预热处理则减少新施主的产生。新施主比热施主稳定,经1050℃、30小时的热处理,浓度约为1.33×10~(15)cm~(-3)的新施主只消除了68％。本文还较详细地讨论了新施主的本质和产生机理。     

良非线性S—盒——(详细摘要)

在这篇文章里,良非线性分组函数定义为具有均匀分布的方向导数的(?)一盒。由于因E.Biham和A.Shamir 提出的差分密码分析方法是基于非平衡方向导数的,所以非线性S-盒对这种攻击是免疫的。主要结果是一个良非线性S-盒,其输入变量的数目至少是输出变量数目的两倍,还给出了两种不同的构造方法,第一种方法是基于Maiorana-McFarland 的 bent函数构造法,对实现来说它是容易的和有效的;第二种方法推广了Dillon的差集构造法.     

LEC GaAs中缺陷的光致发光研究

本文用4.2K光致发光研究了LEC GaAs的热感生缺陷.热退火时样品分别为无包封,包封或用一个未掺杂的SI-GaAs片覆盖.退火温度为650-850℃,退火在不同气氛下进行(真空,H_2,N_2,H_2+N_2或H_2+As_2). 与缺陷有关的发光带有1.443eV,1.409ev和0.67eV发光带.1.443eV发光带不仅在富Ga的GaAs中出现,而且在富As的热稳定性好的SI-GaAs晶体并经过850℃(在H_2中)热退火的样品中也观测到此发光带.这可能是在退火过程中促进反位缺陷GaAs的形成.1.443eV发光带与GaAs有关.GaAs晶体在H_2中退火后1.409eV峰很强,但在真空中退火末探测到此发光带.文中提出它可能是热退火时氢原子扩散到GaAs晶体中并与某些缺陷结合成络合物的新观点.     

Cd_(1-x)Zn_xTe晶片中Zn组分的室温显微光致发光平面扫描表征

用显微光致发光 (μ- PL)平面扫描的方法对 Cd Zn Te(CZT)晶片进行了研究 .分别在 19μm× 16 μm的缺陷区域进行微米尺度和 7.9mm× 6 .0 mm的大面积范围内进行毫米尺度的逐点 PL 测量 .对测得每一点的 PL 谱进行了拟合 ,得到测量点的禁带宽度等参数 ,其平面分布对应于 CZT中 Zn的组分分布 .统计的结果给出禁带宽度的不均匀性 .对样品进行溴抛光后重复类似的测量 ,结果表明禁带宽度的均匀性大为改善 ,接近了材料组分的真实分布     

Si基热氧化Si_(1-x-y)Ge_xC_y薄膜的室温光致发光特性

采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法在Si(100)衬底上淀积一层厚度约为170nm的富Ge高C含量的Si1-x-yGexCy薄膜,然后将其分别在800℃和1100℃下湿氧氧化20min.在室温下观测到强烈的光致发光.室温下的光致发光谱(PL谱)测量显示,800℃下氧化后的样品在370nm和396nm附近有两个光致发光带,1100℃下氧化后的样品只在396nm附近有一个光致发光带.396nm附近的发光带可归之于由氧化薄膜中的缺陷O-Si-O(Si02)或O-Ge-O(Ge02)引起的,而370nm附近的发光带与薄膜中Ge-C对发光中心有关     

多孔硅对硅中缺陷的吸除效应

研究了在硅片背面采用阳极化方法形成的多孔硅层对硅片中浅底蚀坑和氧化层错的吸除效应．结果表明，该多孔硅层对硅中的缺陷形成有明显的吸除作用．采用ＸＴＥＭ分析了多孔硅和衬底硅之间的界面特性，发现在界面处存在一个“树枝”状无序结构的过渡区，分析认为该过渡区是一个吸除中心     

a-SiH 热处理过程中纳米硅粒尺寸的控制(英文)

报道了控制热处理过程中含氢非晶硅中纳米硅颗粒大小的一种新方法。用喇曼散射、X射线衍射和计算机模拟,发现在非晶硅中所形成的纳米硅颗粒的大小,随着热退火过程中升温速率的变化而变化。在退火过程中,若非晶硅薄膜升温速率较高(～100℃/s),则所形成纳米硅粒的大小在1.6～15nm;若非晶硅薄膜升温速率较低(～1℃/s),则纳米硅粒大小在23～46nm。根据晶体生长理论,讨论了升温速率的高低与所形成的纳米硅颗粒大小的关系。     

马尔可夫密码与差分密码分析——(详细摘要)

针对Biham和shamir提出的差分密码分析(或简译为差分分析一译者),本文研究了迭代分组密码的安全性。差分密码分析是对秘密钥分组密码的一种选择明文攻击,这种分组密码基于将一密码学弱函数迭代r次(例如,16轮DES)。文中指出,对一个r轮密码的成功攻击依赖于具有高概率的(r—1)轮差分的存在;这里的i轮差分定义为一个对(A,B),即在恰当定义“差量”这一概念的前提下,一对不同的、具有差量A的明文可以(经加密)得到具有差量B的第i轮输出对。这种差分的概率可用于确定差分密码分析复杂度的下限,同时显示一个r轮密码何时不易被差分密码分析攻击。基于其在差分密码分析中的重要性,“马尔可夫密码”这一概念被引入到迭代密码中。如果一个迭代密码是马尔可夫密码并且其各轮子密钥是独立的,则其每一轮输出的差量组成的序列构成了一条马尔可夫链。从 Biham和 Shamir 的研究结果,可以得出 DES 是一种马尔可夫密码。文中还指出,对于“差量”的恰当定义,Lai和Massey的推荐加密标准(PES),一种8轮迭代密码也是一种马尔可夫密码。通过估计PES的r轮差分的概率,文中指出,针对差分分析的攻击,2轮PES至少同10轮DES具有相当的安全性,同时,4轮PES是完全不易受到这种攻击的。